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Fターム[4K029EA04]の内容

物理蒸着 (93,067) | 測定、制御 (3,915) | ガス流量 (145)

Fターム[4K029EA04]に分類される特許

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【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置10は、イオンビ−ムを引き出すイオン源12と、半導体基板30(ターゲット)にイオン注入を行う注入室20と、注入室20へガスを導入するガス導入部11を備えている。そして、注入室20へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室20へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をXaとしたときに、混合ガスの総流量が0.7Xa以上、且つ、原料ガスの流量が0.4Xa以上(原料ガスがBFを主体として構成される場合は、原料ガスの流量が0.3Xa以上)となるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材2の表面2a上に直接成膜されるCrとWCとを主体とする第1混合層1aと、第1混合層1aの上に成膜されるWCとDLCとを主体とする第2混合層1bと、第2混合層1bの上に成膜されるDLCを主体とする表面層1cとからなる構造の硬質膜1であり、第1混合層1aは、基材側から第2混合層側へ向けて連続的または段階的に、Crの含有率が小さくなり、WCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bは、第1混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、WCの含有率が小さくなり、DLCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bにおける水素含有量が10〜45原子%である。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバVC内に導入される導入ガスが流れる第1流路L1上に設けられた第1バルブ11と、前記第1バルブ11を経由して前記真空チャンバVC内に導入される前記導入ガスの流量が第1流量となるように当該第1バルブ11の開度を制御する第1バルブ制御部12と、プラズマモニタ3と、前記導入ガスが流れる第2流路L2上に設けられた第2バルブ21と、前記プラズマモニタ3で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第2バルブ21の開度を制御する第2バルブ制御部22と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】測定時のS/N比(シグナル/ノイズ比)の低下を抑制し、短時間の測定で精密な測定を行い、リアルタイム性の向上が図られるような光学的検知装置を提供する。
【解決手段】測定用の光が通過する測定光路と、前記測定光路に測定用の光を照射する光源と、前記測定光路を通過した光を受光し、吸収スペクトルの検出を行う検出器と、を有し、前記測定光路と前記光源とを連結させる第1の連結路と、前記測定光路と前記検出器とを所定の間隔でもって連結させる第2の連結路と、が設けられ、前記第1の連結路は前記測定光路と前記光源との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第2の連結路は前記測定光路と前記検出器との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第1の連結路及び前記第2の連結路の内部を排気する排気機構と、前記第1の連結路及び前記第2の連結路の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を備えた光学的検知装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程を精度良く監視する。
【解決手段】第3のセンサの出力波形は、センサのダイナミックレンジに相当する波形A1がレシピに従った処理によって形成される。この後、レシピに従って基板に処理が行われ、処理を起因する波形A2が形成される。波形A2は、ノイズレベルの信号である。第3のセンサの出力波形を正規化処理すると、ノイズレベルの信号が増幅されることが防止される。第1のセンサ、第2のセンサ、及び第3のセンサの出力波形をそれぞれ正規化処理したデータを用いて多変量解析することで、半導体製造装置の運転状態を監視する。 (もっと読む)


【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽11内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の91%以上100%以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Sの温度T、ガリウムのターゲット14に供給される周波数が13.56MHzであるバイアス電力Pが、600≦T≦1200、0<P≦4.63、P<0.0088T−6.60、P≧0.0116T−11.37を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 (もっと読む)


【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板110上にn型半導体およびp型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるIII族元素による少なくとも2つのターゲット(第1ターゲット21および第2ターゲット22)を、V族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板110上にIII−V族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】先行技術の諸問題を解決し且つ改善された品質を有するイオン伝導性の、特に酸素透過性の膜を製造することができる、プラズマスプレー法を提供すること。
【解決手段】イオン伝導性を有するイオン伝導膜を製造するためのプラズマスプレー法であって、この膜がプロセスチャンバー内で基材(10)上に層(11)として堆積され、出発材料(P)が、プロセスガス(G)を用いてプロセスビーム(2)の形で基材(10)表面にスプレーされ、この出発材料は、最大で10,000Paの低いプロセス圧力でプラズマに注入され、且つそこで部分的に又は完全に溶融される方法が提供される。酸素(O;22)は、プロセスガスの全流量の少なくとも1%、好ましくは少なくとも2%になる流量で、スプレー中にプロセスチャンバー(12)に供給される。 (もっと読む)


【課題】遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板1上に少なくともクロムと窒素を含む遮光膜2を有するフォトマスクブランクの製造方法である。遮光膜2を形成した後、該遮光膜2に加わる熱処理によって生じる膜応力変化により得られるフォトマスクブランクの平坦度が所定値以下になるように、上記膜応力変化とは逆方向の所望の膜応力を有する遮光膜2となるように、スパッタリング成膜中に含まれる窒素ガス、窒素化合物ガス、ヘリウムガスのうち少なくとも一のガスの流量を調整して遮光膜2を形成する。 (もっと読む)


【課題】物理蒸着法による酸化物の上層と窒酸化物の下層との密着性及び上層の耐焼き付き性及び耐かじり性に優れた硬質被膜被覆金型を提供することである。
【解決手段】金型基体直上に、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする窒酸化物の下層と、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする酸化物の上層とを、物理蒸着法により被覆した硬質被膜被覆金型において、該酸化物の上層はα型結晶構造を有し、X線回折強度比TC(110)が1.3以上であることを特徴とする硬質被膜被覆金型。 (もっと読む)


【課題】原料ガスの供給量の変動を防止し、原料ガスの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、第1の原料ガスを基板に供給するための第1の気化器21と、第2の原料ガスを基板に供給するための第2の気化器41と、第1の気化器の内部の圧力を測定するための第1の圧力計側部M1と、第2の気化器の内部の圧力を測定するための第2の圧力計側部M11と、第1の圧力計側部M1により測定した第1のデータに基づいて第1の原料ガスの供給量を算出し、第2の圧力計側部M11により測定した第2のデータに基づいて第2の原料ガスの供給量を算出し、算出した第1の原料ガスの供給量と算出した第2の原料ガスの供給量とがそれぞれ一定になるように、第1の気化器21及び第2の気化器41を制御する制御部60とを有する。 (もっと読む)


【課題】複数のターゲットの同時放電による反応性スパッタリングにおいて、堆積された膜の組成をコントロールすることを目的とする。
【解決手段】各ターゲットへの反応性ガスの供給量を異ならせることで、一方のターゲットからは反応性ガスとの反応生成物がスパッタされ、他のターゲットからはターゲット材質がスパッタリングされる。これにより、堆積される膜の組成をコントロールすることが可能となる。また、一方のターゲットをポイズンモードとし、他のターゲットをメタルモードとしてスパッタリングを行うことで、反応生成物と金属からなる化合物が成膜される。 (もっと読む)


【課題】物理蒸着法による酸化物の上層と窒酸化物の下層との密着性及び上層の耐焼き付き性及び耐かじり性に優れた硬質被膜被覆金型を提供することである。
【解決手段】金型基体直上に、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする窒酸化物の下層と、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする酸化物の上層とを、物理蒸着法により被覆した硬質被膜被覆金型において、該酸化物の上層はα型結晶構造を有し、X線回折強度比TC(006)が1.3以上であることを特徴とする硬質被膜被覆金型。 (もっと読む)


【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜15に形成された凹部16、17内にバリアメタル層20を形成した後、凹部16、17内にCu配線層23を形成する。バリアメタル層20の形成工程は、凹部16、17内にTi含有量が50原子%を超える第1のTiNx膜18を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ti含有量が第1のTiNx膜18より多い第2のTiNx膜(またはTi膜)19を形成する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性の低い有機材料製の基材表面にアモルファス構造と層状結晶構造とが混在する微結晶性五酸化バナジウムたる電極活物質層を薄膜化して形成でき、薄膜リチウム二次電池に適用したときに高い電池性能が得られる生産性の良いリチウム二次電池用の電極活物質層の形成方法を提供する。
【解決手段】バナジウム含有のターゲット2を備えた処理室11内に基材Wを配置し、処理室を所定圧力まで真空引きすると共に、基材を、加熱または冷却して当該基材の耐熱温度以下の所定温度に保持し、処理室内に希ガスと酸素ガスとを所定分圧で導入し、ターゲットに所定電力を投入して処理室内にプラズマ雰囲気を形成してターゲットをスパッタリングし、電極活物質層たるバナジウム酸化物膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】成膜開始時、成膜時、及び成膜停止時における配管系、原料容器、及び吹き出し容器の圧力を制御することにより、高品質で長寿命の膜、特に、有機EL膜を得ることである。
【解決手段】原料を気化させ、気化した原料をガスで輸送してガス放出部から基板に放出して膜を成膜する成膜装置として、気化手段と、該気化手段とガス放出部との間に輸送ガス及び原料の流通経路を設けると共に、輸送ガスと同種のガスを気化手段を介さずに流通経路を用いてガス放出部に供給するガス供給手段を設け、成膜前および成膜停止時に原料をガス放出部に流通させない制御とガス供給手段からのガスをガス放出部に供給する制御とを成膜状態との遷移時に行なうと共に、ガス放出部と気化手段の圧力が成膜時の圧力となるようにガスを供給する制御を行う一方、成膜時にガス供給手段からのガスが流通させない制御と気化手段からガスを供給する制御とを行い、成膜する。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜4は、歪みに対する電気抵抗の変化率が300以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜4は、Zn:Oの組成比が、37.21:62.79から、37.69:62.31の範囲内のZnOから形成される。透明導電薄膜4は、真空チャンバ内に、ガラス基板2と、Znを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、18.0cm/minの流量でアルゴンを導入し、且つ、1.0cm/min以上、2.0cm/min以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 (もっと読む)


【課題】スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。
【解決手段】スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも1つを2つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。また、p型またはn型の導電型を有する半導体上に導電性薄膜を形成する方法において、半導体上への成膜開始時点に、強度にプラズマ照射を行うことを特徴とする導電性薄膜の形成方法も採用できる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットへの再付着を低減させて、異常放電およびダストを防止すると共に、成膜速度の低下を抑制する。
【解決手段】希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ1内へ2ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット2の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板51の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット2の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源13を設ける。このようにすることにより、分子量の大きいスパッタリングガスを優先的にイオン化することによりスパッタリング能力を高めることができる。これによりターゲット2への再付着を低減させると共に、成膜レートが低減することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 (もっと読む)


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