【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置１は、フィルム基板１０の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板１０上に薄膜を形成する第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃと、第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃの下流側に隣接して設けられた第１サンプリング室１４ａ及び第２サンプリング室１４ｂとを備える。第１サンプリング室１４ａには、第１成膜室１３ａで第１薄膜層４１が形成されたフィルム基板１０が搬入され、減圧条件下でフィルム基板１０から試料を採取する。 （もっと読む）

【課題】装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供すること。
【解決手段】真空プロセス装置１の各部の状態を示す状態情報を取得する第１の取得手段（制御監視部２０）と、真空プロセス装置の制御に関する制御情報を取得する第２の取得手段（制御監視部２０）と、第１および第２の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段（タイマ３４）と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段（ログ格納装置２）と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段（解析装置４）と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段（解析装置４）と、を有し、第１の取得手段は、装置がプロセス処理を実行中である場合には第１の周期で状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第１の周期よりも周期が長い第２の周期で状態情報を取得する。 （もっと読む）

本発明は，基板をコーティングする装置に関し，真空チャンバーと，内部がコートされる基板を受ける様に設計された真空チャンバーと，粒子の衝撃により装置の動作の間に除去されるように意図された少なくとも一つのスパッタリングターゲットを有し，少なくとも一つの窓が，前記真空チャンバーの壁に配置され，そして，前記スパッタリングターゲットの摩滅を判定する装置を有し，前記真空チャンバーの外側の少なくとも一つの予め規定されたポイントと，前記スパッタリングターゲットの表面の少なくとも一つの予め規定されたポイントとの間の距離を光学的に測定する側的装置を有し，前記測定装置が，更に視差オフセット及び/又は幾何学的歪みを修正できる評価装置を有する。さらに，本発明は，対応する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】圧電特性及び駆動耐久性の良好な鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜を簡易な方法により成膜する。
【解決手段】本発明の鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜の成膜方法は、スパッタリング法による成膜において、成膜途中で、前記基板の電位を第1の基板電位Ｖｓｕｂ１から、前記圧電体膜の鉛組成を所望の組成とするように第２の基板電位Ｖｓｕｂ２に変更する。 （もっと読む）

本発明は、コーティング及び基材を含み、該基材上にＰＶＤ堆積法を用いてコーティングが堆積された被覆物体の製造方法に関する。コーティングは、周期律表の第ＩＶｂ族、第Ｖｂ族、第ＶＩｂ族、ならびに、Ａｌ、Ｙ及びＳｉから選ばれる１種以上の元素の窒化物、炭化物、酸化物、ホウ素化物又はそれらの混合物を含む。堆積方法は、活性ターゲットを維持しながら、基材バイアス電圧を変化させる少なくとも１つのシーケンスを含み、ここで、基材バイアス電圧を変化させるシーケンスはサブシーケンスＳ_i；−第一の基材バイアス電圧Ｂ_iにて１０秒間〜６０分間の堆積時間Ｔ_iの間堆積させ、その後、１０秒間〜４０分間の傾斜時間Ｒ_iの間堆積させながら、基材バイアス電圧を徐々に第二の基材バイアス電圧Ｂ_i+1（│Ｂ_i−Ｂ_i+1│≧１０Ｖ）に変化させることを含み、ここで、サブシーケンスＳ_iをｉ＝ｎとなるまで繰り返し、ここで、ｉ＝０，１，２，．．．ｎであり、ｎ≧２であり、各新規のサブシーケンスは前のサブシーケンスが終わるときに使用されていたのと同一の基材バイアス電圧で堆積を開始する。
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【課題】２以上の物質の組成比率を高精度に調整して、ＣＩＧＳ膜などの薄膜を形成する。
【解決手段】多源蒸着薄膜の組成制御方法では、チャンバ１１内に第１物質（Ｓｅ）を供給して加熱した状態において、同じ成膜工程においてチャンバ１１内へ供給される２以上の物質（Ｇａ，Ｉｎ）の組成比率を、チャンバ１１内に配設された振動子２５の付着物による発振周波数の変化に基づいて検出することにより制御し、異なる成膜工程において多段的にチャンバ１１内へ供給される２以上の物質（Ｇａ，ＩｎとＣｕと）の組成比率を、チャンバ１１内に配設された計測板３３の付着物の膜厚を光の薄膜干渉により検出することにより制御する。 （もっと読む）

【課題】高精度で、かつ、工程期間短くして、成膜を可能とする成膜方法およびＥＢ−ＰＶＤ装置を提供する。
【解決手段】蒸発源３からの蒸発粒子を被成膜対象に蒸着させて成膜する成膜方法であって、当該方法は、所定波長の光に基づいた被成膜対象の反射率をベースにした上記成膜膜の相対反射率が上記成膜膜の膜厚変化に応じて変化する関係を示す検量線データを得るステップと、上記成膜膜へ光を入射および反射させることで上記相対反射率を測定するステップと、上記検量線データと上記測定した相対反射率とから上記成膜膜の膜厚を演算するステップと、演算により得た膜厚を上記成膜膜の膜厚制御にフィードバックするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料のコンタクト埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 （もっと読む）

【課題】実際に成膜に使える蒸着材料の残量を正確に測定することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に蒸着材料２を蒸発させる容器として坩堝２を設置し、該坩堝２において蒸発させられた前記蒸着材料２を基板４に成膜する真空蒸着装置であって、前記真空容器１外から前記坩堝３内の前記蒸着材料２の嵩を計測する計測手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】指向性よくスパッタリング粒子が基板上に到達して成膜ができるスパッタリング装置および液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持し搬送可能な基板ホルダー６を有する成膜室２と、成膜室２に連通し第１ターゲット５ａと第２ターゲット５ｂとが平行に対向して配置された一対のターゲットを有するスパッタリング粒子放出部３と、基板ホルダー６とスパッタリング粒子放出部３との間に配置された制御板３１ａ〜３１ｅを有する制御板ユニット３０と、を備え、スパッタリング粒子放出部３の一対のターゲットが基板ホルダー６の搬送経路に対して斜めに傾いた状態で配置され、一対のターゲットからプラズマによりスパッタリング粒子５Ｐを生じさせて、搬送される基板ホルダー６に向けてスパッタリング粒子５Ｐを放出させ、制御板３１ａ〜３１ｅは一対のターゲットと平行に配置され、スパッタリング粒子５Ｐを選択的に通過させる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 容量結合型の機構を備えた上部電極１、上部電極に取り付けられた非磁性物質で作られたターゲット部材２、ターゲット部材の上部表面の上に配列された複数のマグネットで、そのうち２つの間に等しい距離を持ちかつ交互に替わる磁極極性持つ複数のマグネット６、上部電極に平行に配置された下部電極３、下部電極の上に搭載されたウェハ１７、１０〜３００ＭＨｚの範囲の周波数で動作し、整合回路１５を介して上部電極に接続された高周波電源１６、を備えるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットＴ_１と基材Ｓ_１とを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体Ｌ_１中に配設する配設工程と、液体Ｌ_１中にスパッタガスＧ_１を供給して少なくともターゲットＴ_１と基材Ｓ_１との間に気相空間Ｖ_１を形成する気相空間形成工程と、気相空間Ｖ_１に少なくともスパッタガスＧ_１のプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットＴ_１をスパッタリングさせて基材Ｓ_１の表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の真空状態を保ったまま連続的にワークの表裏に蒸着を施すことができる真空蒸着装置を提案するものである。
【解決手段】真空蒸着装置のチャンバ内に配置されたドームの傾斜面に形成された複数のワーク装着部１８にワーク装着ユニット２０が装着される。ワーク装着ユニット２０は、ガラス板２１が固定されたワークホルダ２２を一対の回転軸によって回転自在に支持したホルダ支持枠２５と、ホルダ支持枠２５の回転を係止する係止部材６０を備えたボールガイド枠５０とから構成される。ボールガイド枠５０には鋼球５８が載置され、リブ５６によって載置された位置に保持される。ドームの回転速度を速くすると、遠心力によって鋼球５８がリブ５６を乗り越え、係止部材６０のボール衝突部６２に衝突すると、係止爪６３がワークホルダ２２の係止位置から移動してワークホルダ２２が反転する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具の姿勢を検知することで、該基板保持具の傾きを起因とした該基板保持具と基板の破損を未然に防ぐ基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、該処理室で基板を保持する基板保持具１４と、該基板保持具を載置する載置部と、該載置部に対して相対回転可能に設けられ相対回転により前記基板保持具を係合解除可能なロック部材と、該ロック部材と前記載置部とを相対回転させる回転部と、該回転部の回転動作を検出する検出部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】真空処理遊星システム工作物キャリヤを発展させる。
【解決手段】真空処理遊星システム工作物キャリヤは、駆動装置１と連結可能で太陽システム軸７の周りを回転可能な、太陽車９を有する太陽システム９，９′と、その周りを回転するよう回転可能に連結され、遊星軸１１の周りを回転可能な遊星システム１７，１７′とを含み、前記遊星システム１７，１７′は、駆動連結部１５，１３を有する。前記キャリヤはさらに、太陽システム７，９，９′への駆動接続を有し、少なくとも一つの月システム２９，３１を含むキャリヤであって、前記月システムは、前記月軸１９に沿って重なって互い違いに配置される少なくとも２つの月車２９を有し、前記月車２９の各々は少なくとも１つの工作物のための受容部を有し、前記太陽システムへの前記月システムの駆動接続は、少なくとも操作中は中断されることなく成立する。 （もっと読む）

【課題】蒸着ソースを提供する。
【解決手段】加熱炉と、加熱炉に熱を加えるように、加熱炉を覆い包みながら配された第１加熱部と、第１加熱部と所定間隔に離隔され、加熱炉を覆い包みながら配された第２加熱部と、を備え、第２加熱部は、それぞれ相互離隔された複数の副加熱部を備え、複数の副加熱部は、相互離隔された状態で加熱炉を覆い包む蒸着ソースである。前記副加熱部は、それぞれ前記加熱炉の異なる領域に対応するように配され、前記加熱炉の異なる領域を加熱する。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部１３４とを有する磁気記録層１２２を備えた磁気記録媒体１００において、磁気記録層は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の垂直磁気異方性定数Ｋｕを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、装置の大幅な改造を必要とせずに、所望の物理量を高精度かつ均一に有する薄膜の製造を可能にする薄膜の膜厚制御装置を提供することである。
【解決手段】成膜装置において、成膜中の薄膜の物理量を測定する物理量測定素子と、前記薄膜の物理量と所望の物理量とを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいて成膜条件及び／または成膜時間を制御する制御部とを備えることを特徴とする。これにより、所望の物理量を有する薄膜の製造において、所望の物理量を膜内に均一に有する薄膜の製造を可能とすることができる。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べ材料使用効率が高く、また、多数の基板に対して連続して成膜することができ、スループットの高い製造装置を提供することを課題とする。
【解決手段】予備加熱された有機材料を供給管を通して成膜室に導入し、さらに供給管の先端に設けられたノズルから加熱された容器に導入し、容器の加熱温度によって有機材料が蒸発し、容器と重なる位置に配置された基板に成膜が行われる成膜装置とする。有機材料を予備加熱することによって、基板への蒸着が開始できるまでに要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）