【課題】 酸素、水蒸気およびアウトガスを透過しにくいガスバリア性に優れたフィルム部材、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルム部材は、樹脂フィルムからなる基材と、該基材の表裏少なくとも一方側に配置される酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）膜と、を有し、該酸窒化アルミニウム膜の組成は、Ａｌ：３９〜５５ａｔ％、Ｏ：７〜６０ａｔ％、Ｎ：１〜５０ａｔ％である。当該フィルム部材の製造方法は、スパッタ成膜装置１のチャンバー８内に、基材２０をアルミニウム製のターゲット３０に対向するように配置し、チャンバー８内を所定の真空度に保持する減圧工程と、チャンバー８内に、窒素を含む原料ガスとキャリアガスとを導入し、所定の真空度で、チャンバー８内の窒素ガス圧に対する酸素ガス圧の比率が２０％以下の雰囲気において、基材２０の成膜面に酸窒化アルミニウム膜を形成する成膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】裏側リング状磁石１７及び外側リング状磁石１６の極性の向きは同一に設定され、中央磁石１５の極性の向きは磁石１６，１７の極性の向きと逆に設定され、蒸発源５の直径をＤとした場合に裏側リング状磁石１７は、リング幅Ｗの中心位置Ｏが蒸発源５の端面からＤ／２０の範囲内に配置されており、磁石１５，１６，１７により蒸発源５の表面に生じる磁場の初期設定値は蒸発面の端面から内方にＤ／２０の範囲の端部領域Ｅを除く内側領域Ｃ表面の磁束密度が７〜１０ｍＴ、端部領域Ｅ表面の磁束密度が蒸発源中心部側から蒸発源端部まで連続的に増加し、端部領域Ｅ表面中心側が７〜１０ｍＴ、端部領域Ｅ表面最端部が１５ｍＴ以上、内側領域Ｃ表面の磁束密度の標準偏差が０．６以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを用いた表面処理の生産性、効率性向上を図ることのできるイオン化率の計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いて表面処理を行う真空チャンバ１内に、少なくとも一つのイオン化率計測用基材ホルダー８に複数個のイオン化率計測用基材４を配置し、該イオン化率計測用基材４に略プラズマ電位以下の電位を印加した場合とプラズマ電位より高い電位を印加した場合について、同一時間、成膜を実施し、その後それぞれのイオン化率計測用基材４の膜厚を測定して、その膜厚測定結果からイオン化率を算出する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット２として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ１内でこのターゲットに処理対象物Ｗを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、透明電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減できる生産性の高い半導体発光装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。そして、前記磁界を遮蔽した状態で、前記透明電極に含まれる第１の透明導電膜を前記被処理ウェーハの表面に形成する工程と、前記被処理ウェーハと前記ターゲットとの間に前記磁界を介在させ、前記透明電極に含まれる第２の導電膜を前記第１の透明導電膜の上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。
【解決手段】統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、アノードを備える内部導電性表面を有する容器と、コーティング・チャンバーのチャンバー壁から隔てられている絶縁された外側本体部とを具備する。容器は、コーティング・チャンバーと連通する容器の周に比べて小さい周を持つ単一の開口部を有する。スパッタリング・ガスおよび反応性ガスは、投入口を通して容器内に、また単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に結合される。プラズマは、カソードからやってきて、アノードを通して電源に戻る高密度の電子によって点火される。比較的低いアノード電圧は、化学量論的誘電体コーティングを形成するために活性化反応性ガスのプラズマを十分維持できる電圧である。 （もっと読む）

【課題】マグネトロン型スパッタ装置において複雑な駆動機構などを要することなくターゲットのエロージョンプロファイルを改善してターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】ターゲット裏面の外周縁に沿って配置された外周磁石１と、外周磁石１の内周側に外周磁石１と間隔を有して周回配置された内周シム６と、ターゲット裏面の中央部でターゲットの長軸方向に沿って伸張して内周シム６内周側と間隔を有して配置された中央シム７を備え、外周磁石１は、ターゲットの短軸方向両端部に位置して長軸方向に伸長し、互いに異極の長軸磁石部２、３と、長軸方向両端部に位置して、長さ方向で二つに分割され、隣接する長軸磁石部２、３と同極の磁極を有する短軸磁石部２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂを有し、生成プラズマ密度が一様となり、ターゲットのエロージョンを均一にできる。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光散乱効果を持つＺｎＯ系膜を高い成膜速度で成膜できる生産性のよい成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明では、成膜室１内に処理すべき基板ＷとＺｎＯを主成分とするターゲット３１とを配置し、真空雰囲気の成膜室１内に希ガス等のスパッタガスを導入し、ターゲット３１に所定電力を投入し、プラズマ雰囲気を形成してターゲットをスパッタリングすることで、基板Ｗ表面にＺｎＯを主成分とする薄膜を成膜する。スパッタリングによる成膜中、前記プラズマに基板Ｗが曝されるようにし、成膜室１内の圧力を２Ｐａ未満に保持する。 （もっと読む）

【課題】プロセス上重要なデータを求める際の誤差を最小限に抑えるため、真空析出プロセスのプロセス的に重要なデータの求める方法を提供する。
【解決手段】マグネトロンに連結されたターゲットでコーティングされる際の光学的発光スペクトルで、少なくとも２つのプロセス材料によって、スペクトル線の少なくとも３つの強度Ｉ_１．．．Ｉ_３が光学的発光スペクトルから求められることによって解決される。この発光スペクトルから、単一または多重の強度が互いに数学的に合成され、そして合成結果から、他の数学的合成によってプロセス上重要なデータが求められ、このデータが後続の測定プロセスまたは制御プロセスで使用される。 （もっと読む）

【課題】均一な面内膜厚を有した薄膜を堆積させるとともに、使用効率の良いスパッタができるスパッタリング用ターゲットを提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。また、スパッタリング用ターゲットは、前記ターゲット原子がスパッタされるスパッタ面側の表面にスパッタ面の中心からの距離に応じた同心円状の厚みを持たせることによって前記スパッタ面が湾曲させられるとともに、湾曲させられた前記スパッタ面の表面に複数の凹凸形状部が形成されている。そして、前記凹凸形状部は、前記スパッタ面の凹部位置から所定の角度で斜め方向に叩き出されたターゲット原子を前記凹凸形状部の側壁に衝突させることで、前記斜め方向に叩き出されたターゲット原子が前記スパッタ面から放出されることを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、薄膜を構成する物質のスパッタ粒子を基板に向けて放出する放出部と、放出されたスパッタ粒子のうち少なくとも一部を帯電させる帯電部と、帯電した状態で基板に到達するスパッタ粒子の運動エネルギーの大きさを調整する調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で被処理体３上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる２種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体６を、独立に出力調整可能な複数の電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置し、２種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの各出力電力をそれぞれ０％〜１００％の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な薄膜を効率よく成膜可能なスパッタリング成膜装置及び太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】反応室２１内に、成膜対象となる基板１０と、基板１０に対向して配置されたカソード電極となるターゲット２３と、基板１０とターゲット２３との間に配置されたアノード電極２４とを備えたスパッタリング成膜装置において、アノード電極２４が、櫛歯状をなし、該櫛歯状の隙間部分が成膜面に対して投影されるように配置されているスパッタリング成膜装置を備えた太陽電池製造装置。 （もっと読む）

【課題】ＨＩＰＩＭＳのスパッタ源のプラズマに含まれるイオンの生成分布を安定して検出する。
【解決手段】ＨＩＰＩＭＳのスパッタ源で発生したプラズマに含まれるイオンをＴＯＦ質量分析にかけて、イオンの生成分布を検出する。その際、プラズマからの光を検出し、ＴＯＦ分析装置におけるイオンの飛行時間の開始時刻をプラズマからの光に基づき定める。ＨＩＰＩＭＳのスパッタ源に対向するＴＯＦ質量分析装置の開口部はスパッタ源のターゲットより低い電位とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理にあたって、安価でコンパクトなプラズマ電位やイオン速度等のプラズマ状態の計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマと該分析器の間に印加した電圧と質量分析器において同一イオンが検出された条件との関係からイオン速度とプラズマ電位との関係を算出し、さらに該質量分析器をシングルプローブに見立てて、質量分析器とプラズマ間に連続的あるいは断続的に負から正の電圧を印加し、これらの関係からプラズマ電位を算出し、前記イオン速度とプラズマ電位との関係と算出したプラズマ電位との関係からプラズマ中のイオン速度を算出する。 （もっと読む）

【課題】金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、膜厚分布を向上させることが可能なスパッタ成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、被処理基板２０３の非成膜面側に磁石２０５を配置し、スパッタ作用により飛散されたターゲット粒子を磁界によって捕らえることで成膜粒子を導くことにより、被処理基板２０３の膜厚分布を均一化する。 （もっと読む）