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Fターム[4K029EA07]の内容

物理蒸着 (93,067) | 測定、制御 (3,915) | 蒸気流分布 (48)

Fターム[4K029EA07]に分類される特許

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【課題】コア・シェル構造のクラスターを高速で効率良く製造するクラスター製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】クラスター製造装置は、一列に並べられかつ同一方向に向けられたアブレーション面31〜33をそれぞれ有する複数のターゲット材料21〜23と、該アブレーション面31〜33に一定の繰り返し周波数のレーザ51〜53を同時に照射するレーザ手段と、該アブレーション面31〜33にそってこれと平行にキャリヤガス15を流すガス手段とを備えている。該キャリアガス15の流れ方向に隣り合うターゲット材料21、22において、上流側ターゲット材料21にレーザ51が照射されプルームP1が発生し、キャリヤガス15によって、下流側ターゲット材料22上まで搬送される間に、プルームP1中にコアが形成され、その周囲に下流側のターゲット22で生成したプルームP2によるシェルが形成される。 (もっと読む)


【課題】ウエハのステップ回転を用いることなくイオン注入を行う場合に、プラズマを利用した工程及びアニール工程で発生しやすい面内不均一パターンに対応した形状に対応した2次元イオン注入量面内分布を実現する。
【解決手段】イオンビームを往復走査し、イオンビーム走査方向に直交する方向にウエハをメカニカルに走査して、イオンをウエハに注入するに際し、イオンビーム走査方向のビーム走査速度とメカニカル走査方向のウエハ走査速度を同時かつ独立に、速度補正量を規定する別々の制御関数を用いて速度制御して、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正するための等方的な同心円形状のウエハ面内イオン注入量分布を生成する。 (もっと読む)


【課題】基板に薄膜を成膜させるのと同時に、膜厚の制御を行うことが可能な蒸着処理装置を提供する。
【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板に薄膜を成膜する成膜部を備え、前記成膜部は前記基板に噴射される材料ガスの蒸気濃度を測定する検知手段を有し、前記検知手段における測定結果に基づいて成膜条件を制御する制御部を設けた、蒸着処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】材料利用効率が高く、膜厚分布を均一にでき、かつ、装置が大型化することを抑制できる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】長手方向を有する蒸発源1及び前記蒸発源1を前記蒸発源1の長手方向と垂直なスキャン方向に駆動させる機構を有する真空蒸着装置において、前記蒸発源1の長手方向に複数の異なる形状を有するノズル2を備え、前記ノズル2から噴射する蒸気の放射分布が、長手方向の中央部に対して両端部では狭まった放射分布を有する。これによって、長手方向の両端部付近のノズル2から噴射して基板3の有効面の外側に蒸着される無駄な有機材料の消費量を抑え、膜厚均一性の高い有機薄膜を高い材料利用効率で成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】大面積基板に均一な膜厚の薄膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】真空槽8内に配置された細長の放出装置30の両端位置の第一、第二の接続口38a、38bに、第一、第二の蒸気生成装置20a、20bを接続し、第一、第二の蒸気生成装置20a、20bから、放出装置30の両端位置に成膜材料の蒸気を供給する。放出装置30の一端から他端に亘って、真空槽8内に蒸気が均一に放出される。第一、第二の蒸気生成装置20a、20bから放出装置30に供給される蒸気の供給速度を個別に制御することで、膜厚が均一な薄膜を基板6の成膜面上に成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明のシンチレータパネルを用いることにより、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができる。
【解決手段】一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、X線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。 (もっと読む)


【課題】大型基板量産工程に容易に適用でき、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第1方向に沿って複数の第1スリットが形成される第1ノズルと、第1ノズルと対向するように配され、第1方向に沿って複数の第2スリットが形成される第2ノズルと、第1ノズルと第2ノズルとの間に第1方向に沿って配されて、第1ノズルと第2ノズルとの間の空間を複数の蒸着空間に区画する複数の遮断壁を備える遮断壁アセンブリーとを備える薄膜蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】蒸着装置を提供する。
【解決手段】被処理体に蒸着物質を蒸着させる蒸着装置において、蒸着物質を被処理体に蒸着させる蒸着源と、被処理体と離隔されて配され、一面上に蒸着源が配されるベースと、蒸着源と被処理体との間に位置する第1補正部及び第2補正部とを具備し、第1補正部及び第2補正部は、互いに対向するように、蒸着源の外郭部にそれぞれ配され、第1補正部及び第2補正部は、それぞれ回転しつつ、被処理体に蒸着される蒸着物質の厚さを調節することを特徴とする蒸着装置を提供する。 (もっと読む)


1つの実施の形態における本発明は、蒸発材料を含んだ複数の気体流を基材に送り出すという形で、蒸発材料を運ぶ第1の気体流を基材に提供して基材上で積層させること、気体流を囲む気体カーテンを形成することにより、目標印刷範囲を越えて気体流が拡散するのを防ぐこと、蒸発材料を目標印刷範囲で凝縮させること、に関する。また、別の実施の形態では、熱を利用して蒸発材料の流れと積層の厚みとを制御する。 (もっと読む)


【課題】
フィルムロール状に巻き取った際に、シワやクラックになりにくい金属蒸着ポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】
ポリエステルフィルム層(F層)の少なくとも片面に金属酸化物を含む層(M層)を設けた金属蒸着ポリエステルフィルムであって、M層の光学濃度ODが0.7〜8.0であり、幅方向の蒸着厚みムラが20%以下である金属蒸着ポリエステルフィルムとする。 (もっと読む)


【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Wを収納する真空容器2と、真空容器2内において被処理基板Wを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー3と、搬送される被処理基板Wに対向して真空容器2内に設けられるハース4A,4Bと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン6,7と、ハースに対向するとともに、被処理基板Wを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段15Aと、を備え、歪曲手段15Aは、N極側が材料源に対向する第1の磁石と、S極側が材料源に対向する第2の磁石と、を有し、ハース4A,4Bと被処理基板Wとの間の空間に磁界を発生させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。
【解決手段】シリコン蒸発源15の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットJの気流に乗せて真空チャンバー30中に噴出して、真空チャンバー30中に配置された基板33上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 プラズマそのものの特性を変化させることなく、基板上のプラズマの分布を一様にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置1は、真空容器3を有している。
真空容器3の上面には誘電体8が設けられており、誘電体8上には、プラズマ発生用コイル7が設けられている。
真空容器3の内部には基板51を保持する保持手段2が設けられている。
保持手段2には、調整手段4が設けられている。
プラズマ処理を行う場合は、真空容器3内をガス置換した後にプラズマ発生用コイル7を作動させ、保持手段2にバイアス電位を負荷し、プラズマを発生させる。
そして、調整手段4を用いて、シース面が均一高さ42に来るように保持手段2の位置を調整する。
このように調整することにより、プラズマ37の条件を変えることなく、基板51の表面を均一処理できる。 (もっと読む)


【課題】 厚み変動を小さく、かつ収率を高くすることができる、薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜形成装置10は、真空引き雰囲気の蒸着チャンバー内で、蒸着源から物質を蒸発させて基材1に蒸着膜を形成する装置であり、この装置では、基材1を蒸着源に面するように保持する基材ホルダー3を備え、基材ホルダー3は、基材1が蒸着源7を囲い込む筒状体をなす面に沿って配置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、このような実情に鑑み、従来より高精度の組成比変化にて、多元化合物を一
度の蒸着にて生成できる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明1の多元化合物作製装置は、一つの蒸着室内に、蒸着材料を蒸発させる材料蒸発機構と、前記材料蒸発機構からの蒸気により蒸着される基材を保持する基材保持部と、この基材保持部と前記材料蒸発機構との間に配置した蒸気通過用開口部を持つマスクと、このマスクを前記基材の蒸着面に沿って移動させるマスク移動機構とを有する多元化合物作製装置であって、前記マスクと基材に蒸着面との間隔を調整する間隔調整手段が設けてあることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Siウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やAl層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1上の絶縁層2に穴3を形成する。ターゲット5と半導体基板1との距離を第1の値L2とする第1のスパッタリングによってターゲット材料5aを穴3に成膜し、上記距離を第1の値L2よりも小さい第2の値L1とする第2のスパッタリングにより、ターゲット材料5aを穴3に成膜する。第1のスパッタリングは異方性スパッタリングであり、第2のスパッタリングは等方性スパッタリングである。また、第1のスパッタリングはロングスロースパッタである。 (もっと読む)


【課題】基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、グラデーション層を安定してバラツキなく同時に複数の基板に成膜することの可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ内でターゲットを動作ガスでスパッタリングして基板上に光学特性の異なる少なくとも第1第2の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして誘電体膜層層と金属膜層を積層状に形成する減光フィルタの成膜方法であって、上記誘電体膜層は、誘電性物質若しくは金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成した後、形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。また上記金属膜層は、金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成され、または形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによる成膜において、基板2の直径dと同等又はこれより小さい直径Dのターゲット3を用いて、膜厚分布の小さな成膜を可能とする。
【解決手段】回転可能にセットされた基板2と、ターゲット3とを備えたスパッタリング装置において、前記基板2の法線に対する前記ターゲット3の中心軸線Aのなす角度をθ、前記ターゲット3の中心軸線Aと前記基板2の表面を含む平面との交点Pと基板2の回転軸線Bとの距離をF、前記交点Pと前記ターゲット3の中心との距離をLとした時に、前記ターゲット3を、以下の条件を満たすと共に、前記ターゲット3の中心から前記前記基板2の表面を含む平面への垂線が前記基板2の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。
d≧D
15°≦θ≦45°
50mm≦F≦400mm
50mm≦L≦800mm (もっと読む)


【課題】優れた防曇性を有し、かつ、強度も高い防曇膜の形成方法を提供する。
【解決手段】無機酸化物を主成分とする防曇膜を気相成膜法によって形成するに際し、防曇膜を形成する基板12の法線と、防曇膜の材料粒子が前記基板に入射する入射方向とが成す角度を20〜85°として、防曇膜の形成を行う。さらに基板と材料源との距離を100〜2000mmとし、成膜圧力を5x10-4〜5x101Paとし、基板温度を600℃以下に制御する。 (もっと読む)


【課題】グラニュラー磁性層における磁性粒子が基板円周方向にも半径方向にも均一に形成され、磁気特性のより一層の向上を実現することにより、高情報記録密度化に資することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも軟磁性層と配向調整層と磁気記録層とを順に備え、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体の製造方法であって、配向調整層及び磁気記録層のそれぞれの成膜時に、ターゲット1から放出されるスパッタ粒子を、電位調整可能な多段から成るコリメータ板2,3を通して基板7表面に堆積させる。上記多段のコリメータ板2,3の各々に−300V〜300Vの範囲内で直流バイアスを印加する。 (もっと読む)


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