【課題】 ＴｉＮ膜について耐摩耗性が確実に高い物性であるものを選択的に得ることができ、またはそのような好ましい物性のＴｉＮ膜が形成された耐摩耗性ＴｉＮ膜形成体とし、またはそのような耐摩耗性ＴｉＮ膜形成体を効率よく製造することである。
【解決手段】 ＴｉＮ膜についてＸ線回折分析で測定される結晶方位の（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面、（２２２）面および（４００）面の合計ピーク強度を１００％とした場合における（１１１）面強度比が８０％以上であり、かつ（２２０）面強度比が３％以下である耐摩耗性ＴｉＮ膜またはこれを金属製基材の表面に形成して、摺動材、工具、金型などのＴｉＮ膜形成体とする。基材とＴｉＮ膜との間にＴｉ金属の中間層を設けるとＴｉＮ膜の耐剥離性が向上し、基材に窒化層を形成するとＴｉＮ膜との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、Ａサイトに１モル％超の置換イオン及びＢサイトに１０モル％以上の置換イオンを添加され、且つＡサイト欠陥が少ないものとする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ａ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_１−ｚＭ_ｚＯ_ｗ・・・（Ｐ）
（式中、Ｐｂ及びＡはＡサイト元素であり、ＡはＰｂ以外の少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ及びＭはＢサイト元素であり、ＭはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｓｂ，Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０１＜ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．７、０．１≦ｚ≦０．４。δ＝０及びｗ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】コンタクトホールやスルーホール、配線溝等の内壁面に対して、膜厚や膜質などの点で高い膜性能を確保した成膜を行い得るパルス状直流スパッタ成膜方法及びこの方法のための成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット６に対してパルス状の直流電力を印加するスパッタ成膜方法において、あらかじめ、化合物種たる反応ガスを導入可能とすると共に前記パルス状直流電力の平均電力を一定に保ったまま該パルス状電力のデューティ比を可変とし、前記反応ガスを所定流量で導入した状態で、前記デューティ比を変化させて、基板７に形成される金属化合物薄膜の組成比を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置の製造工程において、基板に付着した異物を効果的に除去する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置の製造装置１００は、基体２０の表面に薄膜を形成する少なくとも一つの成膜装置１３０と、成膜装置１３０に接続され、基体２０に外力を加えることにより基体２０の表面に付着した異物を除去する除去手段が設けられた処理装置１４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】例えば、スパッタリング法を用いて薄膜を形成する際の生産性を向上させる。
【解決手段】形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ／Ｎｄ薄膜である場合には、出力パワーは、５．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、０．１〜１．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ａ）。続く、スパッタ条件Ａ下で薄膜を形成する際、Ａｒガスのプラズマ及びＡｌイオンが第１ターゲット部材（９１）及び第２ターゲット部材（９２）の両方に衝突し、Ａｌ原子及びＮｄ原子の夫々がターゲット（３）から叩き出され、基板に付着する。これにより、基板にＡｌ／Ｎｄ合金からなる薄膜が形成される。一方、形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ薄膜である場合には、出力パワーは、２．０〜５．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、１．０〜２．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】レンズに蒸着処理を施す前処理工程の時間を短縮して、レンズの生産性を向上させる。
【解決手段】イオンビームを発生するイオン源部と、蒸着原料を気化させる加熱部とを制御する制御部を備えた蒸着装置で、蒸着によりレンズの表面に膜を形成するレンズ製造方法であって、制御部が加熱部を起動させて蒸着原料を加熱し、不要なガスを気化させて排出するガス出し処理と、イオン化ガス供給部にイオン化ガスを発生させてレンズへ供給させるイオン化ガス前処理と、を含み、前記制御部は、ガス出し処理とイオン化ガス前処理を並列的に実行し、かつ、イオン化ガス前処理の完了する時点を、ガス出し処理の完了時点またはガス出し処理の完了時点以降に設定する。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板部材を用いながらも表面平坦性に優れ且つ結晶品質性に優れた窒化ガリウム層を有する光デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】サーマルクリーニングを施したGa₂O₃基板部材を窒化処理してGa₂O₃基板部材の表面上に六方晶GaNからなる第１のバッファ層を形成し、第１のバッファ層の表面上に成長温度480〜520℃で六方晶GaNからなる第２のバッファ層を成長形成した後、第２のバッファ層の表面上に光デバイス用基板の表面層として成長温度650〜750℃で六方晶GaN層を成長形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。ターゲット５と半導体基板１との距離を第１の値Ｌ２とする第１のスパッタリングによってターゲット材料５ａを穴３に成膜し、上記距離を第１の値Ｌ２よりも小さい第２の値Ｌ１とする第２のスパッタリングにより、ターゲット材料５ａを穴３に成膜する。第１のスパッタリングは異方性スパッタリングであり、第２のスパッタリングは等方性スパッタリングである。また、第１のスパッタリングはロングスロースパッタである。 （もっと読む）

本発明は、被酸化性金属または被酸化性金属合金または金属酸化物の層を、亜鉛または亜鉛合金で予め被覆された金属ストリップ上に真空中で蒸着すること、被覆された金属ストリップを巻回すること、亜鉛または亜鉛合金層のすべてまたは一部において、被酸化性金属または被酸化性金属合金の拡散によって形成された合金の層を上部に含むコーティングを有するストリップを得るために、巻回された金属ストリップに静的拡散処理を適用することを含む金属ストリップを被覆する方法に関する。本発明は、また、前記方法を実行するための装置に関する。 （もっと読む）

【課題】基材とその基材の表面に形成される非晶質炭素膜とを備え、前記非晶質炭素膜で相手部材と摺動する摺動部材において、低摩擦性を向上させることである。
【解決手段】基材の表面に形成される非晶質炭素膜が、水素を含まない固体炭素を原料とし成膜時にドロップレットが除去されて形成される。これにより、非晶質炭素膜が極めて滑らかな膜となり、低摩擦性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い経時デバイス安定性及び動作安定性などが薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 （もっと読む）

【課題】低コストで、長尺な基板を巻き取る際の不具合の発生を抑制することができる成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロールを提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を長手方向に搬送しながら、真空容器内で基板の表面に所定の膜を形成するものであり、真空容器内を所定の真空度にする真空排気手段と、真空容器内に設けられ、基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、基板の中央部よりも厚い厚肉部を基板の両端に基板の搬送方向に沿って形成する端部形成部と、真空容器内に設けられ、基板の表面に気相成膜法により所定の膜を形成する成膜部とを有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着時の真空度により屈折率が変わりやすい金属酸化物を含む反射防止膜を製造するにあたって、屈折率のバラツキを抑制する。
【解決手段】プラスチックレンズ等の基板にハードコートを塗布する工程Ｓ３と、ハードコートを硬化する工程Ｓ４と、液体で洗浄する工程Ｓ５と、基板の水分率を低下する水分率低下工程Ｓ６と、この基板に金属酸化物を蒸着して反射防止膜を形成する工程Ｓ１３とを有する。これらの工程を経由することで、基板の水分率が低下されるため、蒸着時の基板付近の真空度低下が抑制され、蒸着後の金属酸化物の屈折率バラツキを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】硬質皮膜の摺動特性や耐磨耗性を改良するために、アークイオンプレーティング法による硬質皮膜形成方法において、界面における酸素濃化を抑制し、密着性の良い硬質皮膜および硬質皮膜形成方法を提供するとともに、硬質皮膜の密着性を非破壊で容易に評価することができる硬質皮膜評価方法を提供する。
【解決手段】硬質皮膜形成装置１を用いた硬質皮膜形成方法は、アークイオンプレーティング法による硬質皮膜形成方法であって、前記硬質皮膜の形成対象となるワーク１３・１３・・・と、ワーク１３・１３・・・に形成する硬質皮膜との界面において存在する酸素濃度を、予め設定した基準濃度以下とする。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。
結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕
結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕
供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】蒸着法により形成された蛍光体層と支持体との接着性の向上した放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】支持体上に膜厚５０μｍ以上の蛍光体層を蒸着法により形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、該蛍光体層が母体と賦活剤を蒸着することにより形成され、排気装置、調圧ガス導入装置及び調圧ガス流量調節装置を有する蒸着装置内の真空度が１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａで、かつ調圧ガスの流量が０．００１〜１０００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｃ／ｍｉｎ（１×１０^−６ｍ^３／ｍｉｎ））であり、かつ蛍光体層に含まれる蛍光体が柱状結晶を含有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜であり、かつ、耐食性に優れた保護膜を形成することで、高品質な被保護体を提供すること。
【解決手段】被保護体の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形成方法であって、被保護体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、下地膜上にダイアモンド状炭素膜を形成するＤＬＣ膜形成工程と、を有し、下地膜形成工程は、所定の膜厚の下地膜を成膜した後に当該下地膜の一部又は全部を除去する工程を繰り返して被保護体の表面に下地膜を複数回形成する。そして、さらに、ＤＬＣ膜形成工程の前に、ダイアモンド状炭素膜を形成する下地膜の表面上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有する。 （もっと読む）