【課題】イオンボンバードメント装置において、複雑な形状を備えた基材のクリーニング効果を高める。
【解決手段】イオンボンバードメント装置１は、真空チャンバ２の一の内側面に、フィラメントで構成した加熱式の熱電子放出電極３を配置し、真空チャンバ２の他の内側面に、熱電子放出電極３からの熱電子を受けるアノード４が配置され、熱電子放出電極３とアノード４との間に基材Ｗが配置されている。さらに、熱電子放出電極３及びアノード４間に電位差を与えてグロー放電を発生させる放電電源５と、熱電子放出電極３を加熱して熱電子を放出させる加熱電源６と、基材Ｗに真空チャンバ２に対して負のパルス電位を与えるバイアス電源１２とを有する。このバイアス電源１２のパルスバイアスによりガス圧が低くてもプラズマ状態を維持でき、ガスイオンを基材Ｗの複雑形状の表面に照射できる。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 一つの低圧チャンバー内で、基材の表面の改質と該表面への成膜とを連続して行うことができるプラズマ改質成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ改質成膜装置１は、チャンバー１０と、基材Ｆを搬送する搬送手段２０、２００、２０１と、基材Ｆの表面を改質するＥＣＲプラズマ生成装置３と、基材Ｆの該表面に薄膜を形成する成膜装置６と、を備える。ＥＣＲプラズマ生成装置３は、マイクロ波を伝送する矩形導波管３１と、該マイクロ波が通過するスロット３２０を有するスロットアンテナ３２と、スロット３２０を覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面３３０はスロット３２０から入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部３３と、誘電体部３３の裏面に配置される支持板３４と、支持板３４の裏面に配置される永久磁石３５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。 （もっと読む）

【課題】金属またはセラミック材料の基材（ワークピース）上に少なくとも実質的に水素フリーのｔａ−Ｃ層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置１０は、ａ）不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ１４と、ｂ）真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材（ワークピース）１２のための支持装置と、ｃ）炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極１６と、ｄ）支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源３２と、ｅ）黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源１８と、を備えており、陰極電源１８は、（好ましくはプログラム可能な）時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のＤＣパルスの列から成る。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料は結晶化しやすい材料とすることができ、成膜直後において、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成することができる。従って、酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理を省略することができるため、量産に適したプロセスである。具体的には、少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料に、４族元素の一つであるジルコニウムを含ませる。少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料にジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料膜（ＩｎＺｒＺｎＯ_Ｘ膜）を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式：（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＺｒ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層を少なくとも含み、複合炭窒化物層または複合窒化物層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である平均断面長径０．０５〜０．５μｍの金属粒子を含有し、金属粒子は硬質被覆層中に３〜１８％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が４５°以下である粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）であることによって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、第１のクロム系硬質皮膜とその直上の第２のクロム系硬質皮膜の少なくとも２層以上からなり、
前記第２のクロム系硬質皮膜の被覆前に、前記第１のクロム系硬質皮膜の表面を研磨し、前記第２のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を変化させる耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。
第２のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を初期と終盤で異ならせることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成し、硬質被覆層は組成式：（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＹ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層（または、複合窒化物層）を含み、複合炭窒化物層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である平均断面長径０．０５〜０．５μｍの金属粒子を含有し、金属粒子は複合炭窒化物層中に３〜１８％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が４５°以下である粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）である表面被覆切削工具によって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】改善されたアーク蒸着プロセスよって良好な性質を有する酸化硬質皮膜を経済的に析出させて提供する。
【解決手段】 本発明は、機能膜（３２）として加工物（３０）上でアーク−ＰＶＤ法によって析出される硬質材料膜において、この膜が本質的に、周期系の亜族ＩＶ、Ｖ、ＶＩの遷移金属およびＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｙの金属（Ｍｅ）の少なくとも１つからなる電気的に絶縁する酸化物として形成され、かつ前記機能膜（３２）が希ガスおよびハロゲンを含有しない硬質材料膜に関する。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材２の表面２ａ上に直接成膜されるＣｒとＷＣとを主体とする第１混合層１ａと、第１混合層１ａの上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする第２混合層１ｂと、第２混合層１ｂの上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層１ｃとからなる構造の硬質膜１であり、第１混合層１ａは、基材側から第２混合層側へ向けて連続的または段階的に、Ｃｒの含有率が小さくなり、ＷＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂは、第１混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂにおける水素含有量が１０〜４５原子％である。 （もっと読む）

【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、前記基材表面に被覆された第１の硬質皮膜と、その直上に被覆された第２の硬質皮膜の少なくとも２層以上からなり、
前記基材表面は窒化処理されており、前記第２の硬質皮膜を被覆する前に、前記第１の硬質皮膜の表面を算術平均粗さＲａは０．０５μｍ以下、かつ最大高さＲｚは１．００μｍ以下となるように研磨する耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基材およびドライコーティング層との密着がよく、生産能率の高く、高ガスバリア性を有したガスバリア性フィルムと生産方法を提供すること。
【解決手段】高周波印加電極である金属ロール電極と接地電極を配置した装置構成において、電極間に不活性ガスを圧力０．５Ｐａ以上５０Ｐａ未満で導入して、電極間に高密度なプラズマを発生させて、プラスチックフィルム基材表面にプラズマ処理を施し、基材とガスバリア層間に十分な密着性能を与える。また、真空蒸着法により酸化珪素（ＳｉＯ_ｘ）からなるガスバリア層を形成する際、蒸着法と高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることで、生産性が高く、高いバリア性を有するガスバリア性フィルムを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板２と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層４であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層６であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体を脱ガスし、脱ガスされた基体の第１の面に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料の上に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、膜材料が積層された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供する。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体１０を脱ガスし、第１の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料が成膜された基体を、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向で第２成膜室４２へ案内し、第２の方向に案内中の基体の第１の面とは反対側の第２の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第１の面に第１の膜材料が成膜され且つ第２の面に第２の膜材料が成膜された基体を第１ロール室と第２ロール室の間に設けた第３ロール室Ｗ３でロール状に巻取り、第３ロール室で巻き取った基体を第１の方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスし、基体の第１の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出し、第２の膜材料の上に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室でロール状に巻取り、第１ロール室で巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式：（Ａｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｃｒ_ｘＳｉ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層からなり、硬質被覆層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である断面長径０．０５〜１．０μｍの金属粒子を含有し、該金属粒子は硬質被覆層中に３〜２０％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち、構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ断面長径が基板表面となす鋭角が４５°以下などの条件を満たす粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）である。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐溶着性と耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｂ層：（１１１）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ａ層＋Ｂ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）