【課題】ウエハのステップ回転を用いることなくイオン注入を行う場合に、プラズマを利用した工程及びアニール工程で発生しやすい面内不均一パターンに対応した形状に対応した２次元イオン注入量面内分布を実現する。
【解決手段】イオンビームを往復走査し、イオンビーム走査方向に直交する方向にウエハをメカニカルに走査して、イオンをウエハに注入するに際し、イオンビーム走査方向のビーム走査速度とメカニカル走査方向のウエハ走査速度を同時かつ独立に、速度補正量を規定する別々の制御関数を用いて速度制御して、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正するための等方的な同心円形状のウエハ面内イオン注入量分布を生成する。 （もっと読む）

【課題】 ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられたユニポテンシャルレンズ４０と、その第２電極４２、第３電極４３に直流電圧Ｖ₁ 、Ｖ₂ を印加する直流電源６０とを備えている。そして、ユニポテンシャルレンズ４０の第１ギャップ５１、第３ギャップ５３の曲率中心の位置を、ビーム走査器の走査中心の位置と一致させており、第２ギャップ５２の曲率中心の位置を、走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側にずらしている。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発散角やビームの傾きが変化しても、イオン注入量を高精度で制御するイオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン源部と、加減速部と、イオンビーム遮断部と、イオンビームの発散角とビームの傾きの少なくともいずれかを測定する測定部と、基板を保持する基板保持部と、制御部と、を備え、制御部は、測定部により測定された発散角とビームの傾きの少なくともいずれかの測定値に基づいて、基板へのイオン注入量が所定の範囲内に管理されるように、イオン注入の処理条件を補正して、イオン源部、加減速部、イオンビーム遮断部及び基板保持部のうちの少なくとも１つの動作を制御することを特徴とするイオン注入装置、イオン注入方法、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

本発明の一形態は、帯状のイオンビームのイオンフラックスを調整するための調整方法に関する。この方法は、帯状イオンビームを形成するために、或るイオンビームが或る走査速度にて走査され、複数のダイナミックビームプロファイルがイオンビームが走査されるにつれて測定される。修正された走査速度は、走査されたイオンビームの測定された複数のダイナミックビームプロファイルに基づいて算出される。イオンビームは、修正された走査速度にて走査され、修正された帯状イオンビームを得ることができる。また、他の方法及びシステムについても説明している。
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【課題】 基板の面内に様々なドーズ量分布を形成することができる方法を提供する。
【解決手段】 このイオン注入方法は、イオンビーム４が基板２に入射する領域内で、イオンビーム４の走査速度をステップ状に変化させて基板にイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、各注入工程の合間であってイオンビームが基板に当たっていない間に、基板２をその中心部を中心にして所定の回転角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施し、かつ注入工程として、イオンビーム４の走査速度を、基板２の一端から他端にかけて、第１の走査速度、それとは異なる第２の走査速度および第１の走査速度にステップ状に変化させる注入工程をｎ回（ｎは２以上の整数）実施すると共に、回転工程として、基板を３６０／ｎ度ずつ回転させる回転工程を実施することによって、基板２の面内において、中央領域とそれを囲む外周領域とでドーズ量の互いに異なるドーズ量分布を形成する。 （もっと読む）

【課題】単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。
【解決手段】ウェハは、第１のピボット１５０に接続され途中で曲げられたアーム１１０の一端に第２のピボット１４０によって取り付けられたウェハホルダ１２０に載置される。ウェハは第２のピボットによって任意の角度にチルトされ、かつ第１のピボットによって円弧状に機械的走査される。電流密度を第１のピボットからの距離に比例させたリボンビーム２０をコリメータによって形成し、ウェハに照射することにより均一な注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】 ビーム電流が不安定でもウェハへの不純物面内分布が均一になるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置１０は、イオンビーム発生機構１５、スキャナ部１６、イオン注入室２０を有する。スキャナ部１６は、Ｘ方向静電偏向器１６ｘ、Ｙ方向静電偏向器１６ｙを有する。イオンビームＩＢの走査速度は、信号処理部１７ｘ、１７ｙにおける各三角波電圧の周波数変調によって変更可能である。信号処理部１７ｘ、１７ｙは、非接触ビーム電流計１８の計測値の変動に応じて各三角波電圧を周波数変調する。イオンビームＩＢは、その変動によりビーム電流が通常より減少したときにはその走査速度が小さくなり、通常より増大したときにはその走査速度が大きくなるよう制御される。 （もっと読む）

【課題】
特定のエネルギーを持ったイオンによるイオンビームを照射して膜を成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】
カソード１１とアノード１２との間に真空アーク放電を発生し、炭素イオンからなるプラズマを発生させる。そして、加速電極１３により、入射スリット板２１へ向かって加速される。入射スリット２１のスリット穴から入射されたイオンビーム２５は偏向電界２６により偏向される。特定のエネルギーを持った炭素イオンから構成されるイオンビーム２５は、出射スリット２２のスリット穴に収束し、そして出射スリット２２のスリット穴を通過する。そして、成膜室４の基板ステージ４１に装着された基板４２に照射される。 （もっと読む）

走査イオン注入装置の用量均一性が判断される。ベースビーム電流が基板面積全体にわたる完全走査の開始時および／または終了時に測定される。このベースビーム電流は、測定が注入される基板からの脱ガス化による影響を受けないときに測定され、ベース用量分布マップが次いで、当該走査に対して算出される。該走査自体の間に、ビーム不安定性イベントが検出され、該検出済み不安定性イベントの走査における大きさおよび位置が測定される。該算出済みベース用量マップの対応する偏差が判断され、該事前算出済みベース用量分布マップから減算されて、補正済み分布マップを提供する。このように全用量均一性を減算的に（ｓｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅｌｙ）判断することによって、良好な全体の正確性が取得可能であり、該ビーム不安定性イベントの測定においてはそれ程正確ではない。 （もっと読む）