【課題】スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子を提供する。
【解決手段】重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成されるスパッタリングターゲットであり、また、バリア層と、バリア層上のシード層と、シード層上の導電層と、を備え、導電層は、重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成される、タングステンとニッケルとの合金薄膜を備える半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板フィルムの両面に高品位の金属含有蒸着膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】蒸着ドラム１１を有する蒸着装置１ａで、非磁性プラスチック基板フィルム１６の両面に金属含有蒸着膜を形成する両面蒸着膜の製造方法であって、該基板フィルムの一方の面（Ａ面）に金属含有蒸着膜を形成した後に、該金属含有蒸着膜上に有機物膜を形成し、次いで、該基板フィルムの他方の面（Ｂ面）に金属含有蒸着膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

リフトオフ法を用いる蒸着装置は、蒸発源と、蒸発源を通る第１の軸の周りにおける回転のために取り付けられたスペースフレームと、スペースフレームに取り付けられた中央のドーム状ウエハホルダであって、該中央のドーム状ウエハホルダの中心点が第１の軸と整列している、中央のドーム状ウエハホルダと、第１の軸からオフセットする位置にてスペースフレームに取り付けられた周回軌道型ドーム状ウエハホルダであって、該周回軌道型ドーム状ウエハホルダの中心点及び蒸発源を通る第２の軸の周りを回転可能である、周回軌道型ドーム状ウエハホルダと、中央のドーム状ウエハホルダ及び周回軌道型ドーム状ウエハホルダにある複数のウエハ位置であって、該複数のウエハ位置は、それぞれ、第１の軸及び第２の軸からオフセットしている、複数のウエハ位置とを有する。複数のウエハ位置は、それぞれ、第１の軸及び第２の軸の周りを回転中に、ウエハ位置から蒸発源に延びる放射軸と実質的に直交する、該ウエハ位置に取り付けられたウエハの基板表面に配向されている。
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【課題】繊維の周囲に導電体を均一に被覆できると共に、導電体が被覆されていない繊維表面を極めて少なくできる導電体被覆装置を提供する。
【解決手段】処理室内で繰り出し側ロール１０２から繰り出された繊維集合体１０が巻き取り側ロール１０８で巻き取られるまでの間に、両方のシート面から繊維集合体１０の繊維表面に導電体を被覆する導電体被覆装置１００は、一方のシート面から繊維集合体１０の繊維表面に金属を被覆する真空蒸着室１１０と、一方のシート面と異なる他のシート面から、真空蒸着室１１０で得られた導電体被覆繊維集合体１２の繊維表面に金属を被覆する真空蒸着室１２０とを有する。真空蒸着室１１０で金属被覆する繊維集合体１０のシート面と、真空蒸着室１２０で金属被覆する導電体被覆繊維集合体１２のシート面が異なるように、真空蒸着室１１０，１２０間でシート面を調整する。 （もっと読む）

【課題】表面の清浄度及び平坦性に優れた酸化亜鉛基板を得るための酸化亜鉛基板の表面処理方法、及び該方法で処理された酸化亜鉛基板を使用する酸化亜鉛結晶の製造方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ１３内で加熱された酸化亜鉛基板３の表面に、ガリウム蒸発源１１からのガリウム分子線ビームを照射して、前記酸化亜鉛基板３の表面をエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛基板３の表面処理方法；かかる方法で酸化亜鉛基板３の表面を処理し、次いでその表面において、亜鉛源６、プラズマ励起酸素源５６により、酸化亜鉛結晶を成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性のみならず耐久性にも優れる、無機／有機のガスバリア積層体を提供する。
【解決手段】気相成膜法で無機化合物層を形成した後、逆スパッタリング等で粗面化処理を行い、粗面化処理を行なった無機化合物層の上に、フラッシュ蒸着によって有機化合物層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることができる成膜用マスク、電気光学装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のサブ画素と平面的に重なる第１領域の全体が開口する第１開口孔７２ａが設けられた第１マスク７２と、第１マスク７２に積層され、第１領域において部分的な領域である第２領域が開口する第２開口孔７３ａが設けられた第２マスク７３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜法によりコーティング膜上に無機膜を形成するときに、無機膜の割れ／抜け等の欠陥が発生するのを抑制でき、生産性の高い機能性フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂの表面にコーティング膜１２を成膜し、フィルムロール４２にして巻き取る第１の工程と、巻き取られたフィルムロール４２を真空成膜装置２２内に装填し、フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂｏを送り出し、支持体Ｂｏのコーティング膜１２上に無機膜１４を成膜し、フィルムロール４２にして巻き取る第２の工程と、を備え、第１の工程における支持体Ｂｏがフィルムロール４２にして巻き取られる前に、支持体Ｂｏの裏面に塗布膜又はラミネートフィルム８２を設けて、フィルムロール４２にして巻き取るようにする。 （もっと読む）

【課題】光学特性に影響を与えず、高精度な光学特性を有する光学物品が得られる光学物
品の製造方法を提供すること
【解決手段】第一光学基板１１または第二光学基板の少なくとも一方に多層膜１２が形成
されて前記多層膜１２を介して互いに接合する光学物品の製造方法であって、第一光学基
板１１または第二光学基板の少なくとも一方に形成された前記多層膜１２の表面に沿って
衝撃付与部材２０を滑走させて前記多層膜１２の表面の凸部１２１を脱離し、前記多層膜
１２の表面、前記第一光学基板１１または前記第二光学基板の少なくともいずれか一方に
プラズマ重合膜を形成し、これらを接合することを特徴とする光学物品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】真空成膜法によりコーティング膜上に無機膜を形成するときに、無機膜の割れ／抜け等の欠陥が発生するのを抑制でき、さらに生産性の高い機能性フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コーティング膜１２を塗布・乾燥し硬膜した後に、コーティング膜層表面にラミネートフィルム８２を挟みながら巻き取りフィルムロール４２とし、このフィルムロール４２を真空成膜装置２２にセットして、無機膜の製膜前にラミネートフィルム８２を剥離する。 （もっと読む）

【課題】固体表面の改質方法及び表面改質された基材を提供する。
【解決手段】基材の表面に、環状、枝状、又は直鎖構造からなる有機分子を共有結合を介して被覆し、分子膜を形成し、それにより、液体と固体表面の相互作用を著しく抑制して、前進接触角（θ_Ａ）と後退接触角（θ_Ｒ）の差（θ_Ａ−θ_Ｒ、ヒステリシス）を小さくすることで、液滴の滑落・滑水性、耐水性、固体表面からの液滴の除去性を向上させて耐食性あるいは防食性にして、ヒステリシスが５°以下の撥水性、超撥水性を示す表面に改質する、固体表面の改質方法、及びその表面改質された基材。
【効果】固体表面を極めて小さいヒステリシスを有する表面に改質することを可能とする固体表面の改質方法、及び動的接触角の差が極めて小さいため、塩水が表面に残存しにくい、優れた耐食性を示す基材を提供することができる。 （もっと読む）

アルミニウム合金製、特にダイカスト・アルミニウム合金製の部品（１）を被覆する方法が記載され、前記方法は前記- washing the pre-treated parts (1) ; and部品（１）を前処理する工程；- washing the pre-treated parts (1) ; and前処理した前記部品（１）を洗浄する工程；及び前記部品上に少なくとも１つの第１層（３）及び少なくとも１つの第２層（５）を蒸着する工程を含み、前記第１及び第２層（３，５）の各層は可変相対的モル分率を有する２つの構成成分：１）金属材料、及び２）周期律表のIVA族の元素の酸化物に基づく材料の混合物から成る。前記方法によって製造された、アルミニウム合金製の部品（１）が更に記載される。 （もっと読む）

【課題】集電箔上にＷ／Ｃ傾斜被膜を形成することにより高耐食性及び高導電性を両立した非水電解液二次電池用集電体の製造方法及びこの製造方法により製造される集電体を提供する。
【解決手段】非水電解液二次電池の集電体となる集電箔２にスパッタリングによって被膜を形成する非水電解液二次電池用集電体の製造方法であって、前記集電箔２に近いほうにタングステンの比率が多く、前記集電箔２から離れるにしたがって徐々に炭素の比率が高くなるＷ／Ｃ傾斜被膜１０を集電箔２上に形成する。 （もっと読む）

本発明は帯電防止および反射防止または反射特性を持つ光学物品に関係し、反射防止または反射コーティングが塗工された少なくとも１つの主表面を持つ基材を含み、前記コーティングが導電層の全重量に対して重量で少なくとも３０％の酸化スズ（ＳｎＯ_３）を含む少なくとも１つの導電層を含有し、前記導電層はイオン−アシスト溶着により堆積されていて、さらに前記基材が前記基材の全重量に対して重量で０．６％以上の水分吸収率を持ち、水分吸収率は前記基材を予備乾燥し次いで５０℃で相対湿度１００％および大気圧下のチャンバー内で８００時間保管後に測定されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと成膜される膜との組成ずれを抑制し、所望組成を安定的に得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜する際に、基板ＢをターゲットＴの構成元素が付着する壁面１０Ｓで囲むと共に、壁面１０Ｓに対して物理的な処理を行って壁面１０Ｓに付着した成分を成膜雰囲気中に放出させながら、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】ＣｒＮ膜について耐摩耗性が優れたものが安定して得られるようにし、またはそのような耐摩耗性および密着性に優れたＣｒＮ膜が形成された耐摩耗性ＣｒＮ膜形成体とすることである。
【解決手段】ＣｒＮ膜についてＸ線回折分析で測定される結晶面の（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（２２２）面、（３１１）面および（４００）面に対応するピーク強度の合計を１００％とした場合に、（１１１）面のピーク強度が８〜４０％であり、かつシェラー法で求められる（１１１）面における結晶子サイズが２５ｎｍ以下である耐摩耗性ＣｒＮ膜とする。（１１１）面のピーク強度が所定範囲の割合であり、かつ（１１１）面における結晶子サイズを所定範囲にすると、結晶方位の異方性によって影響を受けているものと考えられ、耐摩耗性が顕著に向上する。 （もっと読む）

エッジシーリングされ、かつカプセル化された環境感応性素子の生成方法が提供される。一つの方法は、基板上で接触部と共に環境感応性素子を提供する段階；印刷工程を用いて、不連続領域を有し、環境感応性素子をカバーしつつ、接触部をカバーしないデカップリング層を、環境感応性素子に隣接して蒸着する段階；デカップリング層の不連続領域より広い第１領域を有し、デカップリング層をカバーし、接触部をカバーする第２領域を有する第１バリア層を、デカップリング層に隣接して蒸着する段階であって、前記デカップリング層は、第１バリア層と、基板またはオプションとしての第２バリア層の端部との間でシーリングされる段階；接触部から第１バリア層の第２領域を除去する段階；を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく電極材料として好適に利用可能となる、錫とアルミニウムとの密着性に優れかつ耐食性に優れた錫被覆アルミニウム材料を提供する。
【解決手段】錫被覆アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に、防食層３と、錫または錫合金からなる電気接点層４とが形成された錫被覆アルミニウム材料１０であって、前記防食層３が、チタン、クロム、ニオブから選ばれる１種または前記選ばれる１種を主成分とする合金からなる層である。 （もっと読む）