【課題】ガイドローラーを介して移送される超伝導テープの損傷を少なく、長尺のテープを変形なく蒸着する、ガイドローラーを備えた長尺テープ用蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバーの内部からテープを引き出す供給リール１０と、供給リール１０から離隔して位置しテープを移送しながら超伝導層を真空蒸着する移送蒸着部１００と、前記移送装置部から離隔して位置し真空蒸着されたテープを収去するように回転する収去リール２０とからなり、移送蒸着部１００は、テープを外周面の一側に多数回巻きながらテープを移送するドラム３０と、ドラム３０から離隔して設けられ外周面に一定の間隔で設けられた溝と突部を有する多数のローラーからなり、多数のローラーは、テープ及び突部の幅の分だけはずれて形成されるようにドラム３０の回転軸に対して一定の角度傾いており、外周面にテープが巻かれるように設けられたガイドローラー１１０とを含んでなる。 （もっと読む）

本発明は、アークソースを作動させる方法に関するものであり、電気火花放電がターゲット（５）の表面で点火または作動し、火花放電には、直流電圧ＤＶが割り当てられた直流電流と、周期的に印加される電圧信号によって生成されるパルス電流とが同時に供給される。このときアークソースの電圧は数マイクロ秒のうちに上昇し、または、電圧信号の信号形状は実質的に自由に調整可能である。
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【課題】 光学薄膜を成膜する際のパーティクルを抑えることが可能な光学薄膜の成膜装置及びその装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバの内周面に、その周面に基材を保持することが可能な回転ドラムを備え、前記回転ドラムの周方向に、防着板により区割された金属ターゲットをスパッタリングするための成膜領域と、スパッタリングされた金属薄膜を酸化するための酸化領域とを備え、前記各領域に基材を通過させ、前記基材上に光学薄膜を成膜するための装置であって、前記防着板に温度制御手段を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発散角やビームの傾きが変化しても、イオン注入量を高精度で制御するイオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン源部と、加減速部と、イオンビーム遮断部と、イオンビームの発散角とビームの傾きの少なくともいずれかを測定する測定部と、基板を保持する基板保持部と、制御部と、を備え、制御部は、測定部により測定された発散角とビームの傾きの少なくともいずれかの測定値に基づいて、基板へのイオン注入量が所定の範囲内に管理されるように、イオン注入の処理条件を補正して、イオン源部、加減速部、イオンビーム遮断部及び基板保持部のうちの少なくとも１つの動作を制御することを特徴とするイオン注入装置、イオン注入方法、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハの中心位置及び回転位置（回転角）を正確に計測し位置ずれを確認することができる画像処理装置を提供する。
【解決手段】トランスファチャンバ４の外側からに設置され、トランスファチャンバ４に設けられたビューポートを介してウエハ３の少なくとも輪郭線（エッジ部）を含む画像を撮像する１つの撮像カメラ２と、撮像カメラ２で撮像された画像から抽出したウエハのエッジ位置データを用いて、ウエハ３の輪郭を示す関係式を求め、この関係式に基づいてウエハ３の位置を計測する計測部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを低下させることなく、基板上に形成される薄膜の厚み分布を改善できる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空槽内の略中央付近に軸線Ｚ１の回りに自転するメインドラム６を配置し、中心付近の領域には筒状の反応プロセスゾーン３０を配置する。メインドラム６の外周には開口窓６６がドラムの自転方向に沿って複数形成してあり、この開口窓６６を通じてメインドラム６内側の反応プロセスゾーン３０と、メインドラム６外側の成膜プロセスゾーン２０とが連通する。メインドラム６の内側には、軸線Ｚ１と同心の円上に沿って、かつ略等分周した位置に４つの軸線Ｚ２が形成してあり、各軸線Ｚ２の回りに回転するサブドラム１２が配置してある。サブドラム１２の外周には基板ホルダ１４が装着してあり、サブドラム１２の自転と同期して基板ホルダ１４も回転する。メインドラム６の回転速度とサブドラム１２の回転速度はそれぞれ独立に制御される。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタ方法およびスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型ならびに硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】（Ｎｂ_x Ｍ_1-x ）_y （Ｂ_a Ｃ_b Ｎ_1-a-b ）_1-y からなる硬質皮膜であって下記式(1) 〜(5) を満たすことを特徴とする硬質皮膜等〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＮｂの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示し、ｙは（Ｎｂ_x Ｍ_1-x ）の比、１−ｙは（Ｂ_a Ｃ_b Ｎ_1-a-b ）の比を示すものである。〕 ０．２≦ｘ≦１．０--式(1) 、０≦ａ≦０．３--式(2) 、０≦１−ａ−ｂ≦０．５--式(3) 、 ０．５≦ｂ≦１--式(4) 、０．４≦１−ｙ≦０．９--式(5) 。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバーを設置した後においても、ユーザーの要望等によって真空チャンバーの形状や大きさを簡易に変更することができるようにする。
【解決手段】 真空チャンバー１が、長方形状に形成されたチャンバー本体２と、チャンバー本体２の両側面にボルト留めで取り外し自在に密着接合される３角形状の側面枠３ａ、３ｂと、チャンバー本体２と側面枠３ａ、３ｂのそれぞれの開口している上面に接合される上板６、９ａ、９ｂと、チャンバー本体２と側面枠３ａ、３ｂのそれぞれの開口している底面に接合される底板７と、に分割自在に構成されているので、ユーザーの要望等によって真空チャンバーの形状や大きさを簡易に変更することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を密着して保持することができ、基板の温度を正確に調整することができ、基板に高品質な膜を成膜を形成することができる真空成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板と当接する基板保持面を備え、基板保持面が曲面形状であるホルダと、基板と基体支持面との接触状態を検出する接触検出機構と、ホルダの基板保持面の外側に配置され、基板の端面に対して荷重を付与し、基板を支持する荷重付与機構と、接触検出機構の出力に基づいて荷重付与機構が基板に付与する荷重を制御する制御部とを有する構成とすることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】膜内の組成分布が均一で、かつ低屈折率の薄膜を形成することができる低屈折率膜の成膜方法及び該低屈折率膜の成膜方法で成膜される低屈折率膜を提供し、さらに該低屈折率膜を用いた反射防止膜を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法によりＭｇＦ₂−ＳｉＯ₂からなる低屈折率膜を基板１１上に成膜する低屈折率膜の成膜方法において、ＭｇＦ₂−ＳｉＯ₂の焼結体であるターゲット４Ａを用い、不活性ガスとＯ₂の混合ガス雰囲気下で前記基板１１とターゲット４Ａとの間に周波数２０〜９０ｋＨｚの交流電圧を印加してスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の各画素に同一マスクを用いて複数の非共通層を蒸着した場合の位置ずれによる蒸着欠陥を低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子のキャリア輸送層と発光層を同一のマスク２０を用いて連続的に成膜する。キャリア輸送層の蒸着によって発生するマスク２０と基板１０の熱膨張に伴う変位の差分に応じて、発光層の蒸着工程においては、両側のポイントソース３１ａ、３１ｃの放射角θ２をキャリア輸送層の蒸着時より広げて蒸着する。キャリア輸送層の外縁を囲むように発光層の外縁部を回り込ませることで発光層に欠陥が発生するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れる第１層と、耐熱性に優れる第２層との密着強度を改善して、第２層に緻密なアルミニウム系酸窒化皮膜を形成し、切削工具の寿命を改善した被覆切削工具を提供することである。
【解決手段】硬質皮膜を被覆した被覆切削工具において、該硬質皮膜は少なくとも２層の異なる組成を有した積層構造を有し、該硬質皮膜は基材から表層方向へ向かって第１層、第２層が積層され、該第１層は、少なくともＳｉを含有する窒化物、酸窒化物から選択される１種以上の化合物層であり、該第２層は、少なくともＡｌを含有する酸化物、酸窒化物から選択される１種以上の化合物層であること、を特徴とする被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】人為的ミスを生じることなく校正を短時間に正確に行うことができるイオン注入装置用の質量分析システムとその校正方法を提供する。
【解決手段】ビーム中のイオン種の質量を測定する質量分析器１０と、２種以上の既知の不活性ガスからなる校正用ガス１１が充填された校正用ガスボンベ１２ａと、校正用ガスボンベからイオン注入装置のイオン源として校正用ガスを遮断可能に供給する校正ガスライン１３と、校正用ガスを用いて校正用ガスのイオンビーム２を発生させて質量分析器１０の校正を行う校正処理装置１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ライン型蒸発源の設置間隔を狭く設定すると、メンテナンス性が悪くなる。
【解決手段】蒸着装置の構成として、Ｙ方向に並べて設けられた複数のライン型蒸発源３と、複数のライン型蒸発源３を、当該ライン型蒸発源の並び方向Ｙ及び／又は長手方向Ｘに個別に移動可能に支持する移動支持手段（１１〜１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜する膜の組成に応じた組成のターゲットと基板とを対向配置させ、スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法によりターゲットの構成元素を放出させて基板上にターゲットの構成元素からなる圧電膜を成膜する圧電膜の成膜方法において、成膜温度Ｔｓ（℃）と、基板−ターゲット間距離Ｄ（ｍｍ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）、又は（３）及び（４）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
４００≦Ｔｓ（℃）≦５００・・・（１）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦８０・・・（２）、
５００≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦１００・・・（４） （もっと読む）

【課題】ブランクス間及びブランクス面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。
【解決手段】透明基板６上に、少なくともパターンを形成するための薄膜を有する、フォトマスクブランクのＤＣマグネトロンスパッタリング法による製造方法において、基板６の平面からなる被成膜面を上方に向けて水平面上で回転させ、被成膜面に対して傾斜して対向した単一のターゲット５をスパッタリングすることによって薄膜を成膜し、かつ、成膜の開始から成膜の終了までの間で前記透明基板を整数回回転させて成膜を行うフォトマスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をＴｉＮとし、シリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＴｉＮ微粒子１２を、直径３ｎｍ程度に設定して堆積した後、ＴｉＮ微粒子１２が堆積されたシリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＣｏ微粒子１３を、ＴｉＮ微粒子１２と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径１ｎｍ程度に設定して堆積する。 （もっと読む）