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【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、当該表面処理層は、銅箔の張り合わせ面に亜鉛成分を付着させ、融点1400℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて得られることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。そして、少なくとも、この表面処理銅箔の高融点金属成分及び炭素成分の形成には、物理蒸着法を用いる。 (もっと読む)


【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、SOI構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ1、電気絶縁性材料を含み、かつ2nm〜100nmの厚さを有する第一非晶質中間層2、立方晶系Ia−3結晶構造と、(Me123-1-x(Me223xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と0%〜5%異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層3を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 (もっと読む)


【課題】硬質材層を除去する
【解決手段】硬質合金製工作物上に布設された硬質材層の除去が電気分解による不動態化によって行われ、その際、層除去プロセスの始めには、少なくとも0.01A/cm2の最大電流密度が工作物において設定される。これによって、その下にある硬質合金材料が重大な損傷を受けることなく、硬質材層が一気に剥落する。 (もっと読む)


【課題】表面が平坦であり、かつ結晶化の高い緻密な金属酸化物膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】トリガ電極と蒸着用金属材料で少なくとも先端部が構成されたカソード電極とが、絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定されており、カソード電極の周りに同軸状に円筒状のアノード電極が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源を用いて、酸化性雰囲気中でカソード電極を構成する金属材料を成膜装置内に載置した基板上に蒸着せしめて、金属酸化物微粒子を形成し、次いで前記カソード電極と同じ金属材料又はその金属の酸化物で構成されたスパッタリングターゲットを備えた蒸着源を用いて、金属酸化物微粒子の上に金属酸化物膜を形成した後、蒸着膜の形成された基板を加熱処理する。 (もっと読む)


【課題】電気絶縁性シート、特にプラスチックフィルムの薄膜形成工程で発生する、熱負けを軽微にし、かつフィルムのシワやブロッキングの原因となる薄膜未形成面に残る帯電を軽微にする薄膜形成装置ならびに薄膜付きシートの製造方法を提供することである。
【解決手段】回転する円筒状シート案内面の周面に沿って搬送する電気絶縁性シート上に、微粒子発生源から飛来させた微粒子を堆積させ、薄膜を形成する薄膜付きシートの製造方法において、前記シート案内面上の前記シート薄膜形成面に、プラズマ発生源から供給される荷電粒子のうち、いずれかの極性の荷電粒子を主に誘導することにより前記シートを帯電させた後、前記シートに薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をTiNとし、シリコン基板11上に、例えばレーザーアブレーション法によりTiN微粒子12を、直径3nm程度に設定して堆積した後、TiN微粒子12が堆積されたシリコン基板11上に、例えばレーザーアブレーション法によりCo微粒子13を、TiN微粒子12と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径1nm程度に設定して堆積する。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVDによる成膜と、蒸発源を用いる成膜とを、成膜空間を大気圧に開放することなく、連続して行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発材料8aが充填される坩堝8bの開口には、開閉可能な遮蔽部材8cが配置され、遮蔽部材8cは、プラズマ源2の陽極を兼用する。これにより、プラズマCVD工程では、陽極を兼用する遮蔽部材8cによって蒸発材料8aを遮蔽することができるため、蒸発材料8aに膜が付着しない。また、遮蔽部材8cを陽極とすることにより、遮蔽部材8cがプラズマの放電に影響を与えない。また、遮蔽部材8cを開放し、蒸発材料8aを蒸発させて蒸着工程を行うことができる。遮蔽部材8cがプラズマ5aで加熱されるため、遮蔽部材8cの内側に付着する蒸発物を蒸発させて除去することも可能である。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによる機能層の形成時における損傷を軽減しつつ生産性を向上し得る電子素子材料の中間体を提供する。
【解決手段】スパッタリングによって基板100の表面100aに所定の機能層が形成されて構成される電子素子材料の製造に用いられる電子素子材料の中間体であって、スパッタリングの実行時に発生する異常放電を誘導する導電性の放電誘導膜102aが機能層の形成以前における基板100の外周縁部の所定部位に形成されている。 (もっと読む)


【課題】緻密かつ耐擦傷性機械特性が強く、さらに透湿度が高く、高湿熱耐久性の高い反射防止フィルムおよびこれを有する偏光板の提供。
【解決手段】透明基材フィルム1上に、ハードコート層2、2層以上のプライマー層3,4、反射防止層5を順次積層した反射防止フィルム100であって、該2層以上のプライマー層3,4が、金属あるいは金属化合物単体もしくは混合物よりなり、かつ、該2層以上のプライマー層3,4が、異なる組成であることを特徴とする反射防止フィルム100。 (もっと読む)


【課題】複数の種類の成膜材料を用いて、様々な成膜構造を実現することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成形体が載置された金型を型締めすることで成形体を成膜するための成膜空間が形成される成膜チャンバ57と、成膜チャンバ57内に配置された成膜材料と、成膜材料を成形体に成膜させるためのヒータとして機能する電極45とを備えた成膜装置40において、成膜材料が複数配置されている。 (もっと読む)


【課題】液晶に対して任意のプレチルトを与え、かつ安定したアンカリング力を与えることにより高い表示品位を実現することが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板との間に液晶が挟持されてなる液晶装置において、電極9a上に形成されてなり、所定の方向に延在し、かつ所定の間隔で配列された複数の溝部31を有する下地膜30と、該下地膜30上に形成され、前記溝部31の延在方向に沿って所定の角度θ0だけ傾斜して凸設される複数の柱状構造物により構成された斜方蒸着膜40とによって構成される配向膜16を具備する構成とした。 (もっと読む)


【課題】情報端末入力に利用されているタッチパネルの上部(可動)透明電極やLCDや有機EL素子を用いたフィルムディスプレイなどにおける透明電極を構成する、摺動耐久性に富む透明導電性フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】透明なプラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、プラズマイオン注入法によってイオン注入層が形成されており、そのイオン注入層の上には非結晶性の酸化物薄膜からなる透明導電性薄膜が積層されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】鋳造すべき溶融金属によって表面にクラックやコーティング層の剥離が生じにくく、耐ヒートチェック性に優れたダイカスト金型、およびその表面処理方法を提供する。
【解決手段】溶融金属の鋳造に用いられるダイカスト金型であって、係るダイカスト金型における表面3のうち、少なくともキャビティを含む表面3に被覆され、IVA族、VA族、VIA族の少なくとも一種の金属(例えば、Ti、V、Cr)またはこれらの合金からなり、マイクロビッカース硬さが1000Hv以下で且つ厚みが1〜30μmの第1層4と、係る第1層4の表面上に被覆され、IVA族、VA族、VIA族の少なくとも一種の金属との炭化物(例えば、TiC)、窒化物(例えば、TiN)、酸化物(例えば、Cr)、あるいは炭窒化物(例えば、TiCN)からなる第2層6と、を含む、ダイカスト金型1。 (もっと読む)


【課題】放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、X線を曝射し、放射線画像変換パネルを曲げて搬送する読み取りシステムにより読み取りを行った場合、放射線画像変換パネルの割れ、蛍光体の剥離或いは画像ムラの発生のない、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が50〜500mmであることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、電子機器部品に用いられるプリント配線用スクリーン印刷版や大面積濾過フィルター等の微細織物からなるステンレスメッシュの表面を、平滑化すると共に織物の剛性および抗張力を向上した高品位金属繊維織を提供するもので、減圧下において少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボンイオン注入と傾斜構造を持った高品位なDLC膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
スクリーンメッシュが多数枚セットした状態で、少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、この中の非処理物に高周波パルス電圧を印加して、基材中にカーボンイオン注入した後、DLC膜を形成した金属繊維織物部材及びその表面処理方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】耐食性に優れた高耐食性部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼製の基材と、基材の表面の少なくとも一部に被覆された中間層と、中間層の表面の少なくとも一部に被覆された非晶質炭素膜と、を備える高耐食性部材は、少なくとも基材の表面の温度が450℃以下の低温で、中間層および非晶質炭素膜が形成されてなる。
表層部が窒化処理されたステンレス鋼製の基材と、基材の表層部の表面の少なくとも一部に被覆された非晶質炭素膜と、を備える高耐食性部材は、少なくとも基材の表面の温度が450℃以下の低温で、窒化処理および非晶質炭素膜の形成が行われてなる。
上記の高耐食性部材は、製造工程において、ステンレス鋼製の基材の表面が、高温(>450℃)に曝されない。そのため、基材の耐食性は、元のステンレス鋼の耐食性と同等に保たれる。 (もっと読む)


本発明は、物品2の開口部にて蒸着/真空蒸着させることのできる材料にて膜壁3を生成する方法に関する。この方法は、蒸着可能な材料に対して剥離性のある層5にて被覆された裏打ち面4に接するように、開口部を画定する縁部配置する工程と、蒸着可能な材料を物品2及び裏打ち面4上に蒸着させて1つの要素を形成する工程と、要素と一体的な膜3が残しるようにして要素を裏打ち面4から分離する工程と、を含む。本発明は、膜3が設けられた物品、特に、前面側膜3が設けられた超音波トランスデューサ11にも関する。
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【課題】 長期間にわたって優れた硬度および美的外観を保持することができる装飾品を提供すること、および前記装飾品を提供することができる表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の装飾品の表面処理方法は、基材2の少なくとも一部(2a)に、窒化処理または浸炭処理による硬化処理を施す工程(2b)と、硬化処理が施された基材2上の少なくとも一部に下地層40を形成する工程(2c)と、下地層40上の少なくとも一部にイオンプレーティング法により被膜30を形成する工程(2d)とを有する。下地層40は、Ti、Crまたはこれらのうち少なくとも1種を含む合金から構成されるものである。また、被膜30は、TiN、TiC、TiCN、TiO、CrN、CrC、CrCNおよびCrOよりなる群から選択される少なくとも1種を含む材料で構成されたものである。 (もっと読む)


本発明は、微小構造を製造するための方法であって、基板の表面上にマスクを配置する工程;ならびに前記マスクおよび前記基板の陰になった表面領域上および陰になっていない表面領域上の両方に層を形成するために当該圧力で実施される当該蒸着条件下で原料物質を蒸着させる工程を含む方法に関する。
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【課題】表面の平坦性や結晶構造の完全性に優れ、かつ光学特性の良好なInNエピタキシャル薄膜を得るのに有用で簡便な成長方法を提供する。
【解決手段】InN薄膜をGaNバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、GaNバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約1分子層−2分子層(ML)の厚さのIn金属を供給する。またGaNバッファ層の極性がN極性((000−1)面、−c面)であってもよい。また、成長技術として窒素原子の供給手段としてN2ガスから発生するプラズマを用い、GaとInの供給手段としてルツボ内でInあるいはGa金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用してもよい。(RF−MBEと呼ばれる手法)。 (もっと読む)


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