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Fターム[4K029EA00]の内容

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Fターム[4K029EA00]に分類される特許

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【課題】真空チャンバ内のパーティクルに起因する不具合の発生を確実に防止することのできる真空成膜装置、真空成膜方法および、この真空成膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ11内で素子基板2に成膜を行うマスク蒸着装置10において、パーティクルモニタ17によって真空チャンバ11内のパーティクルを監視し、パーティクル量が所定値未満のときには真空チャンバ11内で成膜処理を行う。これに対して、パーティクル量が所定値以上のときには、ガス導入装置14による真空チャンバ11内への窒素ガスの導入と、低真空用真空引き装置15による真空チャンバ11内の真空引きとを行う清浄化処理を実施する。 (もっと読む)


【課題】基材との密着性を確保すると共に、非晶質炭素皮膜との密着性も確保できる、中間層の役割を果たすことができる、皮膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属ターゲットの金属をアーク放電によりイオン化させると共に、基材にバイアス電圧を印加することにより、前記基材の表面に前記イオン化した金属を付着させて、前記金属からなる皮膜を成膜する工程を少なくとも含む皮膜を成膜する方法であって、該金属皮膜の成膜工程において、前記成膜開始時の前記バイアス電圧の大きさを少なくとも500V以上とし、前記成膜終了時の前記バイアス電圧の大きさを少なくとも100V以下とし、前記成膜開始時から前記成膜終了時まで、前記バイアス電圧の大きさを傾斜的に減少させながら前記金属皮膜の成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に対して複数の蒸着エリアで順次、蒸着を行うインライン式蒸着装置、および成膜方法において、特定の蒸着エリアで成膜される薄膜の膜厚のみを容易かつ確実に調整することのできる構成を提供すること。
【解決手段】インライン式蒸着装置100において成膜を行なった際、各蒸着エリア51〜53で被処理基板20に形成される薄膜の膜厚バランスがずれている場合、被処理基板20の搬送速度、および坩堝45での蒸着材料の加熱温度は変更せずに、蒸気流供給量制御用シャッタ11、12、13のスリット状開口部14の幅寸法を調整する。 (もっと読む)


【課題】基板載置台に基板を載置し、基板載置台を回転させて加熱しながら基板に処理を施す際、簡単に取付けることができ、且つ半導体基板処理装置の処理炉内に設置せずに基板の位置ズレを高精度に検出するための基板位置ズレ検出方法及び基板位置ズレ検出装置
を提供する。
【解決手段】半導体基板処理装置が具備する基板載置台4に基板5を載置し、基板載置台4を回転させて加熱しながら基板5に処理を施す際、基板5の基板載置台4における位置ズレを検出する方法及びその装置1であって、基板載置台4の上方に設置してある熱放射量測定機2によって基板5又は基板載置台4の熱放射量を測定し、該測定値を演算機3により判定することにより基板5の位置ズレを検出することを特徴とする基板位置ズレ検出方法及び基板位置ズレ検出装置1。 (もっと読む)


【課題】EB−PVDチャンバ内部の溶融プールの一定の相対液面を監視して維持するように設計された、独立したシステムを備えるEB−PVD装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム物理蒸着装置において送り速度を調整する方法は、電子ビーム物理蒸着装置のチャンバ内部の第1の高さにターゲットを位置決めするステップと、電子ビーム物理蒸着装置の電子銃によって生成される電子ビームの中に所定の速度でターゲットを送るステップと、電子のビームでターゲットを蒸発させるステップと、チャンバに近接して配置された光センサを使用してターゲットの少なくとも1つの画像の第1の光強度と第2の光強度の差を測定することによって第1の高さを監視するステップと、第1の高さの変化を求めるステップと、ターゲット送り速度を調整するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】 成膜時にチャンバ雰囲気に全く影響を与えずにチャンバ内の水をモニターすること。
【解決手段】 基板に成膜を行うためのチャンバを有した成膜装置において、該チャンバ内の水分量を検出する方法であって、
前記水分量の検出は、テラヘルツ領域の周波数を有する電磁波を前記チャンバ内に導入する工程と、前記導入した電磁波を検出する工程を含み、前記検出した電磁波の水のスペクトルピークに基づいて水分量を検出する。 (もっと読む)


【課題】量産に適したスパッタ法において非酸化物からなる磁性層上に酸化物をスパッタ成膜する場合でも、磁性層が酸化されることを抑制することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置を提供するとともに、それによって、RA値が低く抑えられた積層膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜形成方法は、チャンバー内に飛散した酸化物によって、部材の表面に前記酸化物の薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記部材を前記チャンバーに格納する格納ステップと、前記チャンバー内に酸素を吸着する吸着部を設置することで、前記チャンバー内の余剰酸素を吸着する吸着ステップとを備える。 (もっと読む)


【課題】In−situで安定した測定を行うことのできる反り測定システム、反り測定方法、及び成膜システムを提供する。
【解決手段】鉛直上下方向に移動可能であり、成膜用ホルダに載置されたウエハの外周部を支持して持ち上げるウエハ持ち上げ機構と、持ち上げられた前記ウエハの所定位置の高さを検出する高さ測定機構と、制御部とを具備する。前記ウエハ持ち上げ機構は、成膜チャンバ内で前記ウエハを支持する。前記制御部は、前記ウエハの成膜前後に、前記ウエハを支持した状態で前記ウエハ持ち上げ機構を測定用高さに位置させ、持ち上げられた前記ウエハの高さを測定し、成膜前後の前記ウエハの高さデータに基いて、成膜前後での前記ウエハの反り変化量を算出する。 (もっと読む)


【課題】 耐欠損性が高くチッピングや欠損が発生しにくい表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 基体2の表面に、第1被覆層3と、柱状結晶から構成されて前記基体の表面の垂線方向に対して平均で1〜15°の角度で斜めの方向に成長した第2被覆層4とを順次被覆していることによって、硬質被覆層5に衝撃がかかっても第2被覆層4から伝わる力が分散して第1被覆層3には衝撃が伝わりにくくクラックが進展しにくくなる結果、硬質被覆層5に発生するチッピングや大きな欠損を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 基板の第1部分に導電性領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、パルス変調電気バイアスの下で実質的に完全に電離した金属イオンのフィルタリングされたビームに第1部分を露出させる工程を含む。本方法は、FCVA(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。また本方法は、バイアおよびトレンチを充填した導電性配線の形成も可能にする。実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。基板に金属を堆積する適応FCVA装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。制御装置は、既存のフィルタリングされたイオンビーム源内に組み込むのに適している。 (もっと読む)


【課題】蒸着時における蛍光体層の成長を良好にすることができ、すなわち、蒸着の初期から高精度で安定した蛍光体層を形成することができ、平面放射線画像検出器において、放射線画像の読み取り面から均一に発光光を射出することを可能にする蛍光体層の形成方法を提供することにある。
【解決手段】FPDの蛍光体層を真空蒸着で形成するに際し、溶融した蒸着材料の温度が、予め設定した温度に対して±5℃以内であり、かつ、蒸着材料の温度分布が±5℃以内である第1の条件、蒸着材料を収容する容器の温度が、予め設定した温度に対して±3℃以内であり、かつ、容器の温度分布が±3℃以内である第2の条件、および、蒸着速度の変動幅が、予め設定した蒸着速度に対して±7%以内である第3の条件のうちの少なくとも1つの条件を満たした後に、支持体に蛍光体層の蒸着を開始することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


InGaN などの材料の成長面に、走査鏡などで所望の位置へと導いた小径レーザービームを当てて露光させる。露光点での物性を変更できる。或る実施形態においては、レーザーにあてた箇所で、選択した材料のモル分率を低減する。或る実施形態においては、材料を、MBE室内もしくはCVD室内で成長させる。 (もっと読む)


【課題】真空蒸着法を用いて透明高分子フィルム基材の上に酸化珪素膜を蒸着したフィルムで、着色せず透明であり、かつ、ガスバリア性能を有する、両面の利点を兼ね備えた透明ガスバリア性フィルムを得る。
【解決手段】減圧下で酸化珪素材料をビーム加熱蒸着法により蒸発させることで酸化珪素粒子を得、かつ、前記酸化珪素材料の近傍に水蒸気および二酸化炭素の反応性ガスを導入し、前記酸化珪素粒子を透明高分子フィルム基材の片面もしくは両面に蒸着することで前記透明高分子フィルム基材上に酸化珪素膜を形成することで透明ガスバリア性フィルムを製造する。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバーを開放することなくターゲットのエロージョンを監視できると共に、エロージョン監視手段の格納設備が不要なスパッタリング装置の提供を課題とする。
【解決手段】真空を保持すると共に所定のガスが封入される真空チャンバー11と、薄膜12を形成すべきウェハ13を保持するウェハステージ14と、薄膜12を形成する成分を放出するターゲット15を保持するバッキングプレート16と、ターゲット15に直流電流を印加する電流印加手段17と、ウェハステージ14に設けられターゲット15のエロージョンを監視するエロージョン監視手段としての光変位センサー20と、光変位センサー20を所定の範囲で移動させる移動手段19とを備えている。 (もっと読む)


【課題】高硬度,耐湿性,耐熱性,化学的安定性等の性質を備え、紫外線領域から赤外線領域の広い波長領域の光を透過可能な保護膜を備える光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子は、光学素子基板1と、光学素子基板1の表面にイオンビームアシスト蒸着法により成膜された、光学素子基板1の保護膜として機能する酸化ハフニウム(HfO)膜2とを備える。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングロールコータを用いて優れた光学特性を有する吸収型多層膜NDフィルターを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、光源11と、光源からの光を3光路に分配しその2光路を構成する第一、第二光ファイバ121、122が成膜室1内に導入される分岐光ファイバ12と、第一光ファイバから照射され薄膜が形成された樹脂フィルム100を透過した光を受光する第一受光ファイバ201の端部20、第二光ファイバから照射された光を受光する第二受光ファイバ202の端部19および第三光ファイバ123の端部18がそれぞれ接続される測定光切替器17とを備えた透過率モニターを用い、第一受光ファイバを経由し測定された透過率と第二受光ファイバを経由し測定された透過率を、第三光ファイバを経由し測定された光源光量に基づき補正すると共に補正値に対応させて成膜条件を調整することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安定的にp型のIn−Ga−Zn−O膜を成膜することができるp型In−Ga−Zn−O膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】In,Ga,及びZnを含むターゲット2を用い、酸素ガス,窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード3,4に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、In−Ga−Zn−O膜中に窒素を導入し、p型のIn−Ga−Zn−O膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】真空容器を貫いて電気接続を行う多芯電流導入端子及びそれを用いたケーブルであって、多芯化を実現し、さらに真空容器内での不必要な放電を回避する電流導入端子及びケーブルを提供する。
【解決手段】真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の導体と、導体と真空容器及び個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体とを備えた多芯電流導入端子において、絶縁体に導体を通すための貫通孔を設け、貫通孔の真空側に凹部を形成した多芯電流導入端子を使用する。導体1の根元において、熱収縮チューブ32の一端が絶縁体2の凹部に挿入された状態で固定される。凹部2aは、2〜5mmの深さがあり熱収縮チューブの縮みかたのバラツキを十分に吸収できるので、導体1に真空雰囲気露出部分は生じない。従って、不必要な放電が防止される。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板11上に、III族元素としてGaを含むIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板11に印加するバイアス値を0.1W/cm以上とする。 (もっと読む)


【課題】純Agからなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ銀にビスマスを添加した材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に堆積可能な、真空成膜装置および真空成膜方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置100は、内部を減圧可能な真空槽20と、真空槽内において、基板11を保持する基板ホルダ12と、基板ホルダ12にバイアス電圧を印加するバイアス電源V1と、真空槽内において、銀にビスマスを添加した反射膜用の材料を配置する材料ホルダ15と、材料ホルダ15から基板に向けて材料を放出させるとともに材料の放出に際して前記材料をイオン化する材料放出手段と、を備え、イオン化された材料の運動エネルギーをバイアス電圧に基づき増加させるようにして基板11に材料からなる反射膜が堆積され、反射膜の反射率はバイアス電圧およびビスマスの添加量に基づいて調整される装置である。 (もっと読む)


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