【課題】
本発明は、このような実情に鑑み、従来より高精度の組成比変化にて、多元化合物を一
度の蒸着にて生成できる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の多元化合物作製装置は、一つの蒸着室内に、蒸着材料を蒸発させる材料蒸発機構と、前記材料蒸発機構からの蒸気により蒸着される基材を保持する基材保持部と、この基材保持部と前記材料蒸発機構との間に配置した蒸気通過用開口部を持つマスクと、このマスクを前記基材の蒸着面に沿って移動させるマスク移動機構とを有する多元化合物作製装置であって、前記マスクと基材に蒸着面との間隔を調整する間隔調整手段が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数枚のターゲットを並設し、この並設したターゲットに、複数台のバイポーラパルス電源を介してバイポーラパルス状に電力投入してスパッタリング法を実施する際に、簡単な制御でスイッチングノイズの影響を受け難くしてターゲットに精度よく投入電力できるようにする。
【解決手段】 対をなすターゲット毎に、直流電力供給源からの正負の直流出力端に接続したブリッジ回路５２の各スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４のオン、オフを切換えてバイポーラパルス状に電力供給し、各ターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法において、前記直流電力供給源からの正負の直流出力間に設けた出力短絡用スイッチング素子ＳＷ０の短絡状態で前記スイッチング素子のオン、オフの切換えを行うと共に、出力短絡用スイッチング素子の切換えのタイミングをブリッジ回路毎に相互にずらす。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】チャンバ５１内のステージ５８上に載置されたウェハ５７に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ５６から発生する紫外光ＵＶのモニタを行う場合、電圧源８７により、負のバイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）をセンサ７０へ印加する。すると、プラズマ５６から発生した紫外光ＵＶが、センサ７０にて誘起電流として測定され、この誘導電流が電流計８８にてリアルタイムに計測される。これにより、誘導電流を紫外光ＵＶによるセンサ７０へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。センサ７０は、ＲＦバイアス電圧の印加されないチャンバ５１の上部に設置されているので、このセンサ７０がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。 （もっと読む）

【課題】蒸気飛散分布を安定化させることにより、所望の膜厚の薄膜を得ることが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】内部に前記被処理基板が配置されたチャンバ１２と、該チャンバ１２内部に配置され蒸着材料を収容する容器２１と、該蒸着材料を加熱する加熱手段３０と、蒸着材料の重量を測定する重量測定部４０と、容器２１に蒸着材料を供給する材料供給部５０と、重量測定部４０により測定された重量が所定の値に到達したとき、容器２１に所定量の蒸着材料を供給するように材料供給部５０を制御する制御部６０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたホールの内部にスパッタリングにより成膜した貴金属膜の厚みを、ホールの両サイドで対称なものとすることができ、したがって、貴金属膜に断線等の不具合が生じる虞がなく、信頼性をより向上させることができる貴金属膜の成膜装置及び貴金属膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の貴金属膜の成膜装置は、基板２３に形成されたホールの内部に貴金属膜をスパッタリングにより成膜する装置であり、ターゲット２４と、このターゲット２４に対向配置されるステージ２２と、ターゲット２４にスパッタリング電力Ｐ_ｔ（Ｗ）を印加する電源２６とを備え、ターゲットの直径Ｔと、ターゲット２４とステージ２２上の基板２３との距離Ｌとの比Ｌ／Ｔを、０．５以上かつ１．５以下の範囲で変更可能とした。 （もっと読む）

【課題】長尺の基材フィルムを一度に投入でき、かつ連続成膜した導電性薄膜の抵抗値分布を保証し制御することができるとともに均一な膜質の導電性薄膜を連続して形成できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】ロール・トゥ・ロール方式真空成膜装置５０において、導電性フィルム５８の表面抵抗値を測定する非接触式の抵抗測定手段５６に加えて、成膜手段５５ｂと巻取り手段５４との間に導電性フィルム５８の光線透過率及び／または光線反射率を連続して計測する光線測定手段６０と、抵抗測定手段５６で測定された表面抵抗値及び光線測定手段６０で計測された光線透過率及び／または光線反射率に基づいて導電性薄膜の膜特性が均一になるように成膜手段５５ａ，５５ｂの成膜条件を調整する制御手段６５を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】配向した窒化タンタル膜が配された電子デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。前記のことから（１００）配向した窒化タンタル膜から構成された電子デバイス用の（１１１）配向した基板１０を提案する。 （もっと読む）

【課題】カルーセルのような回転ドラムを使用した成膜において、カルーセルの回転軸と装置本体の軸受けの非常に微小な偏芯が製品の特性バラツキに影響を及ぼす。
【解決手段】チャンバーであるチャンバー３内に円筒状または多角形状のドラムが回転可能に設けられ、該ドラムの外周面上に基板１０が格納される基板ホルダ９が取り付けられ、該ドラムが垂直な回転軸の周りを回転しながら基板１０に成膜するカルーセル型のスパッタ成膜装置において、チャンバーであるチャンバー３内壁に設けられ基板１０に成膜するターゲット７，８と、基板ホルダ９がターゲット７、８と正面に対向した位置のターゲットと基板１０との距離を測定して回転ドラムの偏芯量を測定する偏芯測定装置１３と、を備え、偏芯測定装置１３からの出力により、各基板ターゲットに対応してターゲット電力を修正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時スパッタ数の多い多元スパッタリング装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板とターゲット電極との間に、第１及び第２のシャッター板を設け、該シャッター板によって対象となるターゲットと基板との間を遮断してプリスパッタ工程を行う。また、本スパッタ工程に移行する際に、第１及び第２のシャッター板を適宜回転させて、該シャッター板に設けた貫通孔を重ねることで対象となるターゲットと基板との間を開放して本スパッタ工程を行う。 （もっと読む）

【課題】諸特性に優れるカルコパイライト型太陽電池を効率よく生産する。
【解決手段】バッファ層上に透明電極層を形成するに際しては、ＤＣスパッタ法を採用する。この際、ターゲットから蒸発する粒子中に１０ｅＶ以上のエネルギを有するものが占める割合を７％以上とするべく、前記ターゲットとガラス基板との間の距離（離間距離）と、供給ガスの圧力との積が４．８ｃｍ・Ｐａ以下となるように、離間距離及び圧力を設定する。さらに、透明電極層を形成した後に熱処理を施し、バッファ層ないし光吸収層、又は透明電極層の結晶構造中に存在する点欠陥等の欠陥を修復して元の結晶構造に復元する。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が良く、膜質が優れた膜を基板に形成することができ、しかも成膜材料の無駄を抑制できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着方法は、真空容器内で複数の蒸発源を用いて蒸着により基板の表面に膜を形成するものである。蒸発源は上方に開口部を有し、内部に成膜材料が収納される加熱容器、この底部から所定の高さの位置の温度を測定する温度センサ、加熱容器を加熱する加熱部を備え、成膜材料を蒸発させるものである。基板に膜を形成するに際して、各蒸発源について、所定の温度に達した後からの温度センサにより測定された温度の平均値を求め、温度センサによる温度の測定値が、平均値に所定の温度差値を足した値以上になったとき、温度が達した蒸発源における成膜材料の蒸発を停止させる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の比較的大面積の基板に成膜が可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板４ａ，４ｂの表面に、同時に成膜が可能なスパッタリング装置Ｘ_０であって、基板４ａ，４ｂの表面に成膜される薄膜の材料から構成されたターゲット２と、ターゲット２と対向して配置される基板４ａ，４ｂを保持可能に構成された基板ホルダ３ａ，３ｂと、基板４ａ，４ｂをそれぞれ保持する複数個の基板ホルダ３ａ，３ｂを取り付けた成膜トレー１と、を有し、基板４ａ，４ｂは、基板４ａ，４ｂが成膜トレー１に対し所定の角度（α）を有するように傾斜させて基板ホルダ３ａ，３ｂに取り付けられたスパッタリング装置Ｘ_０。 （もっと読む）

【課題】本願発明の課題は、残留圧縮応力を適切に制御して高い密着性を維持しながら、高硬度、耐摩耗性に優れた厚膜の硬質皮膜被覆部材を提供することである。
【解決手段】本願発明の硬質皮膜被覆部材において、硬質皮膜は、（Ｍｅ１−ａＸａ）α（Ｎ１−ｘ−ｙＣｘＯｙ）、で表され、但し、Ｍｅは周期律表４ａ、５ａ、６ａ族元素から選択される１種以上の元素、Ｘは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素、１０≦ａ≦６５、０≦ｘ≦１０、０≦ｙ≦１０、０．８５≦α≦１．２５であり、硬質皮膜は面心立方構造を有し、硬質皮膜のＸ線回折における、０．２≦（２００）／（１１１）≦１．２、０．２≦（２２０）／（２００）≦１．０、であり、（１１１）面の半価幅をＷ（度）としたときに、Ｗ≦０．７であり、硬質皮膜の膜厚Ｔ（μｍ）としたとき、５≦Ｔ≦３０、であることを特徴とする硬質皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

これまで得られていたものよりも１または２桁低い圧力で高速の堆積を可能にする新規のスパッタ源が開示される。これにより、基板のイオンおよび電子損傷が低減されたより高密度の膜がもたらされる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ熱を充分に抑制することができ、連続膜形成における被処理体に形成される膜質の変化およびターゲットの表面荒れを抑制し、安定した膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット５を冷却するターゲット冷却手段１５２と、被処理体４を冷却する被処理体冷却手段１２４と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に設けられ、被処理体４の膜形成部分を除く残余の部分への膜の形成を阻止するシールド２と、シールド２を冷却するシールド冷却手段１５０と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に介在され、被処理体保持手段に保持される被処理体４の膜形成部分への膜の形成を阻止する阻止位置と、阻止位置から退避した退避位置とにわたって変位可能に設けられるシャッタ３と、シャッタ３を冷却するシャッタ冷却手段１５１とを含むスパッタリング装置１で、被処理体４に膜を形成する。 （もっと読む）

基板に形成された高いアスペクト比を有するキャビティの表面上に、絶縁層をスパッタ堆積するための方法および装置が提供される。絶縁層に含まれる材料から少なくとも一部が形成されるターゲットおよび基板が、ハウジングによって画定される実質的に閉鎖されたチャンバ内に設けられる。実質的に閉鎖されたチャンバ内でプラズマが点火され、少なくとも一部がターゲットの表面の近傍にプラズマを含むように磁界がターゲットの表面の近傍に生成される。カソードとアノードとの間に高出力電気パルスを反復的に確立するように、電圧を急速に上昇させる。電気パルスの平均出力は少なくとも０．１ｋＷであり、任意でより大きくすることができる。スパッタ堆積の動作パラメータは、金属モードと反応モードとの間の移行モードで、絶縁層のスパッタ堆積を促進するように制御される。
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【課題】データの変更に容易に対応し、データを容易に管理することを可能にする。
【解決手段】制御コントローラ７７〜７９と、該制御コントローラによって駆動制御される制御対象物と、前記制御コントローラに前記制御対象物を駆動させるための指示を発する主制御部６７とを備え、前記主制御部６７は、前記制御対象物と、前記制御対象物が収集する収集可能データと、前記制御コントローラ７７〜７９の識別子とを関連付けたテーブルを有し、前記収集可能データを変更する場合、前記識別子を変更して新規にテーブルを作成する。 （もっと読む）

【課題】半導体や各種造形物または各種切削工具等の目的物の表面に薄膜をコーティングする場合、その薄膜の組成比を薄膜の深さ方向に連続的に変化させることはもちろん、その用途によって組成比を選択して薄膜を蒸着させることで、薄膜の蒸着特性を向上させる拡散薄膜蒸着方法及び装置を提供する。
【解決手段】
一つ以上の薄膜物質を目的物に誘導及び蒸着するため、バイアス電圧、ガス量、アークパワー及びスパッタリングパワーの内いずれか１個以上の工程要素の値を、連続的に変化するように印加し、目的物表面のイオン衝突エネルギーを変化させることで拡散薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着源が固定されて駆動軸により上下に移動される棚が、カウンターウェイトが装着された滑車と締結することによって、蒸着源及び棚の全体の重さが顕著に低減し、自重が減少した棚を往復移動させるための駆動装置の駆動力も小容量化になることができるとともに、カウンターウェイトによって軽減された棚の重さが望ましくは“０（ｚｅｒｏ）”になるようにして棚の正確な位置移動が可能になり、落下をあらかじめ除去できるようになった蒸着源用移動装置を提供する。
【解決手段】蒸着機が搭載／固定された棚と、この棚が選択的に垂直往復移動されることができるように連動設置された駆動軸と、棚が一端部と締結されて、カウンターウェイトが他端部に装着された重さの軽減部材と、が具備されてなされることを特徴とする蒸着源用移動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の際に、有機ＥＬ素子へのダメージ及びそれに起因する有機ＥＬ素子の素子特性の劣化を良好に抑制する有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、成膜材料源２２の表面のビーム照射位置Ｔにおける垂線ＴＺについて、ビーム照射位置Ｔからビームの入射方向に延びる直線ＴＢと線対称な直線をＴＢ’とし、成膜材料源２２に対向するように設けた基板１１の成膜予定領域の中心をＳとしたとき、直線ＴＢ’と直線ＴＳとのなす劣角が２０°以上となるように基板１１を配置した状態で成膜材料源２２へビーム照射を行う。 （もっと読む）