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Fターム[4K029EA00]の内容

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Fターム[4K029EA00]に分類される特許

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【課題】処理工具により使用されるスラブターゲットの寿命検出システムと方法を提供する。
【解決手段】スラブターゲットに、少なくとも1個の検出器が設けられる。処理工具の動作中に、少なくとも1個の検出器に関連付けられた信号値が、設定値に等しいか、設定値を超えているかの判断がなされる。第1予告は、前記信号値が予告設定値に等しいか、または予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられ、第2予告は、前記信号値が予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられる。警告は、前記信号値が警告設定値に等しいか、または警告設定値を超える場合に発せられ、消耗材料からなるスラブターゲットが、所定量に近づきつつあるか、或いは所定量にまで減少したことを示す。 (もっと読む)


【課題】 基板や有機膜に損傷を与えることなく、高精度で所望の有機膜等を成膜可能とした有機EL表示パネルの製造方法と、この方法で製造した有機EL表示パネルを提供する。
【解決手段】 蒸着マスク21に表示パネルのパネルパターン領域に対応した開口部103を有する。この開口部103は、蒸着マスク21が基板101と接触する面から後退させた凹面内の底面に有し、蒸着マスク101の開口部103を基板101から所定のギャップ空間23をもって離間して蒸着源105からの蒸着粒子粒を開口部103を通して基板101に蒸着する (もっと読む)


【課題】 蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、前記原料供給装置は、前記原料を第1の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、当該気体原料の温度を前記第1の温度より低い第2の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりの低下を抑制し、プラズマ処理装置の稼働率の向上が可能な管理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室50でプラズマを生成する高周波のインピーダンス整合器54の調節パラメータの時系列データを収集する収集ユニット62と、プラズマ処理装置により参照基板を処理して収集した調節パラメータの参照時系列データより管理基準データを作成する基準作成部30と、プラズマ処理装置による対象基板の処理において、調節パラメータを参照時系列データの初期値に設定する初期設定部32と、高周波の反射波を最小にするように調節された調節パラメータの対象時系列データを記録する記録部34と、対象時系列データを管理基準データと比較してプラズマ処理装置の異常を判定する判定部36とを備える (もっと読む)


【課題】基材に完全に被覆し、製品の型形成後の分離が容易なコーティング形成方法の提供。
【解決手段】金属コーティングを形成する方法であって:(a)真空状態にあるかあるいは不活性雰囲気を有するチャンバー内において金属イオンを生成するための金属ターゲットにおいてアークを発生させる段階;(b)その上に金属層を形成するための基材上へ金属イオンを被着させる段階;及び(c)前記金属層上に一次金属−気体化合物層および前記一次金属−気体化合物層上に二次金属−気体化合物層を形成するためのチャンバー内の気体の量の調節であって、前記一次及び二次金属−気体化合物層が異なる気体原子含有量を有する調節の段階を含む方法。 (もっと読む)


【課題】 薄膜の膜厚を正確に測定する。
【解決手段】 循環装置17は、制御部18の制御下において冷却液循環路部15を介してエチレングリコール等の流体を循環装置17及び膜厚モニター12間で循環させることによって、膜厚モニター12を冷却する。 (もっと読む)


【課題】 形成された薄膜の品質が安定している薄膜形成方法および薄膜形成ユニットを提供することである。
【解決手段】 結晶成長工程では、薄膜形成装置11を用いて薄膜を形成する。このとき形成された薄膜の特性値には、プロセス誤差wが含まれている。計測工程では、計測部12によって形成される薄膜の計測特性値を計測する。このとき計測される計測特性値には、計測誤差νが含まれている。仮想結晶成長工程では、仮想的薄膜形成装置13におって形成される薄膜の特性値を演算によって求め、演算特性値を演算する。計測誤差除去工程では、計測誤差除去部14によって、演算特性値と計測特性値とに基づいて、プロセス誤差wおよび計測誤差νのうち計測誤差νだけを計測特性値から除去した予測特性値を演算することができる。さらに装置条件決定工程では、条件設定部15によって予測特性値に基づいて、薄膜形成装置11の新たな装置条件が決定される。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを向上できるDCマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネットの2回目以降の揺動の際にターゲットに印加する電圧の30%以下の電圧をマグネットの1回目の揺動の際にターゲットに印加する。マグネットの1回目の揺動時の放電電圧を抑制できる。マグネットの揺動を開始した時点に発生しやすい異常放電を抑制できる。異常放電の回数を抑制できる。ガラス基板の表面へのスプラッシュを防止できる。ガラス基板上に成膜されるメタル層での線欠陥や点欠陥を効率良く防止できる。薄膜トランジスタの歩留まりを向上できる。
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【課題】気相反応処理装置における剥離処理の終点検出方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に配置した触媒体に電力を供給して高温加熱し、高温加熱された触媒体により反応ガスを分解して処理を行う際の終点検出方法において、排気ライン17にバイパス通路21が設けられ、このバイパス通路21に排気ガスが流通する放電管22が接続され、放電管22から発生する排気ガス中に含まれる特定成分の発光スペクトルを検出し、この検出結果に基づいて処理終点を決定するようにする。 (もっと読む)


【課題】 反応性スパッタリングにおける遷移状態を長時間安定に維持できる成膜方法を提供する。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリング装置において、真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給し、放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±10%以内で行い、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行う。また、放電電力、または放電アドミッタンスを長時間安定化させるために、ターゲット表面の最大磁場強度を0.03テスラ以上、0.1テスラ以下とする。 (もっと読む)


【課題】蒸着率安定化到達時間を最小化して蒸着効率を高めてノズルの凝縮現象を防止し、精緻な温度制御が可能になるようにした無機蒸着源及びこれの加熱源制御方法を提供する。
【解決手段】蒸着チャンバ内に配置されて含有された金属または無機物質を蒸発させるためのるつぼと、前記るつぼに熱を供給するための加熱源を含む加熱部と、前記加熱部から放出される熱を遮蔽するためのハウジングと、前記るつぼを安着させる外壁と、
前記るつぼから蒸発された物質を噴射するためのノズル部を具備する無機蒸着源において、前記加熱部は、前記るつぼの上部及び下部にそれぞれ位置される上部加熱部及び下部加熱部を有し、前記上部加熱部に電力を供給するための第1電力源及び前記下部加熱部に電力を供給するための第2電力源が設けられて構成される。 (もっと読む)


【課題】真空容器内において部材を設定温度近傍若しくは設定温度以下に制御することが可能となる真空容器内の温度制御装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気内で所定の処理を行う真空容器内の温度制御装置であって、前記真空容器を構成する部材8の内部に、該処理温度近傍に融点を持つ相変化材料11が内包されている構成とする。その際、前記相変化材料を、In、Sb、Bi、Pbのいずれかを主成分として、約10℃以上327℃以下の融点を有する低融点合金で構成する。 (もっと読む)


【課題】いくつかのステップを繰り返し実行するプロセス処理で使用されるレシピにおいて、繰り返し部分の共通化を実現する。
【解決手段】レシピ動作システムは、(i)順に配列された複数の動作ステップから成る少なくともひとつのレシピと、(ii)順に配列されたステップから実行すべき次のステップを選択するために、ステップが変る度にコールされるサブルーチンを含むレシピ実行プログラムとを含む。ステップは配列順と異なる順序で実行され、少なくともひとつのステップが繰り返される。 (もっと読む)


【課題】 高精度に膜厚を管理することができるプレーナマグネトロンスパッタ装置の提供。
【解決手段】 ターゲット4には直流電源7により直流電圧が印加され、成膜中の印加電圧が一定に保持されるように定電圧モードで制御される。成膜中のターゲット電流値は電流計9により検出され、制御装置10の電流積算部10bによりターゲット電流値の積算値が積算される。そして、成膜開始からのターゲット電流積算値が所定値となったならば成膜を終了する。このように膜厚と比例関係にあるターゲット電流積算値により終点検知をすることにより、成膜中に成膜レートが変動しても高精度に膜厚を管理することができ、バッチ毎の膜厚バラツキを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】待機室内に設置された昇降台の気密室の気密シールを維持する。
【解決手段】ウエハ1群をボート13に保持して処理する処理室19と、処理室19の真下でボート13が待機する待機室12と、待機室12の外部に設置されボート13を処理室19に搬入搬出するボートエレベータ24と、待機室12内に配されボート13を支持する昇降台37と、待機室12に挿通され昇降台37とボートエレベータ24とを連結する昇降シャフト32とを具備したバッチ式熱処理装置10において、ヘリウムガス供給ライン55に接続されたチューブ54を昇降シャフト32から昇降台37の気密室37dに挿入し、待機室12を排気する排気管57にヘリウムガスディテクタ58を設置する。昇降台の気密室内に供給した時の排気管を流通するヘリウムガスをヘリウムガスディテクタによって検出することにより、昇降台の気密室のリークをチェックする。 (もっと読む)


【課題】坩堝の寿命を予測し、破損や材料漏れなどの事故を未然に防止する。
【解決手段】非導電性材料からなる坩堝Pの寿命を予測するに際し、坩堝Pの底部壁体Pbを誘電体として、静電容量計4により、底部壁体Pbの内面に凝固材料Mを介して接触された内部電極3と、底部壁体Pbの外面に接触された外部電極2との間の静電容量を計測し、この計測値から坩堝Pの寿命を予測する。 (もっと読む)


【課題】静電チャックより基板を離脱させる際の残留吸着力を低減させる技術、及び、離脱の際の状態を判断できる技術を提供する。
【解決手段】残留電荷量はウエハ1の搬送状態に影響を与えるので、静電チャックプレート3上からウエハ1を離脱させる際に、流れる電流値を検出し、静電チャックの残留電荷を算出し、残留電荷量を求めることにより、ウエハ1の搬送状態を知る。また、更に、残留電荷量に応じ静電吸着とは逆極性の逆バイアスを印加するようにし、残留電荷を消滅させる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットと基板支持部を有する物理気相蒸着チャンバで用いられる電力供給源を提供する。
【解決手段】基板支持部に対しスパッタリング電圧でターゲットをバイアスし、物理気相蒸着チャンバ内でアーク放電が検出された後、約1秒間に約10回又はそれ以上、逆方向電圧でターゲットをバイアスするように構成された電源を備えている。 (もっと読む)


マグネトロンスパッタリング源は、複数の電極(12)とスイッチング回路(14)とを含む。スイッチング回路(14)は複数の電極(12)の各々を接地基準に連続的に接続してそれらをアノードにする一方で、複数の電極の残りをカソードとして接続する。マグネトロンスパッタリング源を動作する方法は、複数のターゲット配列を与えるステップと、複数のターゲット配列をカソードとして作動するようにさせるステップと、複数のカソードの各々を一時的にアノードとして作動するよう連続的にさせるステップとを含む。
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【課題】 大気中で、所望の蒸着原料を用いた蒸着を行うことができるプラズマ蒸着装置を提供することである。
【解決手段】 リング状または円筒状電極と、棒状電極と、高圧電源とを有し、前記リング状または円筒状電極と前記棒状電極との間に前記高圧電源による所定の電圧を印加することによって、前記リング状または円筒状電極と前記棒状電極との間に放電を発生させ、該放電の熱によって蒸着原料を蒸発させてプラズマ化し、該プラズマを対象物に向けて噴出することによって該対象物に対する前記蒸着原料の蒸着を行う。 (もっと読む)


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