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Fターム[4K029FA09]の内容

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Fターム[4K029FA09]に分類される特許

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【課題】部品の母材を傷付けることなくパリレン膜を効率よく除去することができる除膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置を用いて成膜対象物に対しパリレン膜を成膜したとき、この成膜装置の構成部品Bに付着したパリレン膜Pを除去する除膜方法において、パリレン膜Pが付着した構成部品Bたる防着板の表面にペレット状のドライアイスを吹き付けて衝突させるブラスト工程を含む。このブラスト工程に先立ち、防着板を加熱する加熱工程を更に含ませてもよい。 (もっと読む)


【課題】簡単な操作手順で、付着した酸化亜鉛膜を確実に除去できる酸化亜鉛膜のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜として酸化亜鉛膜を生成する透明導電膜生成装置のチャンバー内面に付着した酸化亜鉛膜クリーニングするに当たり、チャンバー内を塩化メチルガスと水素ガスとで水素リッチの塩化メチルー水素混合ガス雰囲気に形成し、この塩化メチルー水素混合ガス雰囲気にあるチャンバー内にプラズマを発生させてチャンバー内面に付着した透明電極膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】真空成膜装置に発生するパーティクルをスパッタリングすることなく、低減するスパッタクリーニング方を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ101を形成する真空容器と、前記真空容器の内部を真空排気する排気機構102と、前記真空容器の内部に成膜材料ターゲットを取り付けたカソードと、前記真空容器にプロセスガス103を導入するプロセスガス導入機構と、前記真空容器にクリーニングガス104を導入するクリーニングガス導入機構と、前記真空容器の内部に基板を搬送する基板搬送機構110を備え、前記カソードの成膜材料ターゲットを放電でスパッタし、前記基板の成膜面側にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜装置において、クリーニング基板111を基板搬送機構により真空容器の内部に搬入し、前記クリーニング基板の捕捉面の逆側に磁石を配置し、前記磁石の磁力により前記真空容器内の異物をクリーニング基板の捕捉面に付着させる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si/(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】有機ELなどの成膜をおこなう成膜室に設置された防着板の取付け、取外し作業の時間を短縮し、かつ交換時の安全性を確保した成膜装置を提供する。
【解決手段】基板上に材料を成膜するための成膜室と、成膜する材料を前記基板に供給する成膜材料供給源と、少なくともその一部が、前記成膜室の筐体と前記成膜材料供給源の間に設けられ、該成膜材料供給源から供給される成膜材料が該筐体に付着するのを防止する防着板1と、を備えた成膜装置において、前記防着板は、少なくとも上下方向で複数部材に分割されており、かつ、上方の防着板を下方に移動させる防着板搬送機構を備える。また、前記防着板搬送機構は、前記筐体に係合する枠と、該枠に沿って移動する第一の搬送ブロックと、前記成膜室の開口部と直交する方向に敷説されたレールと、前記レールに沿って移動する第二の搬送ブロックとを備える。 (もっと読む)


【課題】比較的優れた品質の有機EL素子を製造し得る有機EL素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を搬送部に供給し、該搬送部表面に前記基材の一面側を当接させて前記基材を搬送しつつ、前記搬送部と対向し且つ前記基材に対して近接する位置に配された蒸着源のノズルから、気化された有機EL膜の構成層形成材料を吐出させて、前記基材における前記搬送部と反対の面側に有機EL膜の構成層を形成する蒸着工程を含んでなる有機EL素子の製造方法であって、前記蒸着工程では、更に、回転軸を中心として回転駆動する板状の回転体を有し且つ該回転体に開口部が形成されたシャドーマスクを、前記搬送部に当接した前記基材と前記ノズルとの間にて基材の近傍に介入させ、前記基材の移動に追従するように前記シャドーマスクを回転させつつ、前記開口部を通して気化された前記構成材料を基材側に供給し、前記基材に前記開口部に応じた有機EL膜の構成層を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置を得る。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板100に対して導電膜103を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部3Lおよびローラ基部3Lの全周に設けられる樹脂材3Rを含む搬送ローラ3と、樹脂材3Rの表面を被覆しつつローラ基部3Lに電気的に導通された導電部3Sと、を備え、処理室内で被処理基板100に導電膜103を形成するとき、被処理基板100は、導電部3Sに当接して搬送ローラ3に搬送され、導電部3Sを通して除電されつつスパッタリング処理される。 (もっと読む)


【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスCにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Sを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスCが供給される供給部1と、供給されたキャリアガスCを分散させる分散部2と、固体試料Sが設置される試料設置部3と、該試料設置部3において作製された固体材料ガスGが供出される供出部4と、を有すること。 (もっと読む)


【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は/及びドーパントを導入してもよい。 (もっと読む)


【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器123と、真空容器123内の真空度を測定する真空計1と、真空計1への付着を抑制する付着抑制手段10とを備える構成とする。このように、真空計1への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段10を備える構成とすることで、真空計1への成膜材料の付着を抑制し、真空計1の機能の低下を緩和することができる。 (もっと読む)


【課題】真空雰囲気を維持したまま、多数の基板の薄膜の膜厚を成膜中に測定する。
【解決手段】真空槽12内に複数のサンプル板16を配置し、基板の成膜面に薄膜を成長させる際に、サンプル板16の検出面61にも薄膜を成長させ、サンプル板16表面に測定光を照射して薄膜の膜厚測定を行うことができる。サンプル板16には金属電極が不要であり、高温に加熱することができるので、検出面61に形成された薄膜を加熱して除去し、サンプル板16を再使用することができる。その結果、真空雰囲気を維持したまま、多数枚数の基板に対する薄膜の膜厚測定を行うことができる。真空雰囲気内に複数のサンプル板16を用意し、薄膜が形成されたサンプル板16を加熱する間に別のサンプル板16によって膜厚測定を行うと、薄膜除去の待ち時間は生じない。 (もっと読む)


【課題】DCスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供する
ことを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウ
ム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム(GaOxとも表記する)からなる酸化物ターゲットを用いて
、DCスパッタリング法、またはDCパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化
物ターゲットは、GaOxからなり、Xが1.5未満、好ましくは0.01以上0.5以
下、さらに好ましくは0.1以上0.2以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有
し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でス
パッタリングを行う。 (もっと読む)


【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料8近傍に設置した高融点金属フィラメント14を加熱することで、真空チャンバ1内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料8表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたNi膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ni膜を効果的に除去し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでNi膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたNi膜を除去するにあたり、硫酸を15〜25wt%、硝酸を5〜15wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ni膜を溶解、除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Wの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器4と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段6と、処理容器内を真空引きする真空排気系30と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段20と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段26と、処理容器を加熱する容器加熱手段14とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 (もっと読む)


【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第1基体を第1ロール室から第2ロール室へ向う第1の方向に第1ロール室から繰り出す段階、第1基体を脱ガスする段階、第1基体に第2成膜室で第2の膜材料を成膜する段階、第1基体を第2ロール室で巻取ることにより第1基体を生成する段階を備え、更に、第2ロール室から第1ロール室へ向う第2の方向において第2基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第2の膜材料が成膜された第1基体を生成するにあたり、第1成膜室の第1カソード電極が第1成膜室から取り除かれ、また、第1の膜材料が成膜された第2基体を生成するにあたり、第2成膜室の第2カソード電極が第2成膜室から取り除かれる。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。
【解決手段】本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。 (もっと読む)


【課題】成膜材料がカバーに付着した際のメンテナンス作業の簡素化を図ることが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】主ハース21とカバー28との間に絶縁体22を配置し、電源33と主ハース21とを接続する第1の配線31に第1のスイッチ34を設け、電源33とカバー28とを接続する第2の配線32に第2のスイッチ35を設ける。これにより、スイッチ34,35を開閉することで、主ハース21とカバー28との間に電位差を生じさせることができる。よって、プラズマ源7から生成されたプラズマビームを主ハース21側へ誘導することが可能となり、プラズマビームをカバー28側へ誘導することも可能となる。プラズマビームをカバー28へ誘導することで、カバー28に付着した成膜材料を加熱して、再昇華させることができる。 (もっと読む)


【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着工程では、蒸着材料を収納する坩堝、坩堝を加熱する加熱部、坩堝内で気体化した前記蒸着材料を前記被処理物に向かって放出するノズル、および坩堝の周囲に配置されるリフレクタ15を備える蒸発源から、蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。また、冷却工程では、リフレクタ15に固定された冷却体16に冷媒を流して坩堝を冷却する。ここで、冷却工程には、冷却体16に冷媒ガスを流す冷媒ガス供給工程と、冷媒ガス供給工程の後、冷却体16に冷媒ガスよりも熱容量が大きい冷媒液を流す冷媒液供給工程と、が含まれる。 (もっと読む)


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