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Fターム[4K029FA01]の内容

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【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】高い解像度を有する有機EL発光装置が得られ、かつ生産性が高い有機EL発光装置の製造装置を提供する。
【解決手段】複数のマスク部材10と、複数のマスク部材10を固定するフレーム20と、からなるマスクユニット2と、マスク部材10と基板40との相対位置を決めるアライメント機構と、蒸着源30と、を備え、マスク部材10が、複数組の開孔パターン12が並列して設けられてなる開孔部11と、マスク部材10上であってマスク部材10とフレーム20とが接合している領域に設けられるアライメントマーク14,15と、を有し、マスク部材10と、マスク部材10と同一の形状の基板40と、が、前記アライメント機構を用いて、マスク部材10に設けられるアライメントマーク14、15と基板40に設けられるアライメントマーク42、43とを合わせることによってアライメントが行われる。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面
に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム(Ga)若しくはスズ(Sn)の一部又は全部の代わりにゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム(Ge)原子は、酸素(Ge)原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム(Ga)又はスズ(Sn)の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム(Ge)を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 (もっと読む)


【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材2の表面2a上に直接成膜されるCrとWCとを主体とする第1混合層1aと、第1混合層1aの上に成膜されるWCとDLCとを主体とする第2混合層1bと、第2混合層1bの上に成膜されるDLCを主体とする表面層1cとからなる構造の硬質膜1であり、第1混合層1aは、基材側から第2混合層側へ向けて連続的または段階的に、Crの含有率が小さくなり、WCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bは、第1混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、WCの含有率が小さくなり、DLCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bにおける水素含有量が10〜45原子%である。 (もっと読む)


【課題】複数の圧電体薄膜を積層して形成される圧電体素子における膜の密着性を高めて剥離を防止し、耐久性、信頼性を高めるとともに変位効率(駆動効率)を向上させる圧電体素子を提供する。
【解決手段】基板30上に、第1の電極32が形成され、その上に第1の圧電体膜34が形成される。さらに第1の圧電体膜34の上に拡散ブロック層として機能する金属酸化物膜36が積層され、その上に金属膜38が積層して形成される。金属膜38の上に第2の圧電体膜76が形成され、その上に第2の電極46が積層して形成される。第1の圧電体膜34の分極方向と第2の圧電体膜44の分極方向は互いに異なる。第1の電極32と第2の電極46を接地電位とし、金属膜38を含む中間電極40をドライブ電極とすることができる。各層の圧電体膜を互いに異なる組成で構成することができる。中間層40の厚みと応力値の積は100N/m未満であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の形成方法を検討することで、研磨実施後もプレス加工金型用工具の加工面にDLC膜が存在することが可能であり、且つ、プレス加工金型用工具の側面と加工面に同等の特性を有するDLC膜を形成することが可能なプレス加工金型用工具の補修方法を提供する。
【解決手段】被加工材をプレスにより成型加工又は打ち抜き加工を行うためのプレス加工金型用工具の補修方法であって、摩耗したプレス加工金型用工具43の加工面43bを研磨する工程と、プレス加工金型用工具43の側面43aをマスキング材10で保護する工程と、研磨した加工面43bにDLC膜41を形成する工程と、を有するものである。 (もっと読む)


【課題】WSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がWSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第1の加熱処理で第1の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第2の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第2の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 (もっと読む)


【課題】可撓性透明基材上に結晶性の透明導電体層を有する透明導電性フィルムにおいて、透明導電体層がパターン化された場合であっても、タッチパネル等に組み込んだ際に、パターン開口部とパターン形成部との境界が視認されることによる見栄えの低下を抑制する。
【解決手段】可撓性透明基材の一方の面に結晶性導電性金属酸化物からなる透明導電体層が形成された透明導電性フィルムであって、可撓性透明基材の厚みは80μm以下である。本発明の透明導電性フィルムは、140℃で30分加熱した際の寸法変化率Hと、透明導電性フィルムから透明導電体層をエッチングにより除去したものを140℃で30分加熱した際の寸法変化率Hとの差H−Hが−0.02%〜0.043%である。そのため、タッチパネル等に組み込んだ際のパターン境界での段差が低減され、見栄えの低下が抑制される。 (もっと読む)


【課題】成膜条件が異なる場合であっても多数の基材に対して一度に且つ均一に成膜を行うことにより生産性を向上させる。
【解決手段】本発明のAIP装置101は、真空チャンバ内を真空排気する真空排気手段と、成膜対象である基材を自転状態で保持する4つの自転保持部4と、自転保持部4をその自転軸と軸心平行な公転軸Q回りに公転させる公転テーブル5と、アーク蒸発源6と、4つのバイアス電源10B1〜10B4を備えた電源ユニット10Bとを備え、自転保持部4の各々はスリップリング151を介して異なるバイアス電源に接続され、バイアス電位の差により異なる成膜条件を構成する。 (もっと読む)


【課題】 布帛や不織布表面に金属蒸着層を設けてなる金属蒸着積層体であって、基体となる布帛等と金属蒸着層との間に存在する層間密着力を維持しつつ、さらには金属蒸着層の白化や脱離を抑制出来る、金属蒸着積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に核付金属を付着させてなる基材の、核付金属付着面に金属又は金属合金を金属蒸着層として蒸着してなり、前記金属蒸着層のさらに表面にトップコート層を積層してなる金属蒸着積層体であって、前記基材が不織布又は布帛であり、前記金属又は金属合金がアルミニウム、銀、銅、チタン、スズ又はニッケルであり、前記核付金属が、周期表における第4周期第4族から同第12族に属するいずれかの金属、若しくは当該範囲内の金属同士による合金であること、を特徴とする、金属蒸着積層体とした。 (もっと読む)


【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】蒸発源2から蒸発した有機EL材料の蒸着分子23が有機EL表示用基板5に到達する前に上記蒸着分子23を帯電させる段階と、発光層16を形成する箇所に対応して位置する画素電極14の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体21に、帯電された蒸着分子23の帯電極性とは異なる極性で且つ有機EL材料を昇華させない程度に制限された温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、発光層16を形成しない箇所に対応して位置する画素電極14の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体21に、帯電された蒸着分子23の帯電極性と同じ極性で且つ有機EL材料を昇華させるのに十分な温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、を行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 (もっと読む)


【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第1のトランジスタおよび第2のトランジスタからなる第1のインバータと、重畳する第3のトランジスタおよび第4のトランジスタからなる第2のインバータと、第1の選択トランジスタと、第2の選択トランジスタと、を有し、第1のインバータの出力端子、第2のインバータの入力端子および第1の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第2のインバータの出力端子、第1のインバータの入力端子および第2の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したSRAM回路を形成する。 (もっと読む)


【課題】銅めっき工程の電極に用いるCu堆積膜による貫通孔開口の閉塞状態を適切に制御できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、貫通孔が形成された基板34Bおよび銅放出源35Bを格納する真空チャンバ30と、真空チャンバ30内を所定の真空度に減圧する真空ポンプ36と、基板34Bに印加する電力を発生する電源80と、基板34Bおよび銅放出源35B間の距離の設定に用いる駆動機構と、を備える。銅放出源35Bから放出された銅材料を基板34Bの一方の主面に堆積させ、主面における貫通孔の開口を銅材料からなる堆積膜によって閉塞させるとき、堆積膜による開口の閉塞状態が、上記距離および上記電力に基づいて調整される。 (もっと読む)


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