【課題】接合時の変形に追従して被膜の断裂や密着性の悪化などが生じず、耐電位差腐食性に優れた金属被膜がコーティングされたセルフピアスリベットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはその合金を母材とし、その表面に柱状結晶組織の金属被膜を有する。またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力０．１〜３．０Ｐａ、平均成膜速度０．０１〜１０μｍ／分で、金属蒸着被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して、加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜をパターニングして固定化できる方法を提供する。
【解決手段】下記の式で表されるオリゴチオフェンの薄膜を固体基板上に真空蒸着により形成し、当該基板に紫外光を照射後、加熱処理することにより、固体基板上に近赤外光を吸収する薄膜のパターニングを形成する。


式中、Ｒ１，Ｒ２の一方はアンスリル基であり、他方はアンスリル基又はメチル基であり、ｎは１〜５の整数である。これにより、ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜を簡便にパターニング形成できる。 （もっと読む）

【課題】容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
【解決手段】基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、
基板上にＳｎＯ_２−ｘ膜（０．３≦ｘ≦１．９５）を形成する工程、前記ＳｎＯ_２−ｘ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記ＳｎＯ_２−ｘ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法、または、
基板上に膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を形成する工程、前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 過酷条件下においても優れた耐食性を発揮するＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の表面に、水素含有量が５０ｐｐｍ以上のＡｌまたはその合金からなる被膜を蒸着形成した後、蒸着形成されたＡｌまたはその合金からなる被膜に対してピーニング処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時の揺らぎが小さく、変位特性のよい液体噴射ヘッド、これを用いた噴射特性のよい液体噴射装置、並びに変位特性のよいアクチュエーター装置を提供する。
【解決手段】液体を噴射するノズル開口に連通する液体流路が設けられた流路形成基板上に第一電極６０と、圧電体層７０と、第二電極８０とからなる圧電素子３００を備え、圧電体層７０は、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）からなる圧電体膜７１と、圧電体膜７１間に設けられたニオブ（Ｎｂ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）を含有するニオブ含有膜７２とからなる。 （もっと読む）

【課題】極薄で耐摩耗性および耐食性に優れたＳｉＣ膜を形成することが出来るＳｉＣ膜形成方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ膜形成方法は、加熱を行わないスパッタ成膜法により被成膜面上にＳｉ膜を形成し（Ｓ１０）、その後に、該被成膜面上のＳｉ膜を初期欠陥層が露出するまでエッチングする（Ｓ２０）第１の工程と、第１の工程でエッチングされたＳｉ膜の上に加熱を行わないスパッタ成膜法によりＳｉ粒子を堆積して、該Ｓｉ膜を所定膜厚のＳｉ膜とする第２の工程（Ｓ４０）と、所定膜厚のＳｉ膜に炭素イオンを照射して、該Ｓｉ膜をＳｉＣ化する第３の工程（Ｓ５０）と、を有する。 （もっと読む）

基板上にコーティングを作るために、基板をターゲットの近傍に配置する。連続する多数のパルスをターゲット上にフォーカスすることにより、ターゲットからコールド・アブレーションにより材料が除去され、こうして、多数の連続するプラズマ・フロントが作り出され、少なくともその一部が基板へ向かって移動する。連続する各レーザ・パルス間の時間差は、連続する多数のプラズマ・フロントに起因する成分が基板表面上に核を形成できる程度に短い。そこでは、成分の平均エネルギが、結晶構造の自発的成長を許容する。
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【課題】ＺｎＯ膜等の金属膜の成膜を行う際、ターゲットに生じるノジュールや屑の堆積等の問題を改善した熱線遮蔽積層膜を提供すること。
【解決手段】基体上に蒸着プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

一方が他方の上に配置されたいくつかの層を含む、切削工具のための被覆材（１０）であって、金属アルミニウム又はアルミニウム合金の第１層（３）と、第１層の上に配置された酸化アルミニウム又はアルミニウムと少なくとも１種の他の金属とを含有している混合酸化物の第２層（２）とを有することを特徴とする被覆材（１０）。
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【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 潤滑寿命の長い転動部材、転動部材を用いた真空用機器および転動部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 鉄基合金製の転動要素１０の転動面上に形成された二硫化モリブデンまたは二硫化タングステンの少なくともいずれか一方で形成された鉄を含む潤滑被膜１００を有する鉄基合金製の転動部材１において、鉄の原子濃度をモリブデンまたはタングステンの原子濃度に対して０．０２より大きく，０．１２以下とする。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム-ケイ素合金または結晶質ケイ素からなり、研磨可能な層が付与された基材に関する。本発明はまた、前記基材を含む金属鏡、金属鏡を製造するための方法、および本発明の金属鏡の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】金属メッキ層を有する薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】主に薄膜の表面に剥離層を吹き付け塗装、塗布または印刷によって設け、剥離層に空白部をあらかじめに残し、この剥離層と空白部上に金属メッキ層をメッキ加工して、金属メッキ層によって剥離層と空白部とを被せた上、この金属メッキ層上に接着層を吹き付け塗装、塗布または印刷によって設ける。引き続き、この接着層上に基層を貼り付けるか、または前記金属メッキ層に接着層を有する基層を貼り付け、最後に、この基層と接着層を剥がし、接着層によって、余分な金属メッキ層と剥離層を同時に剥がし、特定図案、線形、文字、符号または数字だけの金属メッキ層を残す。これにより、金属メッキ層を有する薄膜を無線周波数識別（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ， ＲＦＩＤ）システムまたは無線伝送のアンテナあるいは導電製品に応用できる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】透明性、日射遮蔽性、意匠性（反射色が青系色）を満足させることが可能な透明積層フィルムを提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、第１金属薄膜、金属酸化物薄膜、第２金属薄膜がこの順に積層された積層構造を有し、上記第１金属薄膜および上記第２金属薄膜の膜厚が、６．０ｎｍ〜９．０ｎｍの範囲内、上記金属酸化物薄膜の膜厚が、７０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲内にある透明積層フィルムとする。第１金属薄膜および／または第２金属薄膜の少なくとも一方面には、さらに金属酸化物より主に構成されるバリア薄膜が形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 貼り合わせ型のガスバリアフィルムのように、貼り合わせ型の機能性フィルムの製造方法において、薄膜化や低コスト化を目的として基材を薄くした場合でも、所定の性能を有する機能性フィルムを安定して作製する。
【解決手段】 貼り合わせ型のガスバリアフィルムを製造するに際し、少なくとも１枚の材料フィルムが、基材の厚さが５０μｍ以下で、かつ、無機膜および下地層を有するものであり、この材料フィルムの作製時に、下地層の成膜で生じた反りを、無機層の成膜で補正することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の形成中にシリコン基板の表面に設けられた不純物の埋込層からのオートドープを抑制することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン基板の主表面にイオン注入法によって不純物を注入して第１素子分離不純物埋込層を形成する第１素子分離不純物注入工程Ｓ２と、前記第１素子分離不純物注入工程Ｓ２を経たシリコン基板にエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ３と、を備え、第１素子分離不純物注入工程Ｓ２におけるイオン注入時のエネルギーが１００〜２００ｋｅＶであり、かつ第１素子分離不純物注入工程Ｓ２とエピタキシャル層形成工程Ｓ３との間に実質的に熱処理を行なわないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア吸湿膜の分離がしにくく、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シート、このガスバリア性シートの製造方法、このガスバリア性シートを用いた封止体、及びこの封止体を用いた装置を提供する。
【解決手段】基材２と、基材２の上に設けられたガスバリア吸湿膜３とを有し、ガスバリア吸湿膜３が、基材２側から順番に、ケイ素１に対するアルカリ土類金属の原子数比が０．１以下となる領域Ａ、ケイ素１に対するアルカリ土類金属の原子数比が０．１より大きく１０より小さい領域Ｂ、及びアルカリ土類金属１に対するケイ素の原子数比が０．１以下となる領域Ｃより形成されるガスバリア性シート１Ａを用いることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の酸素量を精度良く制御する。
【解決手段】大気と遮断された酸化物半導体薄膜形成室２０内で、基板３６上に、酸化物半導体の薄膜、すなわち活性層１０６を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の中で前記薄膜を加熱する加熱工程と、前記酸化物半導体薄膜形成室２０と接続され、前記大気と遮断された輸送室１４内で、前記基板３６上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から急速冷却する冷却工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を結晶化させることにより透明電極の耐薬品性を高めることができると共に、透明導電膜の結晶化時に高分子材料基板を変形・劣化させることがない透明電極の製造方法を提供する。
【解決手段】高分子材料基板上に、Ｓｎを含有する非晶質透明導電膜を形成する工程と、非晶質透明導電膜を１１０℃以上１３０℃未満の温度で熱処理して結晶質透明電極とする工程とを含むことを特徴とする、透明電極の製造方法である。ここで、非晶質透明導電膜のＳｎ濃度は、ＳｎＯ_２換算で１〜５質量％であることが好ましい。 （もっと読む）