【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを含有し、さらに、ＮａＦ化合物、Ｎａ_２Ｓ化合物、又はＮａ_２Ｓｅ化合物の少なくとも１種の状態でＮａが、Ｎａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｅ＋Ｎａ）×１００：０．０５〜５原子％の割合で含有され、酸素濃度が、２００〜２０００重量ｐｐｍであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下の高い水蒸気透過度を有する透明なガスバリア積層フィルムを提供する
【解決手段】樹脂基材１１とプライマー層１２と蒸着膜層１３とからなり、樹脂基材１１の片面にプライマー層１２と蒸着膜層１３とがこの順に積層されたガスバリア積層フィルム１０であり、プライマー層１２が脂環構造を有するモノマーを１０モル％以上８０モル％以下の割合で重合させて得られたアクリルポリオールとイソシアネート系化合物との複合物によって形成されたものであり、蒸着膜層１３が金属珪素と二酸化珪素とを含有した蒸着材料を蒸着させたものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】透明導体パターンがさらに視認されにくい透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明導電性フィルム１０は、フィルム基材１１と、フィルム基材１１上に形成された透明導体パターン１２と、透明導体パターン１２を埋設する粘着剤層１３を備える。透明導体パターン１２は、フィルム基材１１側から、第１のインジウムスズ酸化物層１４と、第２のインジウムスズ酸化物層１５が積層された２層構造を有する。第１のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズ含有量は、第２のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズ含有量より多い。 （もっと読む）

【課題】異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、インラインで積層し、短時間の加熱処理で結晶性を有することができ、低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜はＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が１重量％以上４重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜３ａと、同じくＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が４重量％超え、１０重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜３ｂで形成され、前記第一及び第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、真空中で加熱温度が１２０℃以上２００℃以下であり、加熱時間が１分以上、３０分以下の条件で加熱処理することで前記第一及び第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バリア性に優れた窒化酸化珪素膜を形成可能にしたガスバリア性フィルムの製造方法およびガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチック基材１１と、プラスチック基材１１の両面または一方の面に設けた窒化酸化珪素膜１３とを備えるガスバリア性フィルムの製造方法であって、窒化酸化珪素膜１３が、窒化珪素と、珪素、一酸化珪素、二酸化珪素のうち一種類以上とを含む蒸着材料を用いた真空蒸着法により形成され、成膜中の真空槽内の圧力が０．１０Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インジウム系複合酸化物を有する非晶質層を結晶化するための加熱時間を短くすることができる透明導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、厚みが１０〜５０μｍのフィルム基材の第１の面に、インジウム系複合酸化物で形成された非晶質層を積層する第１工程と、上記非晶質層が積層されたフィルム基材を、繰り出しローラーにより搬送し巻き取りローラーに巻き取る途中で、このフィルム基材を１６０℃以上に加熱し、上記非晶質層を結晶化して透明導電体層を形成する第２工程と、上記フィルム基材の第２の面に、粘着剤層を形成する第３工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】 布帛や不織布表面に金属蒸着層を設けてなる金属蒸着積層体であって、基体となる布帛等と金属蒸着層との間に存在する層間密着力を維持しつつ、さらには金属蒸着層の白化や脱離を抑制出来る、金属蒸着積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に核付金属を付着させてなる基材の、核付金属付着面に金属又は金属合金を金属蒸着層として蒸着してなり、前記金属蒸着層のさらに表面にトップコート層を積層してなる金属蒸着積層体であって、前記基材が不織布又は布帛であり、前記金属又は金属合金がアルミニウム、銀、銅、チタン、スズ又はニッケルであり、前記核付金属が、周期表における第４周期第４族から同第１２族に属するいずれかの金属、若しくは当該範囲内の金属同士による合金であること、を特徴とする、金属蒸着積層体とした。 （もっと読む）

【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】蒸発源２から蒸発した有機ＥＬ材料の蒸着分子２３が有機ＥＬ表示用基板５に到達する前に上記蒸着分子２３を帯電させる段階と、発光層１６を形成する箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性とは異なる極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させない程度に制限された温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、発光層１６を形成しない箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性と同じ極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、を行う。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタからなる第１のインバータと、重畳する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタからなる第２のインバータと、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、第１のインバータの出力端子、第２のインバータの入力端子および第１の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第２のインバータの出力端子、第１のインバータの入力端子および第２の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したＳＲＡＭ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸素バリア性、水蒸気バリア性、遮光性、及び光沢性についてはアルミ蒸着ＰＥＴ等と同等の性能を有し、基材とアルミ蒸着膜との密着性も良好で、かつ、ヒートシール性も有するバリア性積層フィルムの提供。
【解決手段】未延伸ポリオレフィン樹脂フィルム１１と、その上に設けられたガスバリア性塗布膜１２と、その上に設けられたアルミ蒸着層１３と、を備えたバリア性積層フィルム１であって、前記ガスバリア性塗布膜が、一般式：Ｒ^１_ｎＭ（ＯＲ^２）_ｍ（式中、Ｍは金属原子を表し、Ｒ^１、Ｒ^２は炭素数１〜８の有機基を表し、ｎは０以上の整数であり、ｍは１以上の整数であり、ｎ＋ｍはＭの原子価を表す）で表される少なくとも１種以上のアルコキシド、ポリビニルアルコール、および／またはエチレン・ビニルアルコールを含んでなる組成物を、ゾルゲル法によって重縮合して得られるアルコキシドの加水分解物またはアルコキシドの加水分解縮合物からなる。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 層間剥離を生じること無く、またクラックやピンホールが生じないようにすることを可能とした、ハードコートフィルムやガスバリアフィルムを得ることの出来る樹脂層積層体、及びこれを用いた高機能性を有したハードコートフィルムやガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に樹脂層を形成してなる樹脂層積層体であって、前記樹脂層を構成する樹脂が、ポリシラザン系樹脂とシラン化合物系樹脂との混合物であること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なＮａを含有したＣｕ−Ｇａ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】炎天下の車内環境等のような高温かつ直射日光に曝される状況であっても、優れた意匠性と視認性を保ち、且つ変形、変色等の変質を起こし難い耐候性を有する樹脂製品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】軟質樹脂基材２上に金属皮膜が形成された樹脂製品１において、前記金属皮膜は、前記軟質樹脂基材２上に少なくとも上下二層に形成されており、下層である第１金属皮膜３はスズ、インジウム又は亜鉛のうち少なくともいずれか１つから形成され、上層である第２金属皮膜４はクロムから形成されてなる樹脂製品１と、前記第１金属皮膜３及び第２金属皮膜４を、スパッタリング法によって形成する樹脂製品１の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたＡｌ合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Ａｌ合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Ａｌ合金膜は、５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が３００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体電極構造。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が１μｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）