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【課題】透過照明方式により性能に優れ、かつ、マスクの有効活用が可能となるマスクアラインメント光学システムを提供する。
【解決手段】蒸着材料を基板上に蒸着する真空蒸着チャンバ1中において、基板6とメタルマスク102とのアライメントを行うマスクアラインメント光学システムでは、メタルマスクの周囲に形成されて四隅にL字状の導光路が形成された固定フレーム101と、基板を表面に搭載すると共に、その四隅にL字状の導光路が形成されたステージ201を備えており、固定フレームの一部に形成された導光路103、及び、ステージの一部に形成された導光路内に導かれた光によるアラインメントマークの透過像によって、メタルマスクとのアライメントを行うマスクアライメント光学システム。 (もっと読む)


【課題】基板とマスクとの隙間を高精度に制御することのできる有機ELデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】真空処理室内に設けられたシャドウマスクと、基板を載置する基板ホルダーと、基板とシャドウマスクとの間を、接近させ又は離間させる基板密着手段と、基板ホルダーの四隅に設けられた距離計測機構とを備え、距離計測機構は、基板ホルダーを貫通するように設けられた距離計測用空間と、基板ホルダーの表面上に設けられた透明ガラス板と、距離計測用空間に配置された距離計測部とを備え、距離計測部は、光を発射し反射光を受光して距離を計測する距離計と、距離計を真空処理室内の雰囲気から隔離する距離計筐体と、距離計筐体の一部に設けられた透明ガラス窓とを備え、距離計が、透明ガラス窓を介して透明ガラス板とシャドウマスクとの間の距離を計測するよう、有機ELデバイス製造装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】成膜用ワークを、その成膜面に成形痕あるいは取出痕が付かないように成形して取り出し、高均質の薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】射出成形により成形した成膜用ワーク(W1)を取り出すとき、成膜用ワークの成膜面(M1)が可動側金型(5)に残るように型を開き、型を開くことにより露出した非成膜部(M’1)を吸着して前記可動側金型(5)から取り出す。このとき、成膜用ワーク(W1)の縁部と、該縁部が付着している可動側金型(5)のパーティング面(P)との間に圧縮空気(24、24)を吹き付け、真空吸着力を破壊して剥離する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程を精度良く監視する。
【解決手段】第3のセンサの出力波形は、センサのダイナミックレンジに相当する波形A1がレシピに従った処理によって形成される。この後、レシピに従って基板に処理が行われ、処理を起因する波形A2が形成される。波形A2は、ノイズレベルの信号である。第3のセンサの出力波形を正規化処理すると、ノイズレベルの信号が増幅されることが防止される。第1のセンサ、第2のセンサ、及び第3のセンサの出力波形をそれぞれ正規化処理したデータを用いて多変量解析することで、半導体製造装置の運転状態を監視する。 (もっと読む)


【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧1×10−1〜1×10−3Torrという環境下にて予めグロー放電によるプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第1高分子樹脂層、ガスバリア層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 (もっと読む)


【課題】積層体の長手方向に、基材と保護フィルムとの密着力が変化した場合であっても、基材と保護フィルムとを適正に剥離させることができ、基材の搬送テンションが緩んで、ツレシワが発生したり、熱ダメージを受けて、基材が損傷することを防止する。
【解決手段】処理を行なう前の積層体の搬送中に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第1検出工程と、第1検出工程と成膜処理との間に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第2検出工程と、第1検出工程と第2検出工程の検出結果に応じて、第1検出工程と第2検出工程との間で、保護フィルムが基材から剥離するように、剥離力を制御する制御工程とを有することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】精度よく、成膜対象物に均一な膜を成膜することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出させるための成膜源21と、前記成膜源を、所定の成膜待機位置と成膜位置との間で成膜対象物に対して相対的に移動させる移動手段と、前記蒸着源から放出される前記成膜材料の放出量を測定するための測定用水晶振動子22と、前記測定用水晶振動子を校正するための校正用水晶振動子23と、を備える成膜装置であって、前記測定用水晶振動子及び前記校正用水晶振動子が、前記成膜源の所定の成膜待機位置の上方に固定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】有機材料の利用効率の向上と装置設置面積の削減とを両立させて、有機ELデバイスの製造コストを低減できる薄膜形成装置及びインライン型の有機ELデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板16の搬入位置20に配置され、基板16と蒸着マスク17とを相対的に移動させて位置合わせする位置合せ機構15と、基板16が組み込まれた蒸着マスク17を搬送する搬送機構14と、基板16と蒸着マスク17が移動しながら、蒸着マスク17の開口部を通して基板16上に有機材料を積層する成膜機構13と、を備え、少なくとも成膜機構13の前段もしくは後段のいずれか一方において、基板16の搬入位置20もしくは搬出位置21の搬送機構14a、14cと成膜区間の搬送機構14bとが並列配置されている。 (もっと読む)


【課題】安価かつ簡易な方法で洗浄することができ、付着していた蒸着物の回収を容易に行うことができるメタルマスクを提供する。また、該メタルマスクの洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の表面に親水性コーティングが施されたメタルマスクであって、前記親水性コーティングは、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、四ホウ酸ナトリウム十水和物を0.01〜1.5重量%含有する水溶液A、又は、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、リン酸ナトリウムを0.01〜1.6重量%含有する水溶液Bをメタルマスクの少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させるものであるメタルマスク。 (もっと読む)


【課題】ターゲットの表面の状態に応じてバーンインの最適化を図ることができる半導体製造装置、ターゲットの表面処理方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るスパッタリング装置1は、半導体ウエハWが配置されるテーブル3、及びテーブル3に対向する位置に設けられたターゲット4を収容する処理容器2と、処理容器2内に放電ガスを供給するガス供給部10と、ターゲット4に電力を供給して放電させ、これによりプラズマを生成してイオン化した放電ガスでターゲットをエッチングするパルス電源部12と、プラズマの生成後の放電電圧を測定する電圧測定部13Aと、ターゲット4のエッチングの進行状況に起因する電圧測定部13Aによる測定値の変化に基づいて、ターゲット4のエッチングを終了させる制御を行う制御部14Aとを備える。 (もっと読む)


【課題】薄膜抵抗と配線部との接触抵抗が高抵抗化することを抑制できる薄膜抵抗を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置内において事前にチタンの表面を窒化させておくことで窒化チタンを形成しておき、その後、窒素の導入を停止した状態で窒化チタンをターゲットとしたスパッタにより、窒化チタン膜によって構成される第1金属層5を形成する。これにより、薄膜抵抗Rと接触する第1金属層5を形成する際に、スパッタ装置内に窒化ラジカルが基本的には存在していない条件で第1金属層5の成膜を行うことができるため、薄膜抵抗Rの露出部分に窒化物が形成されないようにできる。したがって、薄膜抵抗Rと配線部の一部を構成する第1金属層5との接触抵抗が高抵抗化することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なIn−Gn−Zn系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】In(インジウム)、Zn(亜鉛)、Ga(ガリウム)及びSn(錫)を含有し、Sn(錫)の原子比が下記式を満たす酸化物焼結体。
0.01<Sn/(In+Ga+Zn+Sn)<0.10 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法によって薄膜を形成するにあたり、より生産性の高い成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成する成膜方法は、基板上に薄膜を形成する成膜工程S3と、成膜工程S3の終了後にターゲットを所定の温度に冷却する待機工程S4とを備え、成膜工程S3及び待機工程S4において、第1冷媒と、第1冷媒より低温の第2冷媒とを用いてターゲットの温度が調節されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マイクロ電池製造時のリチウム真空堆積プロセスで用いられるメカニカルマスクから安全にリチウムを除去するとともに、該リチウムをリサイクルする方法を提供する。
【解決手段】支持体上の金属リチウムの除去方法は、プラズマ応用ステップを備える。プラズマは、50Wから400Wの間のパワーを持つ炭素源及び酸素源から形成される。プラズマは、金属リチウムを炭酸リチウムに変換する。さらに、水溶液に炭酸リチウムを溶解させるステップを備える。 (もっと読む)


【課題】基板を搬送しながら行う蒸着において、蒸着位置精度を向上して緻密なパターンの形成を可能にする。
【解決手段】蒸着マスク16R,16G,16Bによる蒸着位置の基板の搬送方向手前側の位置を撮像可能に設けられた撮像手段4により、蒸着マスク16Bに形成されたアライメントマークと有機EL表示用基板9表面に予め形成されたピクセルとを撮像し、該撮像画像に基づいてアライメントマークの基準位置とピクセルの基準位置との間の位置ずれ量を検出し、該位置ずれ量が所定値となるようにアライメント手段5により蒸着マスク16R,16G,16Bを上記基板面に平行な面内にて搬送方向と略直交する方向に移動して位置合わせしながら、搬送中の有機EL表示用基板9のピクセル上に所定のパターンを蒸着して形成するものである。 (もっと読む)


【課題】酸を含まない水を用いて防着板やマスクの洗浄を行える技術を提供する。
【解決手段】Liイオン二次電池を製造する工程で用いられる、マスクと防着装置等の、電解質膜が厚く形成される真空部品は、真空槽から着脱自在であるように構成されている。これらの部品を洗浄する場合は、電解質膜が付着した真空部品を取り外し、付着した電解質膜に、中性の水(pH6〜8)を注水、又は散布して、真空部品から電解質膜を剥離させる。モル比Qの値が大きくなるに従って残渣率が小さくなる傾向があり、モル比Qの値が0.26以上の値では、試験基板表面に成膜されたLiPON薄膜の80%以上が剥離しており、中性の水によってLiPON薄膜を剥離できた。方法は、モル比Qの値が0.26以上のLiPON薄膜を剥離するのに効果的である。 (もっと読む)


【課題】蒸着源からの蒸気を遮ることなく、試料のほぼ外周全域にわたって存在させながら、試料の外周表面の全面に蒸着膜を形成することができる蒸着装置とこの蒸着装置を用いた蒸着方法を提供すること。
【解決手段】中心軸を水平方向に向けたコイルバネ状の形状を有するホルダー2と、試料1をホルダーの内側に保持した状態においてホルダーをその中心軸の周りに回転させる回転手段とを備え、回転手段によってホルダーをその中心軸周りに回転させることにより、試料をホルダーに対して回転させ、蒸着源に対する試料の向きと姿勢を変更し、向きと姿勢を変更させながら試料の外周表面全面に前記蒸着源からの蒸気による蒸着膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】プラスチック単層フィルムでなるベースフィルムに熱変形を生じさせることなく金属膜を成膜することができる生産性に優れた巻取式真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】金属膜の蒸着前においては、原料フィルム12を帯電させることによりキャンローラ14へ密着させる。金属膜の蒸着後においては、原料フィルム12をガイドする補助ローラ18とキャンローラ14との間にバイアス電圧を印加することにより原料フィルム12をキャンローラ14へ密着させる。これにより、熱変形を生じさせることなく原料フィルムへ金属膜を成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】 ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Wに処理を施す処理室21a又は21bを備えた処理部2と、処理室21a又は21bに、被処理基板Wを搬入出する搬入出室31と、搬入出室31に設けられ、被処理基板Wを収容する被処理基板キャリアCが取り付けられる被処理基板用ロードポート32a乃至32cと、搬入出室31に設けられ、ダミー基板Wdを収容するダミー基板キャリアCdが取り付けられるダミー基板用ロードポート33と、搬入出室31に設けられ、ダミー基板Wdを格納するダミー基板格納部34と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層83と磁気記録パターン83aに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板80をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層83のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン83aを形成する工程と、記録磁性層83上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板80を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 (もっと読む)


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