【課題】スパッタリングで形成される薄膜の成膜速度をリアルタイムかつ高精度にモニターでき、該薄膜の膜厚や光学特性を制御可能な反応性スパッタリング装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガスの活性種存在下で金属ターゲット１，２をキャリアガスによりスパッタリングして基板１１上に前記金属化合物の薄膜を形成する成膜室Ｓ１，Ｓ２を備え、外部から成膜室Ｓ１，Ｓ２内の成膜中のプラズマ発光について発光スペクトルを検知するプラズマ検知器５，６により、成膜中のプラズマ発光について前記金属のスペクトル強度とベースとなるスペクトル強度との比であって前記薄膜の成膜速度に比例した一定値を示すスペクトル強度比をモニターし、予め求めておいた前記スペクトル強度比と成膜速度との関係に基づいて、該成膜中の成膜速度が検出され、所望の膜厚の薄膜が形成される。 （もっと読む）

本発明の主題は、レーザアブレーションにもとづくコーティング方法であって、基材とアブレーションされるターゲットとの間の距離が例外的に小さいコーティング方法に関する。この短い距離は、基材のコーティングを、工業的規模においても、好ましくは低真空あるいは非真空の雰囲気のもとですら可能にする。本発明は、あらゆる大型サイズの物体または種々の形状を有する物体の最適なコーティングに関して好ましい。
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【課題】 ターボ機械のブレードやベーンなどにおける、砂塵に関連した疲労に耐久できるように設計されたサーマルバリアコーティングを提供する。
【解決手段】 ターボ機械の物品をコーティングする方法が、物品に任意選択的にボンディングコート層を適用し（ステップ１０）、物品にサーマルバリアコーティング層を適用し（ステップ１２）、コーティングされた物品を少なくとも一つの紫外線硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂を含む溶液と接触させ（ステップ１４）、このコーティングされた物品を硬化処理し（ステップ１６）、乾燥処理する（ステップ１８）ステップを備える。本発明のコーティング組成により、ターボ機械の運転時に砂塵が浸入してコーティング表面に溶融付着しても、この溶融砂粒のうち少なくとも一つの成分と反応して新たにシーラント層を形成し、磨耗や破損から物品を効果的に保護する。 （もっと読む）

【課題】オーバハング部分を生ぜしめることなくシード膜を形成することができるシード膜の成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台３４上に載置した表面に凹部４を有する被処理体へバイアス電力により引き込んで凹部内を含む被処理体の表面に金属膜を形成することによりメッキ用のシード膜を形成するようにしたシード膜の成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の表面に一旦形成された金属膜がスパッタされないような大きさに設定して金属膜を形成する成膜工程と、金属イオンを発生させないで金属膜の形成を休止する休止工程とを、交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜する際に、迅速にアーク放電発生を検出して交流電源からの出力を遮断し、アーク放電発生時のエネルギーを小さくしてパーティクルやスプラッシュの発生などを効果的に防止できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、一対のターゲットへの出力電圧波形を検出し、この出力電圧波形の電圧降下時間が正常なグロー放電時よりも短時間であると判断した場合、交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜するときに、容量結合した部分を通して発生したアーク放電を効果的に検出できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、前記各ターゲットとグランドレベルとの間の電圧をそれぞれ検出し、この検出した電圧が所定値を超えると、前記交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】使用初期において、摺動により摩擦係数を速やかに低下させて、早期に低摩擦係数で安定させることのできる、なじみ性の高い硬質炭素膜を提供する。
【解決手段】基材１上に中間層２を介して形成された硬質炭素膜３が、ダイヤモンドライクカーボン層６と、ダイヤモンドライクカーボン層６上に形成されたグラファイト粒子堆積層７とからなる。グラファイト粒子堆積層７は、ラマン分光分析によるラマンスペクトルをピーク分離して得られる、Ｄバンドを表すピークの面積強度Ｉ_D とＧバンドを表すピークの面積強度Ｉ_G の比たる、Ｉ_D ／Ｉ_G が１以下である。 （もっと読む）

【課題】抵抗率分布の均一性の向上を図る透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法において、少なくともアルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲット２０として用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体３０上に透明導電膜を形成する。この態様によれば、エロージョン対向部での酸化を抑制可能となり、過剰な酸化が原因と考えられる透明導電膜の抵抗率分布の不均一性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 インライン方式のスパッタ装置において、スパッタ成膜を低温で行い、成膜後にアニール処理を行って、ＩＴＯ膜を得る低温成膜方法を採る場合、得られたＩＴＯ膜のシート抵抗値が所望の値でないと、大量の不良膜付けが行われてしまうという問題を、解決できるインライン方式のＩＴＯ成膜装置、ＩＴＯ成膜方法を提供する。
【解決手段】 順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板の全領域で高精度な膜厚分布の均一性を得ることのできるスパッタリング方法及び装置を実現する。
【解決手段】 成膜処理対象の基板９と成膜材料からなるターゲット２とを容器１内に対向配置し、ターゲット２の基板９側とは反対側に配置されたマグネット５をターゲット２の面に対して平行に往復移動させ、かつ、基板９を回転手段（回転機構部１１）により回転させて基板９に成膜を行う。また、基板９に成膜される薄膜のマグネット５の長手方向Ｂに沿う膜厚分布が、基板９の両端部よりも中央部が厚くなるように設定した後に、マグネット５を往復移動させ、かつ、基板９を回転手段（回転機構部１１）により回転させて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を抑制することができ、かつ、アーク放電の検出から復帰までに必要なエネルギーを抑えることができる交流電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。
【解決手段】ＡＣ−ＤＣ整流器２５及びＤＣ−ＤＣ整流器２７が、商用交流電力から直流電力に変換し、ＤＣ−ＡＣ変換器３０が、直流電力から高周波交流電力に変換し、高周波トランス３１を介して高周波交流電力を負荷へ供給する。発振制御手段３５は、電流検出器３２が検出した高周波交流電力の電流値を入力し、この電流値に基づいてアーク放電を検出し、前記高周波交流電力の供給を遮断させる。その後、初期パルス巾〔Ｐ〕から設定パルス巾〔ＨＡ〕に漸増して変化するようなパルスを生成し、このパルスを有するスイッチング信号をＤＣ−ＡＣ変換器３０に出力する。 （もっと読む）

【課題】蒸着プロセスにおける消費電力を小さくし、温度差による蒸着厚さの変化を最小化して、熱効率を向上せしめる蒸着源を提供する。
【解決手段】供給される電力によって加熱され、内部に収容された蒸着材料20に熱を伝達し、内部で生成された蒸着材料20の蒸気を噴射させて基板表面に蒸着膜を形成する有機電界発光膜蒸着用蒸着源200であって、蒸気放出開口301Aが形成された上部プレート301、側壁302、及び底部材303を含み、さらに選択された位置に熱を供給する加熱手段C1,..Cnと、内部に収容された蒸着材料表面の高さの変化を検知する検知手段353と、前記検知手段の信号に応じて前記加熱手段の作動を選択的に制御する制御手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時間を低減しつつ、高品質な薄膜を成膜することができるスパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るスパッタ成膜装置１０は、真空チャンバー１１と、真空チャンバー１１内に回転可能に設けられた回転ドラム１２と、真空チャンバー１１内にスパッタガスを供給するガス供給部１７とを備え、真空チャンバー１１内にスパッタガスを充填して、回転ドラム１２を回転させながら、回転ドラム１２の外周に取り付けられる複数の基板にスパッタ成膜する。また、特にガス供給部１７は、スパッタガスを加熱する加熱部１７２を有する。 （もっと読む）

【課題】
蒸着工程による貯蔵燐光体プレートの製造方法において燐光体のスピードを最適化する。
【解決手段】
マトリックス成分及び活性化剤成分又はそのプリカーサ成分を燐光体プリカーサ原材料として加熱することによって及び／又はるつぼユニットから蒸着することによって支持体上に貯蔵燐光体層を作る方法であって、前記プリカーサ原材料をるつぼにおいて液体形態で加熱する工程が温度Ｔ_１まで行なわれ、前記プリカーサ原材料を前記煙突において蒸発された形態で加熱する工程が温度Ｔ_２まで行なわれる方法において、正の温度差［Ｔ_２−Ｔ_１］が維持されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一の分子線材料を有する分子線セルを複数有する分子線エピタキシャル装置の稼動率を向上させ、かつ、成膜において高い再現性を実現する、分子線エピタキシャル装置の制御装置を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル装置１００の制御装置１１８は、同一の分子線材料１０５を有する複数の分子線セル１０７について、各分子線セル１０７内の分子線材料１０５の残量を求める残量算出部４０５と、次回の成膜における各層での同一の分子線材料１０５の合計の消費量を等しくしたまま、上記各分子線セル１０７における設定を変更したものについて、次回の成膜後の当該各分子線セル１０７に残存する分子線材料１０５の予測消費時間を算出する予測消費時間算出部４０６と、上記予測消費時間の差が小さくなるように、次回の成膜での上記各分子線セル１０７における設定を決定するセル設定決定部４０７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
ボート交換式の基板処理装置に於いて、ボートと、ボートを載置する側との間でボートの受渡しが行われる過程で生ずる位置ずれを修正する。
【解決手段】
底面部６４に凹部７２が形成された基板保持具１３と、該基板保持具に基板を載置した状態で基板を処理する処理室と、前記基板保持具を前記処理室に装入する為に前記基板保持具が載置される第１の載置部と、前記基板保持具に基板が挿入出される為に該基板保持具が載置される第２の載置部１９と、前記第１の載置部及び前記第２の載置部とは異なる位置で前記基板保持具を待機させる為に、該基板保持具が載置される第３の載置部と、前記第１の載置部と前記第２の載置部及び前記第３の載置部との間で前記基板保持具を移動させる手段とを有し、前記第１の載置部若しくは前記第２の載置部又は前記第３の載置部には、前記基板保持具が前記載置部に載置される際に凹部７２に嵌合させる為の凸部７１が設けられている。
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【課題】高周波マグネトロンスパッタリングにより、同じ特性で、熱的安定性に優れた誘電体薄膜を、安定した成膜速度で形成する方法を提供する。
【解決手段】高周波マグネトロンスパッタリングでは、ターゲットに印加された高周波電力により、ターゲットに直流電圧が誘起される。本発明の形成方法によれば、ターゲットに誘起される電圧の直流成分の絶対値を５０Ｖ以上として成膜をおこなうことにより、誘電体薄膜を安定した成膜速度で成膜することが可能になるとともに、一定の屈折率値の膜が得られるようになり、さらに、得られた膜の熱的安定性が向上する。 （もっと読む）

【課題】構造欠陥の発生が少ない蛍光体シートの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上への成膜材料の蒸着により所定の蛍光体膜を形成する蛍光体シートの製造方法であって、前記基板を前記成膜材料の蒸発源上方から退去させておき、前記基板と前記成膜材料の蒸発源との間に設けられている開閉可能なシャッタを閉じた状態で前記成膜材料の蒸発を開始し、一定時間経過後に、前記シャッタを開き、その後に前記基板の搬送を開始し、前記基板上に前記蛍光体膜を形成することを特徴とする蛍光体シートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配置され、基板を水平に支持する基板ホルダと、真空チャンバ内に配置され、蒸発材料ＥＭを収容する坩堝ＣＲと、基板の主面に平行な方向に配列すると共に坩堝ＣＲを挟んで互いに向き合った一対の放熱面を備えたヒータＣＨＴと、坩堝ＣＲの開口を塞ぐと共に貫通孔ＮＺＬが設けられた蓋板ＣＰを備えた蓋部材ＣＭとを含んだ蒸発ユニットＥＵと、蒸発ユニットＥＵを基板の下方で基板に対して一対の放熱面の配列方向に相対的に移動させる移動機構とを具備し、一対の放熱面の上部は蓋板ＣＰの上面を含む平面から上方へと延びており、蓋板ＣＰの上面から一対の放熱面の各上端までの基板の主面に垂直な方向の距離Ｄ１は１８ｍｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）