【課題】処理対象物の表面に凹凸が生じることを防止できる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｘ_ｍＹ_ｎ（式中、Ｘ及びＹのいずれか一方を水素原子とし、いずれか他方を質量数が１１〜４０の原子とし、水素原子の数を１〜６、他方の原子の数を１〜２とする）で表される分子の中から選択される少なくとも１種を含む処理ガスを用い、この処理ガスを減圧下で導入してプラズマを形成し、プラズマ中で電離したイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物Ｗ内に注入するイオン注入法であって、処理ガスの分圧、イオンの注入エネルギ及びイオンの注入ドーズ量の少なくとも１つを制御して、処理対象物Ｗ表面に堆積する活性種の堆積速度よりも、加速したイオンによる活性種のエッチング速度を遅くする。 （もっと読む）

【課題】不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、不純物を含む基板Ｗの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部１３を備える。プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。設定部１３は、要求される注入深さから主パラメタを設定する第１設定処理と、副パラメタを設定する第２設定処理と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第１のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第２のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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プラズマ処理装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に配され、ワークを支持するプラテンと、ワークの前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを、プロセスチャンバの内部に発生させるように構成されたプラズマ源と、インシュレーティング調整部とを備える。インシュレーティング調整部は、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状の一部がプラズマに対向するワークの前面によって形成される面と平行にならないように、境界の形状を制御する。プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状を制御することで、ワークに衝突する粒子の入射角の範囲を広げることができる。 （もっと読む）

分子イオンのイオンインプランテーション注入の技術を開示する。一実施形態において、本技術は、分子イオンがイオン源内でその場生成され、所定温度で分子イオンをターゲット材ターゲット材料にインプラント注入し、ターゲット材ターゲット材料の歪みおよびアモルファス化のうち少なくとも一方を改善するイオンインプランター注入機を備えるイオンインプランテーション注入装置として実現することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が顕著化しやすい場合においても高精度な膜厚制御を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置１は、真空チャンバ１０１と、基板ホルダ１０３と、成膜源ホルダ１１３と、遮蔽機構１０９と、第１膜厚測定機構１０４と、補正制御部１１０と、を備えている。遮蔽機構１０９は、基板ホルダ１０３と成膜源ホルダ１１３との間に設けられており、成膜源１１４からみて基板上における成膜される領域の少なくとも一部を遮蔽し、基板ホルダ１０３の回転軌道円の接線方向における大きさを個々に変更可能な小片３０３ａ〜３０３ｌを有する。第１膜厚測定機構１０４は、複数の位置における成膜層の膜厚を測定する。補正制御部１１０は、第１膜厚測定機構１０４の測定結果に基づいて小片３０３ａ〜３０３ｌのそれぞれの大きさを個々に補正する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの数が極めて少ない良質の薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０においてアーク放電にともなって発生したプラズマは、プラズマ分離部２０において斜め磁場により進行方向が曲げられ、パーティクルトラップ３０に直進するパーティクルと分離される。そして、プラズマ移送部４０を介して成膜チャンバ５０に入り、基板５１上に膜を形成する。プラズマ移送部４０の少なくとも一部には、接地電圧に対し５〜１５Ｖ低い電圧が印加される。この負の電圧により、正に帯電したパーティクルがプラズマと分離され、プラズマ移送部４０に設けられたフィン４３２、防着板４４２ａ，４４２ｂ及び筐体壁面に捕捉される。 （もっと読む）

【課題】実質的なクラスター生成効率を高めたクラスター生成装置を提供する。
【解決手段】エネルギー照射を受けてクラスター構成物質を放出する放出源を減圧室内に配置し、該放出されたクラスター構成物質のイオンを冷却ガスとの接触下でクラスター化させてイオンクラスターとし、生成した該イオンクラスターを該減圧室のクラスター出口から室外へ供給するクラスター生成装置において、
上記放出源から上記クラスター出口に至る軸線を取り巻く環状の電極、および
上記イオンクラスターの帯電極性と同じ極性の電位を上記電極に印加する直流電源
を備えたことを特徴とするクラスター生成装置。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に同時に蒸着するときに、複数の基板に均質な膜を成膜することができる真空蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】この蒸着装置は、複数の基板３を保持する基板保持部材２と、基板３上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源４と、基板３面にガスイオンを放射するためのイオン銃５と、イオン銃５から照射されるガスイオンの放射方向Ｄ１を整流するための補正板６とを有している。そして、補正板６を調整することにより、基板保持部材２内のガスイオンの濃度分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板６がアースシールド５の開口部を覆ってイオン源用金属板３と基板７の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板６で基板７を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板６ａ、６ｂが移動してアースシールド５の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板３と対向した基板７上にイオン処理をすることができる。 （もっと読む）

プラズマドーピング装置はパルスプラズマを発生するプラズマ源を含む。プラテンがプラズマドーピングのために基板をプラズマ源の近くに支持する。構造部が脱着時に複数のニュートラルを供給する膜を吸着する。バイアス電圧源が、プラズマ中のイオンをプラズマドーピングのために基板に吸引する負電位を有するバイアス電圧波形を発生する。放射源が構造部上に吸着された膜を照射することによって、膜を脱着させて複数のニュートラルを発生させ、イオンが基板に吸引される間これらのニュートラルがプラズマからのイオンを散乱することによってコンフォーマルドーピングが達成される。
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【課題】冷却水を流している配管部分からの漏水を防ぐプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】ケース１５の一方の端部に碍子２０を介して筒状の第１アノード２１Ａが配置され、ケース１５の他方の端部に碍子２５Ａ´，２５Ｂ´を介してフランジ２６Ａ，２６Ｂがそれぞれ取り付けられ、フランジ２６Ａ，２６Ｂ各々に接続された配管２７，３１、ケース１５内部に設けられた流路２８，３０及び第１アノード２１Ａ内部に形成された流路２９が空間的に繋がる様に成し、冷却水が流れる様にする。碍子２０側に同心状の溝Ｍ７ａ，Ｍ７ｂが形成された交換フランジ３０Ｃを第１アノード２１Ａと碍子２０との間に設け、碍子側２５Ａ´，２５Ｂ´各々に同心状の溝Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ、Ｍ２ａ，Ｍ２ｂが形成された交換フランジ３０Ａ，３０Ｂをそれぞれフランジ２６Ａ，２６Ｂと碍子２５Ａ´，２５Ｂ´との間に設け、各溝内にシール部材を入れた。 （もっと読む）

【課題】蒸着（スパッタリング）金属による形成成膜の接着力が強く、形成速度の速い電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。スパッタリングに利用する場合には面積の大きなターゲットを使用できることと、スパッタ粒子が微細であるという利点がある反面、ターゲットと基板は近接しなければならないと言う制約がある。そこで、基板の周囲にターゲットを配置し、プラズマ電子銃からの電子ビームをターゲットに照射してスパッタ粒子を発生させるとき、基板表面に並行する磁力線を作っておくと、電荷を持つ金属イオンの運動との相互作用（ローレンツの力）により方向が偏向させられ、基板面に誘導されて薄膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を成膜する際の安全性を高めると共に、基板に対する水素パッシベーションを効果的に行って生産性も向上する。
【解決手段】太陽電池用の反射防止膜を成膜する成膜装置１において、成膜室９内にプラズマビームＰｂ２を供給し、酸化珪素からなるタブレットＭを昇華させて反射防止膜を成膜する。更に、水素イオン発生ガスを成膜室９内に導入し、アークプラズマ環境で水素イオンを生成し、その水素イオンでダングリングボンドを終端する。この成膜装置１では、酸化珪素からなるタブレットＭを用いているため、モノシランガスに比べて安全性は極めて高い。さらに、加熱ヒータ２６による加熱によって水素パッシベーションが促進される。その結果として、基板Ｗに対する水素パッシベーションを効果的に行いながら生産性も向上できる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームを用いた薄膜形成装置において、昇華性材の蒸着材料に電子ビームを照射時、電子チャージアップ現象が生じ、安定した蒸着が行えないという問題点を解決し、昇華性材上の電子の中和を可能とする薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ内に設けられた電子ビーム発生装置とおよび柱状をなし中央部の上面から下面に達する貫通孔が設けられた蒸着材料を収納したるつぼを備え、電子ビーム発生装置の出射する電子ビームを蒸着材料に照射する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ用のプラズマ室（３）、プラズマの点火及び維持のための電気手段（８，９）、プラズマ室（３）からプラズマビーム（Ｉ）を抽出するためのイクストラクション格子（４）、並びに、イクストラクション格子（４）によって真空室（７）から分離された出口開口部を有する高周波プラズマビーム源に関する。プラズマビーム（Ｉ）は、ほぼ拡散ビーム特性で、高周波プラズマビーム源（１）から放射される。更に、本発明は、高周波プラズマビーム源のプラズマビーム（Ｉ）を用いて表面を照射するための方法に関する。その際、プラズマビーム（Ｉ）は、拡散されている。
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【課題】 プレスパッタ時の飛散物質が被成膜基板に付着しないようにする。
【解決手段】 ターゲットホルダ１５に固定されたターゲット２１に成膜用イオンガン１２からイオンビーム３１を照射してスパッタリングし、そのスパッタ粒子によって基板２２上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット表面の向きを成膜時の状態から反転させることを可能とすべく、ターゲットホルダ１５に設けられた回動機構と、その回動機構の回動軸４３に対し、成膜用イオンガン１２の照射軸と対称な方位に照射軸が位置するように配置されたプレスパッタ用イオンガン４１と、反転されたターゲット表面を囲繞し、その反転状態のターゲット表面にプレスパッタ用イオンガン４１からイオンビーム５１が照射されてスパッタリングされた粒子の飛散を阻止する遮蔽板４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】背景技術による内包フラーレンの製造方法では、真空容器中で堆積基板に直流のバイアス電圧を印加して内包原子からなるイオンを含むプラズマを堆積基板に向けて照射し、同時にフラーレン蒸気を堆積基板に向けて噴射していた。そのため、堆積時間が長くなると堆積膜がイオンの電荷によりチャージアップし、堆積膜の剥離が起きるという問題があった。
【解決手段】堆積基板に正と負のバイアス電圧を交互に印加することにした。イオンに加速エネルギーを与える状態と堆積膜のチャージを中和する状態を交互に繰り返すことにより、堆積膜に過度のチャージが蓄積しないので、堆積膜の剥離を防止できる。 （もっと読む）