【課題】フィルムの巻取り性を低下させることなく、金属化フィルムにおける酸化劣化による金属蒸着層の消失（膜後退）を抑制することができる金属化フィルムの製造方法、該金属化フィルム、および該金属化フィルムを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体フィルム１９の表面に、金属蒸着層１１が形成される蒸着部１９Ｄと、蒸着部に隣接するマージン部１９Ｍとを有し、金属蒸着層は、前記マージン部と隣接する隣接部分にマージン部に近づくにつれて厚みが減少する傾斜部１１Ｓを備えた金属化フィルム１０を、オイル１８を蒸発させて誘電体フィルムの表面に付着させ、マージン部を形成するオイル蒸着工程と、マージン部上でマージン部の縁に沿って、オイルを印刷するオイル印刷工程と、オイル蒸着工程およびオイル印刷工程の後に金属蒸着を行うことにより、蒸着部に金属蒸着層を形成する金属蒸着工程とを含む工程で製造する。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】転がり軸受の内・外輪軌道面などに形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、ＤＬＣ膜本来の特性を発揮することで、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、外周に内輪軌道面２ａを有する内輪２と、内周に外輪軌道面３ａを有する外輪３と、内輪軌道面２ａと外輪軌道面３ａとの間を転動する複数の転動体４とを備え、曲面である内輪軌道面２ａや外輪軌道面３ａの表面に硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】通電による焼き付き現象を低減可能な無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法を
提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置の製造方法は、一対の基板のうち少なくとも一方の基板
の液晶層に面する側の表面に少なくとも酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射する前処理工
程（ステップＳ２、ステップＳ１２）と、紫外線が照射された表面に無機配向膜を形成す
る無機配向膜形成工程（ステップＳ３、ステップＳ１３）と、を備え、無機配向膜形成工
程の前には、上記前処理工程以外の表面処理工程を行わない。 （もっと読む）

【課題】 基体上に最適なバッファー層を形成することで、より結晶性に優れたアナターゼ相を含み、高い屈折率と低い比抵抗を有する、酸化チタンを主成分としてニオブなどの添加元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層を有する積層体を提供し、この積層体を具備した半導体発光素子、あるいは太陽電池などの機能素子を提供する。
【解決手段】 基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】非晶質であって、かつ高仕事関数であって、可視域での屈折率が低く、摺動や曲げによる剥離、割れなどが起こりにくく、膜面が極めて平坦であり、さらには室温近傍で成膜可能な透明導電膜を製造するのに好適な透明導電膜製造用焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、主としてＧａ、ＩｎおよびＯからなり、Ｇａを全金属原子に対して４９．１原子％以上６５原子％以下含有し、主としてβ−ＧａＩｎＯ₃相とＩｎ₂Ｏ₃相から構成され、Ｉｎ₂Ｏ₃相（４００）／β−ＧａＩｎＯ₃相（１１１）Ｘ線回折ピーク強度比が１５％以下であり、さらに密度が５．８ｇ／ｃｍ³以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の作製の際のパターニング工程に適した酸化物半導体膜、及び半導体膜を成膜できる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び錫元素（Ｓｎ）を、下記式（１）〜（３）の原子比で含む酸化物焼結体。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０ （１）
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５ （２）
０．０００１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０ （３） （もっと読む）

【課題】生産性の高い、高品質の機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】有機膜成膜装置２２により裏面側に第１のラミネートフィルムが付与され自己支持性を有する長尺の支持体１２を送り出し、支持体１２を搬送しながら、その表面側に有機膜を形成し、有機膜の表面に第２のラミネートフィルム８２を付与し、支持体１２をフィルムロール４２にして巻き取る。 フィルムロール４２を真空成膜装置２４内に装填し、フィルムロール４２から連続的に第１のラミネートフィルムと第２のラミネートフィルム８２が付与された支持体１２を送り出す。支持体１２を搬送しながら、第２のラミネートフィルム８２を剥離し、支持体１２の有機膜上に無機膜を形成し、支持体１２をフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。そして、上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】炭素共析型電気Ｃｒめっき膜をアンダーコートとしてその上に積層される高品質ＤＬＣ膜の密着性を向上させること、とくに膨れ現象を発生させることのないＤＬＣ膜被覆部材とそれの製造方法を提供する。
【解決手段】金属製基材と、その表面に被覆形成された、被熱処理炭素共析型電気クロムめっき膜と、その被熱処理炭素共析型電気クロムめっき膜表面に被覆形成されたＤＬＣ膜とからなるＤＬＣ膜被覆部材およびその部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ接合リーク電流の少ないＣｏシリサイド層を形成することのできるサリサイドプロセスを提供する。
【解決手段】Ｃｏ純度が９９．９９％以上で、ＦｅおよびＮｉの含有量が１０ｐｐｍ以下、より好ましくはＣｏ純度が９９．９９９％の高純度Ｃｏターゲットを用いたスパッタリング法によってウエハの主面上に堆積したＣｏ膜をシリサイド化することにより、ＭＯＳＦＥＴのゲート電極（８ｎ、８ｐ）、ソース、ドレイン（ｐ^＋型半導体領域１３、ｎ^＋型半導体領域１４）の表面に低抵抗で接合リーク電流の少ないＣｏＳｉ_２層（１６ｂ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ｘが０．０５≦ｘ≦０．３を満たし、さらに、Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記ＴｉＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とし、断続重切削加工において優れた耐欠損性と靭性を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】 支持体上に無機膜を成膜する際に、性能を劣化させることなく安定的に搬送し、無機膜の割れ／抜け等の欠陥が少なく、生産性の高い、高品質の機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】
裏面側にラミネートフィルムが付与され自己支持性を有する長尺の支持体１２を送出し機５６から成膜室５２に送り出し、真空下の成膜室５２内で支持体１２を搬送しながら、支持体１２の表面側に無機材料を成膜し、支持体１２を巻取り機５８によりフィルムロール４８に巻き取り、機能性フィルム１０を製造する。 （もっと読む）

本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】導電フィルムにおけるクラックの発生が抑制された合わせガラスを提供すること。
【解決手段】第１のガラス基板、第１の接着層、導電フィルム、第２の接着層、および第２のガラス基板がこの順に積層され、前記導電フィルムが、樹脂フィルム上に酸化物層と金属層とが交互に（２ｎ＋１）層（但し、ｎは１以上４以下の整数）積層された合わせガラスであって、前記酸化物層は、前記酸化物層を主として構成する酸化物に対する前記酸化物層に含有されるＨ原子のモル比に、前記酸化物層における全酸化物に対する前記酸化物層を主として構成する酸化物のモル比を乗じて算出されるＨ量が０．０３以下であるもの。 （もっと読む）

【課題】クティブマトリクス型の発光装置を作製するにあたり、従来に比べ短時間内で製
造でき、且つ、低コストで歩留まりよく製造できる構造及び方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部に配置されるＴＦＴの半導体層
に接して形成される金属電極、或いは電気的に接続される金属電極を積層構造とし、部分
的にエッチング加工する。そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第１の電
極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを積層することを
特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムドープされた酸化亜鉛で基板をコーティングする方法であって、固体ターゲットのアトマイゼーションによって、酸化亜鉛、またはドープされた、特にアルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有する５ｎｍ〜４００ｎｍ厚の核形成層を基板表面上に形成するステップと、アルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有し、核形成層上に準エピタキシャルで継続成長するトップ層を形成するステップと、トップ層を湿式化学エッチングするステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】圧電特性のばらつきが少ないチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を効率よく製造する圧電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸ジルコン酸鉛のターゲット３を使用し、スパッタ法により基板５の上にチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を製造する圧電体薄膜の製造方法において、基板を加熱する基板加熱工程と、基板加熱工程で加熱した基板の温度を維持し、スパッタ法により基板の上に成膜する成膜工程と、を有し、基板加熱工程では、基板が所定の温度分布となるように加熱され、成膜工程では、基板と前記ターゲットとで挟まれる空間の、ターゲット面に平行な面の面内で、所定の酸素濃度分布となるように酸素が導入され、基板及び平行な面それぞれへターゲットの面を垂直投影した場合、基板と平行な面との相互に対応する位置における所定の温度分布の増減方向と所定の酸素濃度分布の増減方向とは同じ方向である。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）