【課題】 酸素、水蒸気およびアウトガスを透過しにくいガスバリア性に優れたフィルム部材、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルム部材は、樹脂フィルムからなる基材と、該基材の表裏少なくとも一方側に配置される酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）膜と、を有し、該酸窒化アルミニウム膜の組成は、Ａｌ：３９〜５５ａｔ％、Ｏ：７〜６０ａｔ％、Ｎ：１〜５０ａｔ％である。当該フィルム部材の製造方法は、スパッタ成膜装置１のチャンバー８内に、基材２０をアルミニウム製のターゲット３０に対向するように配置し、チャンバー８内を所定の真空度に保持する減圧工程と、チャンバー８内に、窒素を含む原料ガスとキャリアガスとを導入し、所定の真空度で、チャンバー８内の窒素ガス圧に対する酸素ガス圧の比率が２０％以下の雰囲気において、基材２０の成膜面に酸窒化アルミニウム膜を形成する成膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ皮膜などのカーボン皮膜の表面の欠陥が少なく、母材とカーボン皮膜との密着性が良好で、相手攻撃性が低く、摩擦係数が低い硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】クロムターゲットを使用する処理装置の真空処理室内においてアルゴンガスと窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングすることによって母材上に厚さ１〜３０μｍの窒素含有クロム皮膜を形成した後、カーボンターゲットを使用する処理装置の真空処理室内にアルゴンガスと窒素ガスを導入して、アルゴンガスと窒素ガスの全圧に対する窒素ガスの分圧の比が０．２３以上、好ましくは０．３７以上の雰囲気中において、バイアス電圧−２５０Ｖ以下、好ましくは−２８０Ｖ以下でスパッタリングして、窒素含有クロム皮膜上にカーボン皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際の高温高湿条件下での抵抗値安定性、およびペン入力耐久性に優れる透明導電性フィルム及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、酸化スズ添加酸化インジウムの透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜の膜厚方向に対して、透明プラスチックフィルム基材側から表層側に向かって酸化スズの含有量が連続的に、および／または、段階的に減少していて、かつ、表層側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が０．５〜８質量％であり、かつ、透明プラスチック基材側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が表層側の含有量より２０〜６０質量％多く、かつ透明導電膜の全体の厚みが１６〜５０ｎｍであり、かつ酸化スズの含有量が０．５〜８質量％の透明導電膜の厚みが１５ｎｍ以上である透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材２の表面２ａ上に直接成膜されるＣｒとＷＣとを主体とする第１混合層１ａと、第１混合層１ａの上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする第２混合層１ｂと、第２混合層１ｂの上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層１ｃとからなる構造の硬質膜１であり、第１混合層１ａは、基材側から第２混合層側へ向けて連続的または段階的に、Ｃｒの含有率が小さくなり、ＷＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂは、第１混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂにおける水素含有量が１０〜４５原子％である。 （もっと読む）

【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、（ａ）炭素と（ｂ）金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Ａを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記（ｂ）成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Ａを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記（ｂ）成分をスパッタする方法が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたチタンナイトライド膜上にタングステンシリサイド膜を形成する際に、タングステンシリサイド膜に含ませるシリコン原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の一面１０３ａに、チタンナイトライド膜１０９、タングステンシリサイド膜１１０、タングステン膜１１１の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、タングステンシリサイド膜１１０をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲット１０２と、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いる。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム膜を、表面が平坦であるとともに、内部が均質である状態となるように、基体の一面に形成することが可能な、窒化アルミニウム膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体の一面にスパッタリング法により窒化アルミニウム膜の形成方法であって、窒化アルミニウム膜を形成する際に、アルミニウムからなるターゲットと、不活性ガスに窒素ガスを混合させてなるプロセスガスとを、少なくとも用い、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量の比率において、成膜時真空度が安定傾向から増加傾向へ移行する点をＡ、成膜時電圧が減少傾向から安定傾向へ移行する点をＢ、点Ａと点Ｂとの間を遷移モードＴ、と定義したとき、遷移モードＴにて成膜する。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】純すずターゲット材料がマグネトロンスパッタ法を利用したフッ素ドープ酸化すず薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度すずをマグネトロンスパッタリングのターゲット材料として、マグネトロンスパッタの生産プロセスにおいて、反応ガス四フッ化炭素（ＣＦ_４）と酸素（Ｏ_２）を導入する。四フッ化炭素（ＣＦ_４）は、作業ガスによって励起されるプラズマがフッ化物（Ｆ）イオンとフッ化物（Ｆ）励起状態原子を分離し、すずターゲット材料と合わせて、基板上にフッ素ドープ酸化すず薄膜を形成することにより、生産コストを軽減でき、フッ素ドープ酸化すず薄膜の品質を向上できる。 （もっと読む）

【課題】測定時のＳ／Ｎ比（シグナル／ノイズ比）の低下を抑制し、短時間の測定で精密な測定を行い、リアルタイム性の向上が図られるような光学的検知装置を提供する。
【解決手段】測定用の光が通過する測定光路と、前記測定光路に測定用の光を照射する光源と、前記測定光路を通過した光を受光し、吸収スペクトルの検出を行う検出器と、を有し、前記測定光路と前記光源とを連結させる第１の連結路と、前記測定光路と前記検出器とを所定の間隔でもって連結させる第２の連結路と、が設けられ、前記第１の連結路は前記測定光路と前記光源との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第２の連結路は前記測定光路と前記検出器との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部を排気する排気機構と、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を備えた光学的検知装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該１以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】蒸着法にてＩＴＯ膜を成膜する場合に、酸素濃度の低下を防止して、ＩＴＯ膜の低抵抗化を図ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の材料を蒸発材料３とし、この蒸発材料３を蒸着室１ａ内に配置して減圧下にて蒸発させ、この蒸着室１ａ内に配置した基板Ｗ表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、成膜時に蒸着室１ａ内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入する。蒸着室１ａ内で水蒸気ガスを導入するガス導入口８３ａを基板Ｗの蒸着面に向け、基板Ｗに向かって直接水蒸気ガスが供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】構造が簡素でかつ低コストの白色発光素子を提供する。
【解決手段】基板はＳｉ（１００）もしくはＧａＡｓ（１００）面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマＣＶＤ装置によって２層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。窒素含有量が増加するとバンドギャップが広がるので、バンドギャップの狭い下部の水素化窒化炭素からも吸収することなく白色発光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】結晶性ＩＴＯ膜を、加熱処理を行うことなく短時間で容易に製造することができる、結晶性ＩＴＯ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスおよび酸素ガスを含む第１の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、基板上に種結晶を含むＩＴＯ膜１２０をスパッタリング成膜した後に、不活性ガスおよび酸素ガスを含む第２の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、結晶性ＩＴＯ膜１３０をスパッタリング成膜する。第１の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、１００：５〜７.５の範囲内である。また、第２の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、１００：０．５〜２．５の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高いシート抵抗値を実現でき、抵抗素子作製時の製造工程による抵抗値の変動の影響が小さい電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性に優れた透明ガスバリア層を、高温に加熱せずとも、層形成時の窒化および酸化を制御することで効率よく製造することが可能な、透明ガスバリア層の製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法により透明ガスバリア層を製造する透明ガスバリア層の製造方法であって、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも１種の炭化物を含むターゲット１７を用い、反応性ガスとして窒素ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを用い、前記反応性ガスにおいて、前記窒素ガスに対する前記酸素ガスの混合比率が１〜１０体積％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性に優れた透明ガスバリア層を、高温に加熱せずとも、層形成時の窒化および酸化を精密に制御することで効率よく製造することが可能な、透明ガスバリア層の製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法により透明ガスバリア層を製造する透明ガスバリア層の製造方法であって、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも１種の炭化物を含むターゲット１７を用い、反応性ガスとして窒素ガスを用い、前記反応性ガスがさらに酸素ガスおよび水素ガスを含み、前記反応性ガスにおいて、前記窒素ガスに対する前記酸素ガスの混合比率が１〜１０体積％であり、前記窒素ガスに対する前記水素ガスの混合比率が０．１〜３０体積％であることを特徴とする。 （もっと読む）