【課題】本発明の目的は、ナノ粒子蛍光体（ナノメートルサイズの半導体物質の蛍光体粒子）として、公知例では得られない、好適な、高輝度、単分散のシリコンナノ粒子、それを含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子溶液、およびシリコンナノ粒子を標識材とした分子観察方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板上に成膜された、シリコンナノ粒子を含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜において、該シリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜の表面粗さＲｙが１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜。 （もっと読む）

【課題】スペーシングロスを小さくして良好な磁気記録再生特性を発揮することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、柱状の磁性粒子間に非磁性の粒界部を有するグラニュラ構造の磁気記録層と、前記磁気記録層上に設けられ、前記磁性粒子同士を交換結合させる作用を付与するための交換結合層とを具備する磁気記録媒体を製造するものであって、前記磁気記録層上に交換結合層を積層した後、前記交換結合層の全面に対してイオン照射を行うイオン照射工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直接粒子ビーム蒸着によって得られる液晶用配向フィルムを提供する。
【解決手段】本発明は、直接粒子ビーム蒸着法により液晶（ＬＣ）または反応性メソゲン（ＲＭ）を配向するための配向フィルムを調製するための方法と、前記方法により得られる配向フィルムと、ＬＣまたはＲＭを配向するための特に薄層の形態での前記配向フィルムの使用と、前記配向フィルムおよび１つ以上のＬＣおよび／またはＲＭ層を含む多重層と、光学的、電子的および電気光学的用途における配向フィルムおよび多重層の使用とに関する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。
結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕
結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕
供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】突発的な巨大ダストの発生を抑制し、Ｎｂ膜の歩留りを向上させることを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】高純度Ｎｂからなるスパッタターゲットであって、Ｎｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲である。 （もっと読む）

【課題】新規なマイクロセラミックスコイル及びその簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロサイズの主としてセラミックスからなるコイル。例えば、コイルの幅は０．１μｍ〜１００μｍ、厚さは１ｎｍ〜１０μｍである。このコイルは、パターニングされたレジスト上に主としてセラミックスからなる薄膜を形成し、前記レジストを剥離液で溶解させて作製できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、成形品に形成された彫刻様の図柄と塗装や蒸着等による表面処理方法を組み合わせて、より立体的で高品位な質感を有する視覚効果を現出させるため構成、およびその構成を実現するための処理方法を創出することを課題とするものである。
【解決手段】 裏面の所定領域に、平坦部と、周辺にこの平坦部を残して彫刻状に形成された刻設凹部により図柄を形成した透明性を有する合成樹脂成形品を用い、平坦部と刻設凹部を含む所定領域全体に蒸着膜と塗装膜とインモールド転写膜から選ばれる少なくとも１層の膜からなる第１の加飾層を形成し、次に刻設凹部にレーザー光を照射して刻設凹部に形成される第１の加飾層を除去し、次に平坦部と刻設凹部を含む所定領域全体に、蒸着膜と塗装膜から選ばれる少なくとも１層の膜からなる第２の加飾層を再度形成する。 （もっと読む）

【課題】効果的な修飾微粒子の形成方法の提供。
【解決手段】微粒子を単層固定させる基板表面に金を所定の厚さで蒸着する。一方、1-ethyl-3(3-dimethylaminopropyl)carbodiimidehydrochloride（通称ＥＤＣ）、ＮａＣｌ、あるいは、ＫＣｌ等の微粒子間の静電反発力を抑制するための材料を利用した粒子固定液を作製し、これに微粒子を混合した粒子懸濁液として上記基板上に塗布することにより、金を所定の厚さで蒸着された基板表面に微粒子を単層固定させる。また、単層固定された微粒子表面に遷移金属、金属または半導体を蒸着させて修飾微粒子を形成する。基板から修飾微粒子剥離させるには、超音波洗浄装置等を利用して、基板に超音波を作用させて、剥離を促進する。修飾微粒子を生体機能分子によって修飾して生体物質の検査のための標識として利用する場合、修飾微粒子からの反射電子を利用する。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造工程にて、薄膜形成工程の異常を早期に解決し、かつ低コストのプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】成膜装置内ターゲットに直流電源から電圧を印加しプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンがターゲットに衝突しターゲット材料が飛散しウェハに付着して薄膜を形成する。エッチング処理の精度は、プラズマ中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源の交流電力を印加する。ウェハを流れる交流電力の電圧，電流，位相を交流電力モニタ装置で測定する。ウェハを流れる交流電力のインピーダンス値の変化により、薄膜形成工程に起因の異常を検出し、ウェハ温度コントローラを制御する。このウェハを流れる交流電力測定で薄膜異常を精度よく監視し、早期に異常を発見することを、新たに成膜装置の監視装置を追加することなく低コストにできる。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線多層膜光学素子に十分な耐久性を持たせ、かつ反射特性を向上させること。
【解決手段】軟Ｘ線多層膜ミラー１００の製造方法は、Ｓｉ層２とＭｏ層３とからなる多層膜４と、この多層膜の最表層３ｅに重ねて設けられた保護膜用Ｓｉ層５とＣ層６とからなる保護膜７とを備えた、軟Ｘ線を反射する軟Ｘ線多層膜ミラー１００の製造するものであり、多層膜４をＡｒガスによるスパッタリングによって形成した後、多層膜４に保護膜７を形成し、保護膜７にＸｅ８を含有させて、軟Ｘ線多層膜ミラー１００を製造する。 （もっと読む）

【課題】 斜め蒸着により基板４上に柱状体１４を形成する方法において、蒸発源３と成膜面との距離が大きければ、蒸発粒子とチャンバー１内残留ガス分子との衝突頻度が増大して入射粒子の入射方位に分布を生じるために、柱状体１４が太るために柱状体間の隙間が減少する。
【解決手段】 蒸発源３と成膜面との間の、蒸発源３から放射状に引き出した線上に整流板１１を配置する。整流板１１を配置することで、柱状体１４が太るために柱状体間の隙間が減少することを抑制できる。また、整流板１１へ付着する堆積物の量を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】新規な透明導電膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、マグネシウムと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素（Ａ）と、酸素と、水素とを含む膜であり、この透明導電膜は、たとえばマグネシウムを含むターゲットと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素（Ａ）を含むターゲットとを用いて、マグネシウムと該元素（Ａ）とを含む膜を基板上に成膜し、該膜を、水を含む雰囲気に保持することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】被膜内部および被膜表面のマクロ粒子を減少させて、被膜の穴、ボイド、ポアの量を低減することで、クレーター摩耗、逃げ面摩耗、フリッティングを低減し、かつ、フリッティングやスポーリングを生じないで厚いＰＶＤ被膜を堆積させることができる、被膜付き切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程と、該基材上に陰極アーク蒸発ＰＶＤ堆積法で被膜を堆積させる工程とを含み、該被膜は窒化物、酸化物、硼化物、炭化物、炭窒化物、炭酸窒化物またはこれらの組合せである、被膜付き切削工具を製造する方法において、
上記堆積工程において、該被膜に別個の中間イオンエッチングを１回以上施す。 （もっと読む）

【課題】現在使用されているタービン要素を回復する方法の欠点を克服する。
【解決手段】本発明は、要素の本体を形成する基材と、基材に接着した保護コーティングとから構成されたタービン要素を回復する方法に関する。方法は、保護コーティングと基材との間の接着不良を有するゾーンを特定するためのタービン要素の制御と、保護コーティングと基材との間の接着不良の除去とを備える。接着不良は、保護コーティングと下にある基材との局所的な溶融を引き起こし、レーザビームの停止後に保護コーティングと基材との間の上記ゾーンの高さにおける適切な接着を可能とするために、接着不良を有する各ゾーン上に向けられたレーザビームを用いて除去される。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材、かかる接合膜付き基材と被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合膜付き基材は、基板２と、接合膜３と、これら基板２と接合膜３との間に介挿された中間層７とを有しており、対向基板（他の被着体）４に対して接合可能なものである。この接合膜付き基材が備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、対向基板４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】 基材上にアルミナ層の皮膜を短時間で容易に形成できるアルミナ層形成方法と、該方法で製造した基材の皮膜を提供する。
【解決手段】 本発明のアルミナ層形成方法では、基材（２２）上にアルミニウム層（２４ａ）を堆積し、大気中で基材を移動させながら、アルミニウム層をレーザビーム（２７）で照射して、アルミニウム層をアルミナ層の皮膜とする。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】板状の導電性ダイヤモンド電極を、ＣＶＤ法を使用して製造すると、一方の面に非ダイヤモンド構造の炭素質が生成して電極性能を低下させる。この電極を賦活化して電極性能を高く維持する。
【解決手段】導電性ダイヤモンド電極の表面を、励起水素、励起酸素、及び励起アルゴンから選ばれる一種類以上と接触させる。表面に生成している非ダイヤモンド構造の炭素質が励起ガスと接触して、電極表面から除去される。 （もっと読む）