【課題】高いシート抵抗値を実現でき、抵抗素子作製時の製造工程による抵抗値の変動の影響が小さい電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基材と被膜との密着性を良好に保ち、かつ被削材が凝着しにくい表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該基材は、硬質粒子と該硬質粒子を結合する結合相とを含み、被膜に接する硬質粒子は、被膜に接する側の表面に凹凸が形成されており、表面被覆切削工具のすくい面に対する法線を含む平面で表面被覆切削工具を切断したときの断面において、基材の逃げ面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍの逃げ面側基準線における面粗度Ｒz,nが１μｍ以上３０μｍ以下であり、基材のすくい面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍのすくい面側基準線における面粗度Ｒz,sが０．５μｍ以上５μｍ以下であり、かつＲz,ｎはＲz,sよりも大きいことを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】基材と被膜との密着性を良好に保つとともに、加工面品位に優れた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該基材は、硬質粒子と該硬質粒子を結合する結合相とを含み、被膜に接する硬質粒子は、被膜に接する側の表面に凹凸が形成されており、表面被覆切削工具のすくい面に対する法線を含む平面で表面被覆切削工具を切断したときの断面において、基材のすくい面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍのすくい面側基準線における面粗度Ｒz,sが１μｍ以上３０μｍ以下であり、基材の逃げ面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍの逃げ面側基準線における面粗度Ｒz,nが０．５μｍ以上５μｍ以下であり、かつＲz,sはＲz,nよりも大きいことを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の剥離を防止すると共に、イオンダメージのない薄膜を効率的に製造することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓに薄膜を形成する第１の成膜処理装置１３及び第２の成膜処理装置１５と、反応室１４１内に供給される水素ガスを触媒体に接触させてラジカルを発生させ、当該ラジカルを基板Ｓに供給して当該基板Ｓの表面処理を行う表面処理装置１４とを備え、表面処理装置１４は、第１の成膜処理装置１３の後であり、かつ第２の成膜処理装置１５の前で基板Ｓの表面処理をするように設置されている。 （もっと読む）

【課題】輻射率の向上と放出ガスの抑制を共に達成することが可能な真空部品及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 本発明の真空部品は、基材１と、輻射層２とを具備する。基材１は、ブラスト処理が施された後にエッチング処理が施された金属表面１ａを有する。輻射層２は、金属表面１ａ上に積層され、ＡｌＴｉＮからなる。
この構成によれば、基材１の金属表面１ａは、ブラスト処理により生じるブラスト粒子Ｂの嵌入や表面の複雑化が、エッチング処理によって緩和された状態となっている。これにより、ブラスト粒子Ｂの嵌入や複雑化に起因する放出ガスが抑制される。また、ブラスト処理及びエッチング処理による金属表面１ａの粗面化により、平滑な金属表面に輻射層を積層した場合に比べて輻射率が向上する。 （もっと読む）

【課題】剥離の進展が抑制された状態のＤＬＣ膜より構成される硬質層がより簡便に形成できるようにする。
【解決手段】基材１０１の粗面とされた表面１０２と、表面１０２に形成されたダイアモンドライクカーボンからなる硬質層１０３とを備える。また、表面１０２の算術表面粗さが０．２から０．４の範囲とされ、硬質層１０３は、層厚１〜３μｍの範囲とされている。粗面は、例えば、サンドブラストなどのブラスト処理による加工や、バフ研磨などの粗研磨により形成することができる。硬質層１０３は、基材１０１の表面１０２の上に、よく知られたＰＶＤ法によりＤＬＣ膜を形成すればよい。例えば、ＤＬＣ膜は、黒鉛をターゲットとしたイオンプレーティング法やスパッタリング法により形成できる。 （もっと読む）

【課題】基材と被膜との密着性を良好に保ち、過酷な切削条件に耐え得る表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、基材は、硬質粒子と該硬質粒子を結合する結合相とを含み、被膜に接する硬質粒子は、被膜に接する側の表面に凹凸が形成されており、表面被覆切削工具の表面に対する法線を含む平面で切断したときの断面において、基材は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍの基準線における面粗度Ｒ_maxが１μｍ以上１０μｍ以下であり、基準線における硬質粒子の凹凸を構成する凹部を挟む両端の凸部の先端を結ぶ線分Ａの長さＬは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、線分Ａに平行でかつ凹部の最深部に接する線分Ｂと、線分Ａとの距離Ｄは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、かつ表面抵抗値が低い透明導電性積層体および該透明導電性積層体を簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】透明基材１０と、透明基材１０の上に形成された透明導電性材料からなる透明導電層２０とを有する透明導電性積層体１であって、透明基材１０が、隣り合う突起１２中心間の平均間隔が４００ｎｍ以下である複数の突起１２を表面に有し、透明導電層２０が、突起１２の上に選択的にかつ透明導電性積層体１の面方向に互いに離間して形成された複数の柱状部２２と、柱状部２２および柱状部２２の間の空隙２６を覆うように連続して形成された層状部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、磁性が良好に抑制されたプリント配線板用銅箔及び積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上を含む被覆層と、銅箔基材と被覆層との間に形成された酸化層とを備えた銅箔であって、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上の原子濃度（％）をf(x)とし、銅の原子濃度（％）をg(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｈ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｊ(x)とすると、ｈ(x)≧５％の酸化層と銅箔基材との境界が表層から０．５〜１０ｎｍの範囲に存在し、区間［０、１．０］において、０．０１≦∫ｆ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx) ≦０．９で、区間［１．０、４．０］において、０．０１≦∫ｆ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx) ≦０．６を満たす。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される薄膜の密着性を高くし、剥離を防止することのできる光学素子及び光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板１０に光学機能膜１３及び光学面１１が形成されてなり、基板１０の表面のうち光学面１１を透過する光が通過する領域をフォトリソグラフィーまたはポッティングにより形成されるマスクまたは予め形成されたマスク部材で覆い、マスクされた領域以外の領域を粗面加工し、粗面加工された領域を含む基板１０の表面に光学機能膜１３及び光学面１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】エアー溜まり痕の残存を良好に防止できるとともに、被覆層の剥離を抑制でき、耐久性に優れた成形型の製造方法を提供する。また、エアー溜まり痕のないガラスゴブ及びガラス成形体を低コストで安定的に製造することができるガラスゴブ及びガラス成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】成形型の基材に所定の形状を有する成形面を形成する工程と、スパッタ法により成形面に被覆層を成膜する工程とを有する。被覆層の成膜は、成膜中にプロセスガスのイオンの一部が成形面に衝突することによって成形面の算術平均粗さ（Ｒａ）が成膜前よりも増大するように選択されたバイアス電圧を基材に印加した状態で行う。 （もっと読む）

【課題】水流中でも安定した摺動特性を得ることができ、安価に製作することが可能な摺動構造を提供する。
【解決手段】互いに対向する各々の表面上に摺動面を有する第１の部材１と第２の部材とで構成される摺動構造において、前記第１の部材１はその表面上に複数の凹部ＰＨが形成された摺動面を有し、前記第１の部材１の摺動面もしくは前記第２の部材の摺動面のうち少なくとも何れか一方に水潤滑性を有する被膜Ｍがコーティングされている摺動構造。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性のみならず耐久性にも優れる、無機／有機のガスバリア積層体を提供する。
【解決手段】気相成膜法で無機化合物層を形成した後、逆スパッタリング等で粗面化処理を行い、粗面化処理を行なった無機化合物層の上に、フラッシュ蒸着によって有機化合物層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

【課題】アンダーコート層をウェットプロセスで形成することにより不具合が生じる。
【解決手段】プラスチック基材の表面に乾式メッキ処理によりプライマー層を形成する工程と、該プライマー層の平滑な表面をボンバード処理する工程と、ボンバード処理後のプライマー層の表面に乾式メッキ処理により金属層を形成する工程と、該金属層の表面に乾式メッキ処理によりトップコート層を形成する工程とを有したコーティング方法にすることによって、全ての処理をドライプロセス化する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂基材の被処理物に金属を成膜して装飾する装飾方法および装飾樹脂品であって、本物感の高いマット調金属外観（「つやが消えた金属調の質感のある外観」）が得られると共に、密着強度の高い金属膜が得られ、しかもコストが安く、環境に優しい装飾方法および装飾樹脂品を提供すること。
【解決手段】 真空槽２にアルゴンおよび大気を導入し、導入したアルゴンと大気をプラズマ状態にして真空槽２内に配置した被処理物１０をプラズマエッチングし、被処理物１０の表面に凹凸部１１を形成すると共に、形成された凹凸部１１に大気の官能基を付与する第１工程Ｓ１と、プラズマエッチングした被処理物１０の凹凸部１２に金属膜１３を成膜する第２工程Ｓ２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被加工材をパンチにより打ち込む際、およびその後に被加工材からパンチを引き離す際に、被加工材とパンチとの間に発生する摩擦抵抗を低減することにより、コーティング膜の剥離が抑制され、パンチの耐久性を向上させる。
【解決手段】基材２の表面粗さを０．１５μｍ以上かつ０．３０μｍ以下とするので、基材２の表面に形成されたコーティング膜５の表面粗さを小さくすることが可能となる。このため、塑性加工を施す際に、被加工材とパンチ１２との間に発生する摩擦抵抗を低減でき、パンチ１２の耐久性を向上させることができる。このようにして、パンチ１２にクラックまたはヒビが発生し、最終的にはパンチ１２が折れてしまうまでの耐用回数を増やし、パンチ１２を長く持ち堪えさせることができる。 （もっと読む）

【課題】下地金属層と該下地金属層上に積層された銅被膜層とからなる金属層とフィルムとの初期密着力、耐熱密着力等の密着力が高く、必要に応じてフィルム厚さも含めた基板全体の厚さを薄くすることができる金属被覆ポリエチレンナフタレート基板とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート系フィルムの少なくとも片側の表面上に、金属層を有する金属被覆ポリエチレンナフタレート基板であって、下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。
（１）前記ポリエチレンナフタレート系フィルムの下地金属層が接する表面は、その中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．５〜４ｎｍである。
（２）前記下地金属層は、乾式めっき法により形成されたクロム、バナジウム、チタン及びモリブデンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するニッケル合金を主成分として含み、かつその膜厚が３〜５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れた（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる被覆層を備える切削工具を提供する
【解決手段】基体と、基体の表面に形成されたＴｉおよびＡｌを含む被覆層６とを備え、前記基体は、上面にすくい面、側面に逃げ面４を有し、すくい面と逃げ面との交差稜部の少なくとも一部に切刃を備える切削工具において、逃げ面における被覆層のＸ線解析パターンのうち（１１１）面に帰属するピークの半価幅Ｂｆを０．６°以上とする。また、前記すくい面における被覆層のＸ線解析パターンのうち、（１１１）面に帰属するピークの半価幅Ｂｒが０．９°以上であり、前記半価幅Ｂｆおよび前記半価幅Ｂｒが、Ｂｆ／Ｂｒ＝０．６〜０．８５の範囲内であることが好ましい。 （もっと読む）