【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気下でシリコン基材の表面部を微細加工により多孔質化し、次いで真空雰囲気のまま連続して当該表面部に成膜処理することができ、シリコン基材に不純物が付着することを抑えることのできる技術を提供すること。
【解決手段】真空室３１内にノズル部５を設け、ノズル部５の吐出口に対向するようにシリコン基板Ｗを保持する。例えばＣｌＦ３ガス及びＡｒガスをノズル部５の基端側から０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａで供給し、この混合ガスをノズル部５の先端側から１Ｐａ〜１００Ｐａの真空雰囲気に吐出させる。これにより混合ガスが断熱膨張し、Ａｒ原子やＣｌＦ３の分子が結合してガスクラスターＣとなる。このガスクラスターＣをイオン化させずにシリコン基板Ｗの表面部に照射し、当該表面部を多孔質化する。続いて真空を破らずに別の真空室４１でこのシリコン基板Ｗの表面にリチウムをスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】非晶質基材上に結晶性で配向性の良いＬａＮｉＯ_３、Ｌａ_２ＮｉＯ_４、ＳｒＲｕＯ_３などの導電性酸化物層を設けた基体を得ることを目的とする。
【解決手段】非晶質基材上にＬａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層を第一の温度で製膜した後、Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層の上に前記Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第２層を前記第一の温度より高い第二の温度条件で製膜し、Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第２層がＬａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層より結晶配向性が高いことを特徴とする非晶質基材上に結晶質Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料層を形成する方法。Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の上にＳｒＲｕＯ_３などの導電性酸化物層を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】作製時の技術閾値が低く、アンテナの電波特性を良好に保ちつつ、耐環境性能にも優れる平面アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平面アンテナは、誘電体で構成される基板１と、基板１上に形成された所定のパターンと、上記所定のパターン以外の基板１の表面を被覆する導体膜２と、保護膜６とを備える平面アンテナ１００であって、上記所定のパターンは、放射用スロットパターン３を含み、放射用スロットパターン３は、基板１の一方の主面に形成され、保護膜６は、放射用スロットパターン３、放射用スロットパターン３が形成された基板１の一方の主面を被覆する導体膜２、及び基板１の側面を被覆する導体膜２のそれぞれの上に形成されており、保護膜６は、膜厚が１〜２００ｎｍである。また、本発明の平面アンテナの製造方法は、スパッタリング法で導体膜２を形成する工程と、スパッタリング法で保護膜６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＭｇＯ薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯ薄膜の製造方法は、加熱工程と堆積工程からなる、強磁性体上へのＭｇＯ薄膜の製造方法であり、前記加熱工程は、２００℃以上の温度において実施され、前記堆積工程は、ＭｇＯとＭｇＦ_２からなるターゲットをスパッタリングすることにより実施され、前記ターゲットにおいて、前記ＭｇＯに対する前記ＭｇＦ_２の概算仕込み量が、２．３原子パーセント以上、７．０原子パーセント以下であることを特徴とする。本構成により、（１００）配向かつ結晶性に優れたＭｇＯ薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高品質な酸化物半導体ターゲットを形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層を構成する酸化物半導体の製造に使用する亜鉛錫複合酸化物（ＺＴＯターゲット）の製造工程において、意図的に原材料にＩＶ族元素（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ）またはＶ族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ）を添加することによって、ＺＴＯターゲットの製造工程時に混入されたＩＩＩ族元素（Ａｌ）による過剰キャリアを抑制し、良好な電流（Ｉｄ）−電圧（Ｖｇ）特性を有する薄膜トランジスタを実現する。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】第１および第２のメタルマスクを含むメタルマスクセットを用いて基板に所定の配線パターンを成膜する際、配線パターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】例えば、半導体基板１０２に所定の配線パターンを成膜する際に用いられる複数のメタルマスクを含むメタルマスクセット１００において、配線パターンの一部領域に対応した形状の開口部３４０を有する第１のメタルマスク１１０（チップ用マスク３２０）と、配線パターンの他の一部領域に対応した形状の開口部３５０を有し、さらに第１のメタルマスク１１０の開口部３４０を覆う形状の空間部３６０を有する第２のメタルマスク１２０（チップ用マスク３３０）とを備え、半導体基板１０２に順次設置される第１および第２のメタルマスク１１０、１２０を介してそれぞれ第１および第２の金属が基板に順次成膜されることにより基板に配線パターンが成膜される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を回避するべき、表面および表面近傍の固体領域のポリマー化合物である基体材料と他の材料との間の確り接合した複合体の提供。
【解決手段】表面および表面近傍の固体領域に僅かな活性表面エネルギーのポリマー化合物を有する基体材料と他の材料との接合複合体において、接合される物質１，４相互の間に、ナノ組織化されたナノ複合材料５を有する変移領域が、該変移領域が２０ｎｍ〜２０μｍの層厚を有しそして専らナノ複合材料５で形成されており、該ナノ複合体は基体材料１と他の材料４で構成されそして基体材料１と他の材料４との割合が基体材料１の直ぐ近くの専ら基体材料から他の材料４の直ぐ近くの専ら他の材料に亙って変化するように形成されており、その結果基体材料１が他の材料４中でナノ組織化されて変移することを特徴とする、上記接合複合体によって解決される。 （もっと読む）

【課題】光電変換層がセレンを含有するものである場合、そのセレンの使用量を低減するとともに、成膜チャンバ内におけるセレンの付着を抑制した成膜装置、およびこの成膜装置により成膜された光電変換層を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１１内に基材を搬送する搬送手段と、成膜チャンバ内を所定の真空度にする真空排気手段４０と、搬送される基材に光電変換層を形成する真空成膜手段と、成膜チャンバ内に設けられた成膜室１４，１６，１８とを有する。成膜室は温度１８０℃以上に温度調節された加熱壁３６と温度８０℃以下に温度調節された冷却壁３８とにより構成され、この成膜室に真空成膜手段が設けられている。成膜室に基材が搬送されて真空成膜手段により基材に光電変換層が形成される。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】意匠の自由度が高く、光沢性、鮮映性に優れ、複雑な表面形状に沿った表面性状の得られる加飾された硬化体を提供する。
【解決手段】表面粗さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下であるセメント質硬化体に、金属層１３を、離型層１１を介して担持したキャリアフィルム２０から熱転写して、鮮映性測定値（ＧＤ値）０．５以上の光沢膜を形成し、加飾されたセメント質硬化体とする。さらに、前記セメント質硬化体は、表面が平滑（表面粗さが１０μｍ以下）な型枠を使用して成形することにより、表面研磨をすることなく、表面粗さ（Ｒｍａｘ）を１０μｍ以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜４は、歪みに対する電気抵抗の変化率が３００以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜４は、Ｚｎ：Ｏの組成比が、３７．２１：６２．７９から、３７．６９：６２．３１の範囲内のＺｎＯから形成される。透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を有する透明導電膜を含み、シート抵抗が低く、かつ、湿熱条件後においてもシート抵抗の変動が少なく、屈曲性に優れた酸化亜鉛系導電性積層体及びその製造方法並びに酸化亜鉛系導電性積層体を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系導電性積層体１は、基材１１の少なくとも片面に、アンダーコート層１２と、透明導電膜１３とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であって、透明導電膜は、酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を複数層形成してなり、かつ透明導電膜のキャリア密度が２．０×１０^２０〜９．８×１０^２０ｃｍ^−３であり、酸化亜鉛系導電性積層体は、直径１５ｍｍ丸棒に対して透明導電膜を内側にして屈曲させ、屈曲前後でのシート抵抗値変化率が５０以下である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルに書き込み用のトランジスタ、読み出し用のトランジスタおよび選択用のトランジスタを備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）