【課題】本発明者が開発したマグネシウム・炭素系材料（Ｍｇ（ＯＨ）_２・Ｃ）を用いた透明導電膜について、量産工程に適し、かつ、成膜後の経時変化を低減できる実用レベルの製造方法を実現する。
【解決手段】マグネシウムを含むターゲットと炭素を含むターゲットとを同時に用いてスパッタリングを行うことにより、基板上にマグネシウムと炭素と含む透明導電膜を成膜する成膜工程と、前記成膜した透明導電膜を水を含む雰囲気に保持する透明化工程と、表面材ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、前記基板上に成膜した透明導電膜の膜面上に表面材薄層を形成する被覆工程とを実行する透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多元系合金からなる接点材料の絶縁破壊電圧特性の組成依存性を短時間で測定する。
【解決手段】接点材料に用いられるＣｕ、Ｃｒ、Ａｇなどの複数の金属系物質を加熱して蒸気化し、それを基板５に蒸着させ、成分が順次変化した薄膜６を形成し、この薄膜６を平板電極として接地し、薄膜６と所定のギャップを持って針電極１１を対向配置し、薄膜６を針電極１１の軸方向と直交する方向に所定間隔で移動させながら、針電極１１と薄膜６間の絶縁破壊電圧を測定する。変化した成分量と絶縁破壊電圧の関係を求める評価方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 低保磁力を有する垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂを１種以上、Ｗ，Ｓｎの１種または２種を含み、残部ＣｏおよびＦｅからなり、下記（１）〜（４）を満たすことを特徴とする、垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金。ａｔ．％で、
（１）６≦Ｔｉ％＋Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％＋Ｂ％／２≦２４
（２）Ｚｒ％＋Ｈｆ％≦１４
（３）３≦Ｗ％＋Ｓｎ％≦１９
（４）０．２０≦Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）≦０．９０ （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタからなる第１のインバータと、重畳する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタからなる第２のインバータと、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、第１のインバータの出力端子、第２のインバータの入力端子および第１の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第２のインバータの出力端子、第１のインバータの入力端子および第２の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したＳＲＡＭ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が３００〜６００℃であってもよい。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル用構造体として適用された際に透明導電膜の存在に起因して表示装置の視野が妨害される弊害を解消した透明導電膜構造体とその製法等を提供する。
【解決手段】透明基板とこの基板上に設けられた回路パターン形状を有する透明導電膜とで構成される透明導電膜構造体であって、透明導電膜の外縁近傍領域に、透明導電膜を貫通すると共に上記外縁と平行に設けられた複数のスリット群と非スリット群とで構成された屈折率緩衝部を有し、この屈折率緩衝部はその幅方向に亘って上記外縁と平行でかつ幅寸法が互いに同一の単位領域により区画されており、屈折率緩衝部における単位領域の屈折率が、透明基板と略同一の屈折率を有する最外側の単位領域から透明導電膜と略同一の屈折率を有する最内側の単位領域に向かって連続的に変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成・制御で高い品質の透明導電膜を生成する。
【解決手段】Ｉｎ−Ｓｎ合金膜１２０をガラス基板１２上に成膜し、成膜されたＩｎ−Ｓｎ合金膜１２０を、エッチングしてパターニングした後、水蒸気生成装置４２の処理室４００に格納する。水蒸気生成装置４２によって水蒸気を生成させて、その基板１２を格納する処理室４００に水蒸気を導入する。Ｉｎ−Ｓｎ合金膜１２０が水蒸気に曝された状態を所定の時間保持することで、ＩＴＯ膜１４０となるようにＩｎ−Ｓｎ合金膜１２０を酸化反応させる。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路は、電源電圧が選択的に供給され、第１の高電源電位が選択的に与えられる第１のノードを有する回路と、第１のノードの電位を保持する不揮発性の記憶回路とを有する。不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなる第２のノードとを有する。トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。トランジスタのゲートには、第２の高電源電位または接地電位が入力される。電源電圧が供給されないとき、トランジスタはゲートに接地電位が入力されてオフ状態を維持する。第２の高電源電位は、第１の高電源電位よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 層間剥離を生じること無く、またクラックやピンホールが生じないようにすることを可能とした、ハードコートフィルムやガスバリアフィルムを得ることの出来る樹脂層積層体、及びこれを用いた高機能性を有したハードコートフィルムやガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に樹脂層を形成してなる樹脂層積層体であって、前記樹脂層を構成する樹脂が、ポリシラザン系樹脂とシラン化合物系樹脂との混合物であること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ１０１の内部において、メモリセル１００に接続された配線に、駆動回路１０２から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路１０２上にセルアレイ１０１が設けられており、セルアレイ１０１が有する複数の各メモリセル１００は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性を有し、かつ、ガスバリア層と積層する薄膜層との密着性に優れた透明ガスバリアフィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子基材フィルム上に、少なくとも珪素酸化物からなる薄膜層が積層された透明ガスバリアフィルムであって、該珪素酸化物からなる薄膜層の表面がアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）の混合ガスを原料とするイオン照射処理されてなるものであることを特徴とする透明ガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパー、太陽電池、有機ＥＬなどの電子材料の基板として用いた際に、優れた透明性および水蒸気バリア性を発揮し、長期使用時のデバイスの経時的信頼性を高めることができる積層体を提供する。
【解決手段】積層体１０は、第１の透明プラスチックフィルム１の片面に、無機物からなる無機薄膜層３を積層した積層フィルムの無機薄膜層３側の面に、第２の透明プラスチックフィルム５を粘着剤層４を介して積層した積層体１０であって、前記第１の透明プラスチックフィルム１の屈折率ｎ_１、前記粘着剤層４の屈折率ｎ_２および前記無機薄膜層３の屈折率ｎ_３が下記（ｉ）および（ｉｉ）の関係を満たすことを特徴とする。｜ｎ_３−ｎ_１｜≦０．２（ｉ）｜ｎ_３−ｎ_２｜≦０．２（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】支持基材および反射電極としての機能を兼ね備え、かつ、熱伝導性に優れた、電極箔ならびにそれを用いた有機デバイスが提供される。
【解決手段】金属箔と、前記金属箔上に直接設けられる反射層とを備えてなり、フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる、１〜１００μｍの厚さを有する電極箔。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲７００〜９００ｎｍ内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲７００〜１４００ｎｍ内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 （もっと読む）