【課題】例えば幅広ビーム源への使用に好適な、実用性に優れるラインプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】ラインプラズマ発生装置１０は、長手方向にマイクロ波を伝搬するための導波管１４と、長手方向に沿って配設され、導波管１４にプラズマを閉じ込めるための長手方向に交差する磁場を発生させるための磁石１６と、を備える。導波管１４は、側壁２４から管内に突き出して長手方向に延びるリッジ部２６を備え、リッジ部２６は側壁２４の外表面に長手方向に延びる凹部２８を形成してもよい。磁石１６は、凹部２８に配設されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】スパッタ効率の高いことよりも、むしろ効率よくプラズマが生成し、かつエネルギー密度の高いプラズマ発生技術が求められている。
しかも安定したプラズマを生成させる際にはトリガーを必要とするため、装置内にトリガーを設置する空間を要すること、及びより装置が複雑になることによって装置が大型化していた。
【解決手段】板状のターゲット側電極の一方の面に、
１つの中心磁石と、該中心磁石の周囲に配置してなり、該中心磁石と極性が異なる１つ以上の周辺磁石との組み合わせからなるターゲット側磁石を設け、
該ターゲット側電極の他方の面にターゲット基板を近接して設けると共に、
該ターゲット基板に対向して試料を設置し、
該試料のターゲット基板に面する側の反対の側にアシスト磁石を設置し、該アシスト磁石の該試料側の極性と、該中心磁石のターゲット側電極側の極性が同じであるプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料に溶剤を添加してペースト状に加工し、該溶剤を蒸発除去させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、試料設置部３から供出される固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】
Ｃ_４Ｈ_Ｘ^＋イオン、Ｃ_５Ｈ_Ｘ^＋イオンまたはＣ_６Ｈ_Ｘ^＋イオン（ｘは１以上の整数）を生成し、ウエハに対して、効率的にイオン注入する。
【解決手段】
本発明のイオン注入方法では、ＣｎＨｘ（ｎは４≦ｎ≦６の整数、ｘは１≦ｘ≦２ｎ＋２の整数）で表されるイオン生成用原料を使用し、ＣｍＨｙ^＋イオン（ｍは４≦ｍ≦６の整数、ｙは１≦ｙ≦２ｍ＋２の整数）を生成する。その後、生成されたイオンをウエハに注入する。
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【課題】
従来の無機膜成膜に比べて安価に製造ができ、かつ、煩雑な製造工程を必要とせず、容易に優れたガスバリア性と可とう性を有するガスバリア積層体、その製造方法、このガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるＣＶＤ法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体、このガスバリア積層体の製造方法、前記ガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層が所定のパターンに加工された磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を得る。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録層５、クロム、チタン、及びシリコンから選択される磁性失活元素を含むＲｕ非磁性下地層２、及び非磁性基板１を含む積層に、磁性失活ガスを用いてガスイオン照射を行なうことにより形成される。ガスイオン照射を行なう前の垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち少なくとも１つ、及びプラチナを含有する。ガスイオン照射には、ヘリウム、水素、及びＢ_２Ｈ_６からなる群から選択される少なくとも１種のガスと窒素ガスの混合ガス、あるいは単独の窒素ガスのいずれかを使用する。 （もっと読む）

【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークＨの両側に配置され、ワークＨに向かってマイクロ波が通過するスロット３１０Ｒを有するスロットアンテナ３１Ｌ、３１Ｒと、スロットアンテナ３１Ｌ、３１ＲのワークＨ側の表面を覆う誘電体３２Ｌ、３２Ｒと、誘電体３２Ｌ、３２Ｒ間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子ＰＬ、ＰＲを生成するプラズマ生成室３８４を、内部に区画するチャンバー３８と、プラズマ生成室３８４に配置され、ワークＨの処理対象面ＨＬ、ＨＲと誘電体３２Ｌ、３２Ｒとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ３３Ｌ、３３Ｒと、メッシュ３３Ｌ、３３Ｒに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源３７と、電源３７とメッシュ３３Ｌ、３３Ｒとの間のインピーダンスを調節する整合器３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】内壁の水素脆化により発生するパーティクルを取り除くためのイオン源とドーピング室の大気開放処理、および洗浄処理の頻度を大幅に下げるイオンドーピング装置を提供すること。また、当該イオンドーピング装置内の低塵化方法を提供すること。
【解決手段】イオン源とドーピング室に水素元素、酸素元素を供給し、６００℃以上１０００℃以下とすることで、その内壁に三酸化二クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の皮膜を形成する。これにより、水素脆化の進む前に当該内壁の補修、補強ができるため、大気開放する頻度の著しく低いドーピング装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】フラーレンの六員環よりも大きな原子を内包する内包フラーレンの製造において、内包フラーレンの形成確率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】内包イオンの照射と同時に、直径と質量が大きいイオンをフラーレン膜に照射する。質量が大きいイオンがフラーレン分子１７に衝突するため、フラーレン分子１７が大きく変形し、フラーレン分子１７の開口部が大きくなり、内包イオンがフラーレン分子１７のケージの中に入る確率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】基板等の表面の平坦性を向上させる表面処理方法を提供する。
【解決手段】窒素を含まない原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第１の処理工程と、窒素のガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第２の処理工程と、を有することを特徴とする表面処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。
【解決手段】非導電ターゲットとともに使用するイオンビーム源であって、イオンを抽出するグリッド１〜４と、このグリッドにパルス電力を供給する電源（直流電源１６およびビーム制御装置１７）とからなり、前記電源は、グリッド１電源〜グリッド３電源と、前記グリッドに対する電力の供給を接続および遮断するスイッチのセット１９と、このスイッチを制御する電力スイッチング装置２１と、スイッチの切替を行うためのパルス発生器２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

ここに開示されたいくつかの技術は、分子ビーム部品から残留物を清浄することを促進する。例えば、典型的な方法では、分子ビームは、ビーム通路に沿って供給され、分子ビーム部品において残留物を増加させる。その残留物を減少させるために、分子ビーム部品は、フッ化炭化水素プラズマにさらされる。フッ化炭化水素プラズマへの接触は、第１の予め定められた条件が満たされたかどうかに基づいて終了し、第１の予め定められた条件は、残留物の除去の範囲を示している。他の方法およびシステムについても開示されている。
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例えば、Ｂ２Ｆ４またはその他のＢＦ３の代替物といったホウ素ソース材料を使用して、アークチャンバ熱生成によるドーパントガスの加熱および分解を抑制するために、ドーパントガス供給ラインにおいてドーパントガスの冷却を提供する、イオン注入システムシステムおよび方法。イオン注入システムの効率的な動作を達成するために、多様なアークチャンバ熱管理構成が、プラズマ特性の変形、特定の流れ構成、洗浄プロセス、電力管理、平衡シフト、抽出光学系の最適化、流路における堆積の検出およびソース寿命最適化と共に記載される。 （もっと読む）

本発明は、１つには、半導体及びマイクロエレクトロニクス製造で使用されるイオン注入装置のイオン源構成要素を洗浄するための方法に関する。イオン源構成要素は、イオン化チャンバと、イオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素とを含む。イオン化チャンバの内面、及び／又はイオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素には、例えばカルボランＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２といったドーパント・ガス中に含有される元素の少なくともいくらかの堆積物が付着している。この方法は、洗浄ガスをイオン化チャンバに導入するステップと、イオン化チャンバの内面から及び／又はイオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で洗浄ガスを堆積物と反応させるステップとを含む。洗浄ガスは、Ｆ_２と、希ガス及び／又は窒素から選択される１つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのＯ_２との混合物、或いは酸素／フッ素含有ガスと、希ガス及び／又は窒素から選択される１つ又は複数の不活性ガスとの混合物である。堆積物は、イオン注入装置の正常な動作に悪影響を及ぼし、ダウンタイムを頻繁にもたらし、ツール稼働時間を減少させる。
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この方法は、プラズマドーピング、プラズマ堆積およびプラズマエッチング技術においてプラズマ組成を調整するために用いられる。開示された方法は、プラズマ中の電子エネルギー分布を改良することによりプラズマ組成を制御する。超高速電圧パルスによりプラズマ中で電子を加速することで、高エネルギー電子がプラズマ中で生成される。パルスは、電子に影響する程度には長時間だが、イオンに大きな影響を与えるには早すぎる。高エネルギー電子およびプラズマ構成物質の衝突の結果、プラズマ組成が変化する。プラズマ組成は、使用される特定目的の要求に適合するように最適化され得る。これはプラズマ中のイオン種の比率の変化を伴い、イオン化対解離の比率を変化させ、またはプラズマの励起状態集団を変化させる。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストで製造でき、透明性、屈曲性に優れる、抗菌性のガスバリア性フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】抗菌性材料及びケイ素系化合物を含有する層中に、イオンが注入されて得られる層を有するガスバリア性フィルムにおいて、前記抗菌材料が、無機抗菌剤であり、銀又は銀イオンを含有するものであり、前記抗菌材料及び前記ケイ素化合物を含有する層中の銀の含有量が、重量ベースで１〜１００ＰＰＭであるガスバリアフィルム及びその製造方法。 （もっと読む）