【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止する機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
コーティング膜成膜装置２０内で、フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂを大気圧より減圧下でフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２内に装填し、フィルムロール４２から連続的に支持体Ｂを送り出し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】 基板に帯電する負電荷が中和される様にする。
【解決手段】 真空チャンバー１内に、絶縁部材を介して取り付けられた基板ホルダー４、蒸発材料の加熱用電子銃９を有する蒸発源、真空チャンバー側壁及び底壁に沿って碍子２１を介して真空チャンバー側壁に取り付けられた防着板２０、真空チャンバー内に蒸発源から蒸発した蒸発粒子をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ発生源１１を備え、プラズマ発生源１１は、熱陰極１５と電子放出電極１７が配置されたケース１２と、熱陰極１５と電子引出電極１７との間に放電電圧を印加する放電電源を備え、ケース１２内で形成されたプラズマＰ１中の電子を放電電圧に基づいて真空チャンバー１内に引き出す様に成しているイオンプレーティング装置において、基板ホルダー４と真空チャンバー１壁間の電位を測定する直流電圧計２２と、この電位が基準値になる様に放電電圧をコントロールする制御装置２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】本件は、磁気記録媒体を作製する磁気記録媒体作製方法および基板上に成膜する成膜装置に関し、非磁性材料の必要以上の成膜を抑える。
【解決手段】非磁性材料の成膜の途中で成膜を中断して、又は成膜を実行しつつ、媒体表面にレーザビーム等のビームを照射して表面でのビームの散乱強度を測定し、一方、散乱強度と表面の平坦度との対応関係をあらかじめ求めておき、測定された散乱強度が所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了する。 （もっと読む）

【課題】磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット８０３ａから発生したスパッタ粒子のうち、基板８０４の法線との成す角度が０°以上５０°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板８０４に入射させるように、カソード８０２、ステージ８０１、および遮蔽板８０５の少なくとも１つの回転を制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板（７）上に金属合金被膜を蒸着するための真空蒸着設備を提供する。
【解決手段】 この設備は、閉鎖容器の形態の真空室（６）を含む蒸気発生器−混合器を備え、外部環境に対してその中に真空状態を確保するための手段を備え、かつ外部環境に対してなお本質的に封止されていながら、基板（７）の入口及び出口のための手段を備えており、前記閉鎖容器が、基板（７）の表面に向けてかつそれに垂直に音速で金属合金蒸気のジェットを作るように構成された、エジェクター（３）と称される蒸着ヘッドを含み、前記エジェクター（３）が別個の混合装置（１４）と封止連通され、混合装置（１４）が液体形態の異なる金属Ｍ１とＭ２を含む少なくとも二つのるつぼ（１１，１２）にそれぞれ上流でそれ自身連結されており、各るつぼ（１１，１２）が混合器（１４）にそれ自身のパイプ（４，４′）により連結されている。 （もっと読む）

本発明は、保護層、封入層、配向層のような機能層を、低エネルギー粒子ビーム付着プロセスによって電子デバイスの表面に製作する方法、前記方法によって得ることができる機能層、および該機能層を備えている電子デバイスに関する。
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【課題】クリーンルームにおいて光起電性モジュールをスパッタシステムへ輸送する際に、該モジュールの容易な回転、先のスパッタプロセスの検査、及び同じスパッタシステム又は生産システムの他の部位への該モジュールの新たな供給を可能にする。
【解決手段】本発明は、特に、クリーンルームにおいて光起電性モジュールをコーティングする際に、スパッタコーティングシステムへの基板ウエハ供給を反転する装置及び方法に関する。本装置及び方法は、ａ）光起電性モジュールの基板ウエハ（１９）を保持する輸送フレーム（１１）と、ｂ）輸送フレーム（１１）をマウントし、回転させ、輸送する手段を有する回転装置と、ｃ）回転装置をスパッタコーティングシステムに対して正確に整列させる手段と、ｄ）スパッタプロセスを検査する検知装置（１８）と、上記ステップを遂行するためのプログラムコードを有するコンピュータプログラムと、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に対して正確にマスクの位置合わせを行え、基板ホルダや周辺部への膜の付着を確実に防止することが可能なマスク位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】支柱軸方向の各回転軸を中心に回転する複数の支柱１０３と、複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させる手段と、マスク７０１と基板Ｗの位置ずれ量を検出する手段とを具備する。また、複数の支柱１０３の上面部にそれぞれの支柱の回転軸から所定距離だけずらしてマスク７０１を支持する支持ピン１０１を配置する。そして、マスク７０１と基板Ｗとの位置ずれ量に基づき複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させることによりマスク７０１を基板Ｗに対して位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】アーク放電の発生を防止し、かつ、パルスピーク電流値をできるだけ大きくしてスパッタ粒子のイオン化を促進できるスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】複数のスパッタ蒸発源に直流パルス電力を供給する電源装置を備えたスパッタ装置において、電源装置は、１台の直流電源と、電力貯蔵部に蓄えた電力を各スパッタ蒸発源毎に分配供給するパルス分配供給手段と、前記複数のスパッタ蒸発源の少なくとも一つに設けられて当該スパッタ蒸発源に流れる電流を測定するための電流センサと、該電流センサの出力に基づいて当該スパッタ蒸発源に流れるパルスピーク電流検出値を求めるパルスピーク電流検出部と、該パルスピーク電流検出部で検出したパルスピーク電流検出値がアーク放電を発生させないためのパルスピーク電流目標値を超えないように前記直流電源の出力を制御するパルスピーク電流制御部とを備える。 （もっと読む）

本発明は、真空被覆装置（３）の被覆チャンバ（１）内でテストガラス（２４，２４’’）を選択的に被覆しかつ光学的に測定するためのテストガラス変動システム（１０）に関する。被覆チャンバ（１）内では、基板（７）がターンテーブル（２）によって、被覆材料の流れを通る軌道において案内される。テストガラス変動システム（１０）は、テストガラス（２４，２４’’）を収容するためのテストガラスプレート（２６）と、このテストガラスプレート（２６）を選択的に覆うためのカバー（２８，２８’’）とを備えたテストガラスホルダ（８，８’）を有している。さらに、テストガラス変動システム（１０）は、ターンテーブル（２）の回動軸線（５）に対してほぼ平行に方向付けられた軸線（５’）を中心としてテストガラスプレート（２６）を回動させるための回動装置（３４）を有している。テストガラスホルダ（８，８’’）は、ユニットとしてターンテーブル（２）に位置決め可能であり、被覆チャンバ（１）から取出し可能である。
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【課題】成膜において発生する搬送ローラ上でのフィルムのスリップ検出方法及び検出装置と、このスリップの検出結果に基づいて、成膜工程でのフィルムの搬送状態を監視し、搬送時のフィルムに掛かる張力などの条件を制御することで、スリップの発生を抑制し、スリップによる傷の発生を防ぐフィルムの成膜装置を提供する。
【解決手段】皮膜を表面に備えるフィルムを、少なくとも２個の搬送ローラを介して搬送するフィルム搬送装置に用いられるフィルムのスリップ検出方法であって、前記少なくとも２個の搬送ローラ間を搬送されるフィルムに付加した振動波の変化から、前記搬送ローラで発生する前記フィルムのスリップ状態を検出することを特徴とするフィルムのスリップ検出方法。 （もっと読む）

【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットＴの表面から基板Ｂ側に２〜３ｃｍ離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１０Ｖ以内に調整して、成膜を行う。ターゲットＴの表面から基板２０側に２〜３ｃｍ離れた位置におけるガス圧力の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１．５％以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルム基板上に、物理気相成長法により酸化物誘電体膜層と吸収膜層を交互に積層してなり、可視波長域における各波長の透過率の均一性に優れた吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供する。
【解決手段】 酸化物誘電体膜層がＳｉＣ及びＳｉを主成分とする成膜材料を原料として成膜されたＳｉＣｙＯｘ（ただし、０＜ｙ≦０.１、１.５＜ｘ＜２）膜であり、吸収膜層がＮｉ−１８〜３２重量％Ｗ合金の成膜材料を原料として成膜された金属膜でであって、吸収型多層膜の最外層及び最内層が酸化物誘電体膜層で構成されている。この吸収型多層膜ＮＤフィルターの可視波長域（４００〜７００ｎｍ）における透過率均一性は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】均質な薄膜を長時間に渡って形成することが可能な薄膜の製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】この発明に従った薄膜の製造方法は、基板準備工程と、基板と対向する位置にターゲット材を準備する工程と、ターゲット材にエネルギー線としてのレーザ光を照射することにより、ターゲット材から放出される原子を含むプルームを形成し、プルームに含まれる原子を基板表面上に供給することにより薄膜を形成する成膜工程とを備える。成膜工程では、工程（Ｓ２１）〜工程（Ｓ２４）に示すようにプルームの発光強度に応じて基板とターゲット材との間の距離が調整される。 （もっと読む）

【課題】 電子部品となるような短冊状基板の両面に同時に成膜する方法であって、均一に成膜された短冊状基板の成膜方法の提供を目的とする。
【解決手段】 マグネトロン方式スパッタリング装置を使用し、短冊状基板を取り付けた基板固定冶具を基板ホルダーに設置し、同時に短冊状基板の両面に成膜する方法であって、短冊状基板をスパッタ源の法線方向に対して0度±10度の範囲となるように設置し、基板ホルダーを回転させ、基板に負のパルスバイアス電圧を印加し、負のパルスバイアス電圧を100V以上1000V以下の範囲とし、かつ電源offの継続時間t-offと電源onの継続時間t-onの比であるt-off/t-onを0.1≦ t-off/t-on ≦ 1の範囲として、短冊状基板の両面へ同時に成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】再現性よく安定して製造可能なグラデーション濃度分布を有する吸収型多層膜ＮＤフィルターとその製造装置、製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基板13、16に酸化物誘電体膜層と金属吸収膜層が交互に積層されて成る吸収型多層膜を具備し、この吸収型多層膜がグラデーション濃度分布を有している吸収型多層膜ＮＤフィルターであって、酸化物誘電体膜層はマグネトロンスパッタリングにより成膜され、金属吸収膜層はイオンビームスパッタリングにより成膜されると共に、各金属吸収膜層の成膜中に酸素を含む酸化用イオンビームが部分照射されて照射部位における金属吸収膜層の透過率が非照射部位の透過率より高くなっており、かつ、照射された酸化用イオンビームの周辺部から中心部に向かって金属吸収膜層の消衰係数が連続的に減少して上記照射部位がグラデーション濃度分布を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内部応力が小さい酸化亜鉛薄膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明基材上に蒸着プロセスを経て形成される酸化亜鉛薄膜であり、該薄膜はＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により酸化亜鉛の（００２）面からの回折線が得られ、最大ピーク強度Ｉｆ（ｃｐｓ：酸化亜鉛）を膜厚（ｎｍ）と透明基材が示すハローの最大ピーク強度Ｉｓ（ｃｐｓ：透明基材）とで除した数が０．１５以下とすることとし、さらに該薄膜の波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９８以下とすること。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと磁石ユニットとの距離の調整の自由度を高めることができるスパッタリングカソードを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリングカソードは、ターゲット１の裏面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニット７と、ターゲット１と磁石ユニット７との間の距離を各々の磁石ユニット７ごとに個別に調節する距離調節機構とを有する。また、スパッタリングカソードは、複数の磁石ユニット７をターゲットの裏面に平行に往復移動させる往復移動機構を有する。複数の磁石ユニット７、距離調節機構及び往復移動機構を、真空排気することが可能な磁石室に収容しても良い。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ裏面生じた突起を容易かつ高精度に判別できるシリコンウェーハ裏面の突起検査方法およびこれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの裏面に生じた突起を検査する方法であって、シリコンウェーハ裏面を所定の半径幅ごとおよび所定の中心角範囲ごとに区切ることによって、シリコンウェーハ裏面を複数のセルＣｅの集合体として仮想分割する準備ステップと、セルＣｅごとに、光照射により形成される干渉縞をもとに前記突起の有無を判別する評価ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）