【課題】イオンボンバードメント装置において、複雑な形状を備えた基材のクリーニング効果を高める。
【解決手段】イオンボンバードメント装置１は、真空チャンバ２の一の内側面に、フィラメントで構成した加熱式の熱電子放出電極３を配置し、真空チャンバ２の他の内側面に、熱電子放出電極３からの熱電子を受けるアノード４が配置され、熱電子放出電極３とアノード４との間に基材Ｗが配置されている。さらに、熱電子放出電極３及びアノード４間に電位差を与えてグロー放電を発生させる放電電源５と、熱電子放出電極３を加熱して熱電子を放出させる加熱電源６と、基材Ｗに真空チャンバ２に対して負のパルス電位を与えるバイアス電源１２とを有する。このバイアス電源１２のパルスバイアスによりガス圧が低くてもプラズマ状態を維持でき、ガスイオンを基材Ｗの複雑形状の表面に照射できる。 （もっと読む）

【課題】切削開始初期段階においてすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金からなる工具基体の表面に、ＡｌとＣｒの複合窒化物層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は柱状結晶組織を有し、刃先の柱状結晶組織の成長軸線方向は、工具基体表面の垂直方向に対して傾斜しており、刃先の逃げ面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって１８±５°であり、また、刃先のすくい面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって３０±５°である表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】金属またはセラミック材料の基材（ワークピース）上に少なくとも実質的に水素フリーのｔａ−Ｃ層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置１０は、ａ）不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ１４と、ｂ）真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材（ワークピース）１２のための支持装置と、ｃ）炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極１６と、ｄ）支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源３２と、ｅ）黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源１８と、を備えており、陰極電源１８は、（好ましくはプログラム可能な）時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のＤＣパルスの列から成る。 （もっと読む）

【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、第１のクロム系硬質皮膜とその直上の第２のクロム系硬質皮膜の少なくとも２層以上からなり、
前記第２のクロム系硬質皮膜の被覆前に、前記第１のクロム系硬質皮膜の表面を研磨し、前記第２のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を変化させる耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。
第２のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を初期と終盤で異ならせることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成し、硬質被覆層は組成式：（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＹ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層（または、複合窒化物層）を含み、複合炭窒化物層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である平均断面長径０．０５〜０．５μｍの金属粒子を含有し、金属粒子は複合炭窒化物層中に３〜１８％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が４５°以下である粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）である表面被覆切削工具によって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式：（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＺｒ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層を少なくとも含み、複合炭窒化物層または複合窒化物層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である平均断面長径０．０５〜０．５μｍの金属粒子を含有し、金属粒子は硬質被覆層中に３〜１８％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が４５°以下である粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）であることによって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、前記基材表面に被覆された第１の硬質皮膜と、その直上に被覆された第２の硬質皮膜の少なくとも２層以上からなり、
前記基材表面は窒化処理されており、前記第２の硬質皮膜を被覆する前に、前記第１の硬質皮膜の表面を算術平均粗さＲａは０．０５μｍ以下、かつ最大高さＲｚは１．００μｍ以下となるように研磨する耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】三価クロム及び六価クロムを利用しない、銀またはステンレス鋼の外観を有する、着色した金属基材の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース層１０を基材１２の上に析出させて、第一の被覆基材１４を形成し、窒化クロム１６を第一の被覆基材１４の上に析出させて、被覆基材２０を形成する。特徴的なことは、前記窒化クロム層は、約４５原子％未満の窒素原子％を有し、前記ベース層と前記窒化クロム層は、物理蒸着によって析出させる。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又はβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶に一定周期で間欠的にＳｎを添加する工程を含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜３を製造する。 （もっと読む）

【課題】大気中において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、窒素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する摺動部材の製造方法である。この方法では、基材表面に向けて窒素イオンビームを照射すると共に、非晶質炭素被膜の表面に、複数の突起部が形成されるように、カーボンターゲットに電子ビームを照射することにより、カーボンターゲットの一部を基材の表面に蒸着させながら非晶質被膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐熱亀裂性および耐溶着欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｂ層：（２００）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ａ層＋Ｂ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるＺｎＯ系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板１上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを７５０〜９００℃の温度条件で基板１に接触させて、基板１表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比（亜鉛／酸素）が１より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】裏側リング状磁石１７及び外側リング状磁石１６の極性の向きは同一に設定され、中央磁石１５の極性の向きは磁石１６，１７の極性の向きと逆に設定され、蒸発源５の直径をＤとした場合に裏側リング状磁石１７は、リング幅Ｗの中心位置Ｏが蒸発源５の端面からＤ／２０の範囲内に配置されており、磁石１５，１６，１７により蒸発源５の表面に生じる磁場の初期設定値は蒸発面の端面から内方にＤ／２０の範囲の端部領域Ｅを除く内側領域Ｃ表面の磁束密度が７〜１０ｍＴ、端部領域Ｅ表面の磁束密度が蒸発源中心部側から蒸発源端部まで連続的に増加し、端部領域Ｅ表面中心側が７〜１０ｍＴ、端部領域Ｅ表面最端部が１５ｍＴ以上、内側領域Ｃ表面の磁束密度の標準偏差が０．６以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐溶着性と耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：（１１１）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｃ層：（２００）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層＋Ａ層＋Ｂ層＋Ｃ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。
【解決手段】記憶素子は、ラッチ回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路と、第１の不揮発性記憶回路と、第２の不揮発性記憶回路と、を有する。また、第１の不揮発性記憶回路及び第２の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。第１及び第２の不揮発性記憶回路のそれぞれが有するトランジスタは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタである。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面から基材方向に伸びる直進性の高い磁力線を、ターゲット表面の広い領域において発生させることができるアーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】アーク式蒸発源１ａに、ターゲット２の外周を取り囲むように配置されたリング状の外周磁石３と、ターゲット２の背面側に配置されたリング状の背面磁石４ａとを備える。アーク式蒸発源１ａにおいて、外周磁石３は、ターゲット２の前面と直交する方向に沿うと共に前方を向くような磁化方向となる極性を有する。背面磁石４ａは、ターゲット２の前面と平行であり且つリング径内方向を向くような磁化方向となる極性を有すると共に、ターゲット２の大きさ以上の内径を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．３≦ａ≦０．７、０．３≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｄＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．０５≦ａ≦０．４、０．１≦ｄ≦０．８５、０≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｄ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２満たすことを特徴とする硬質皮膜（ａ，ｄ，ｂ，ｃはＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの原子比を示し、ｘはＯの原子比を示す）。 （もっと読む）