説明

Fターム[4K029GA00]の内容

物理蒸着 (93,067) | 後処理 (1,348)

Fターム[4K029GA00]の下位に属するFターム

Fターム[4K029GA00]に分類される特許

1 - 20 / 341




【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 (もっと読む)


【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面
に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】透明導電性酸化物膜の表面の表面最大粗さ(Rpv)が小さな透明導電性酸化物膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板の上に透明導電性酸化物膜を形成する。研磨剤を含まない酸性溶液またはアルカリ性溶液を透明導電性酸化物膜の表面に供給しながら擦る処理工程を行う。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム(Ga)若しくはスズ(Sn)の一部又は全部の代わりにゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム(Ge)原子は、酸素(Ge)原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム(Ga)又はスズ(Sn)の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム(Ge)を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が6配位した構造とし、インジウムは酸素が5配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、(a)炭素と(b)金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Aを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記(b)成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Aを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記(b)成分をスパッタする方法が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】複数の圧電体薄膜を積層して形成される圧電体素子における膜の密着性を高めて剥離を防止し、耐久性、信頼性を高めるとともに変位効率(駆動効率)を向上させる圧電体素子を提供する。
【解決手段】基板30上に、第1の電極32が形成され、その上に第1の圧電体膜34が形成される。さらに第1の圧電体膜34の上に拡散ブロック層として機能する金属酸化物膜36が積層され、その上に金属膜38が積層して形成される。金属膜38の上に第2の圧電体膜76が形成され、その上に第2の電極46が積層して形成される。第1の圧電体膜34の分極方向と第2の圧電体膜44の分極方向は互いに異なる。第1の電極32と第2の電極46を接地電位とし、金属膜38を含む中間電極40をドライブ電極とすることができる。各層の圧電体膜を互いに異なる組成で構成することができる。中間層40の厚みと応力値の積は100N/m未満であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、前記基材表面に被覆された第1の硬質皮膜と、その直上に被覆された第2の硬質皮膜の少なくとも2層以上からなり、
前記基材表面は窒化処理されており、前記第2の硬質皮膜を被覆する前に、前記第1の硬質皮膜の表面を算術平均粗さRaは0.05μm以下、かつ最大高さRzは1.00μm以下となるように研磨する耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】良好な薄膜処理方法およびその製品の提供。
【解決手段】本発明の主題の一つは、基材の第1の側上に堆積された少なくとも1層の薄い連続的な膜の処理のための方法であって、薄膜を連続に保ちながら、そしてこの薄膜を溶融するステップ無しで該薄膜の結晶化度を高めるように、この少なくとも1つの薄膜が少なくとも300℃に昇温され、該第1の側とは反対側上の温度が150℃以下ように保ちたれることを特徴とする、方法。
発明の別の主題は、この方法によって得ることができる材料である。 (もっと読む)


【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第1の加熱処理で第1の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第2の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第2の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 (もっと読む)


【課題】WSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がWSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ省スペースにエネルギ線硬化樹脂層を形成し、硬化させることができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、チャンバ10と、ステージ15と、ガス供給部13と、照射源14とを具備する。ステージ15は、チャンバ10の内部に配置され、基板Wを支持するための支持面151aを有する。ガス供給部13は、チャンバ10の内部に配置され、支持面151aに向けてエネルギ線硬化樹脂を含む原料ガスを供給する。照射源14は、チャンバ10の内部に支持面151aに対向して配置され、エネルギ線硬化樹脂を硬化させるためのエネルギ線を支持面151aに向けて照射する。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバと、第3のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第1のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第1のバリアメタルを成膜する。また、前記第2のプロセスチャンバは、前記第1のバリアメタルが成膜された前記基板上に第1のガスを導入することにより、前記第1のバリアメタルの上層部を前記第1のガスによって表面処理し、これにより前記第1のバリアメタル上に第2のバリアメタルを形成する。さらに、前記第3のプロセスチャンバは、前記第2のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第2のバリアメタル上に第3のバリアメタルを成膜する。 (もっと読む)


【課題】多元系合金からなる接点材料の絶縁破壊電圧特性の組成依存性を短時間で測定する。
【解決手段】接点材料に用いられるCu、Cr、Agなどの複数の金属系物質を加熱して蒸気化し、それを基板5に蒸着させ、成分が順次変化した薄膜6を形成し、この薄膜6を平板電極として接地し、薄膜6と所定のギャップを持って針電極11を対向配置し、薄膜6を針電極11の軸方向と直交する方向に所定間隔で移動させながら、針電極11と薄膜6間の絶縁破壊電圧を測定する。変化した成分量と絶縁破壊電圧の関係を求める評価方法である。 (もっと読む)


【課題】 樹脂薄膜を用い電子材料などを形成する際に厚みむらや欠陥があると薄膜化の効果が半減、性能不良に繋がる。薄膜の実用化には、膜質と生産性の両立が求められるが、従来の樹脂材料塗布方法は、重力による自然流動方式のため塗布したい加熱板面の範囲に対して流動させる時間を要し、また、流動する間に厚みむらや欠陥を生じ易いなど課題がある。
【解決手段】 樹脂材料の塗布方法としてニードルバルブによる吐出方法を採用することで、加熱板面上に均一な樹脂量が吐出可能となる。また。付着させる幅に応じ樹脂材料の供給点を複数個所設けることで、効率良く均一な吐出が可能となる。また、吐出粒径および吐出量の制御が可能となる。重力による自然流動方式で無いため、樹脂粘度の変化に対しても影響を受け難く、均一に吐出させながら蒸発させることで支持体に高速で安定した成膜が可能となる。 (もっと読む)


1 - 20 / 341