【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板２と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層４であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層６であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１０上に形成されたアンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２と、アンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２上に形成されたＴi/Ａl/ＴiＮからなるオーミック電極(ソース電極１１,ドレイン電極１２)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を１×１０^１６ｃｍ^−３以上かつ１×１０^２０ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板２に成膜された無機物からなる無機層３上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の所定領域に注入された、Ｎ型領域を形成する元素のイオンを、アニール処理の前後において被処理体の内部に維持し、所望のキャリア濃度のＮ型領域を形成することを可能とする、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした真空チャンバ内に、シリコンからなる被処理体１０１を配して、該真空チャンバ内に導入した、Ｎ型領域１０６Ｎを形成する元素Ｘを含むガスをプラズマ励起し、励起された該元素Ｘのイオンを、被処理体１０１の所定領域に注入する前工程と、該元素Ｘが注入された被処理体１０１をアニール処理する後工程と、を含み、該前工程と該後工程との間に、該真空チャンバ内に導入した酸素元素を含むガスをプラズマ励起し、励起された該酸素元素のラジカルに、該被処理体１０１の所定領域を曝露する工程を、さらに備えてなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
【解決手段】基材１２０と、該基材１２０の上部に設置されたバッファ層１６０と、該バッファ層１６０の上部に設置された窒化物半導体層１８０とを有する窒化物半導体用基板１００であって、前記基材１２０は、石英で構成され、前記バッファ層１６０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を含み、前記窒化物半導体層１８０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）を含む窒化物半導体で構成され、前記基材１２０と前記バッファ層１６０の間には、応力緩和層１２５が設置され、該応力緩和層１２５は、前記基材１２０に近い側のアモルファス層１３０および前記基材１２０に遠い側の結晶化層１５０を有し、または前記基材１２０に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記応力緩和層１２５は、窒化珪素または酸窒化珪素を含む。 （もっと読む）

【課題】大面積のプラズマを再現性良く生成することができ、これにより幅広い用途に適用可能な安価なプラズマソースを用いたプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマソース機構である酸化源６９は、真空処理槽５２の外側に誘電体部を介して配置され、高周波電力を印加可能な環状のアンテナ部と、アンテナ部の近傍に配置された磁石部とを有する。アンテナ部の第１及び第２のアンテナコイルが隣接して近接配置され並列に接続されている。真空処理槽５２内において、回転支持ドラム５３を回転させつつ第一及び第二成膜領域５７、５９にて基板５５上に金属膜を形成し、かつ、酸化領域６０にて基板５５上の当該膜に対して酸化源６９によって酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】トレンチおよび／またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ誘導結合プラズマ生成機構により処理容器内に誘導結合プラズマを生成し、直流電源から金属ターゲットに直流電力を供給し、バイアス電源により載置台に高周波バイアスを印加して、載置台上の被処理基板に金属薄膜を堆積させる工程と、誘導結合プラズマ生成機構によるプラズマの生成と直流電源への給電を停止し、処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ載置台に高周波バイアスを印加して、処理容器内に容量結合プラズマを形成するとともにプラズマ生成ガスのイオンを被処理基板に引き込んで堆積された金属薄膜をリスパッタリングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ系合金などの硬質難削材の湿式切削加工において硬質被覆層が耐剥離性と耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の最表面に０．５〜３．４μｍの平均層厚を有するＴｉとＡｌの酸窒化物層、下部層に０．８〜４．０μｍの平均層厚を有するＴｉとＡｌの窒化物層を被覆してなる切削工具であって、酸窒化物層は表面から深さ方向に蛇行経路を持って分布する微細孔を有する多孔質形状を備え、酸窒化物層を表面から観察した際の微細孔に内接する円の直径を微細孔の孔径とした場合、微細孔の孔径は０．１〜１．５μｍであり、酸窒化物層の比表面積が０．４〜１．０ｍ^２／ｇであり、酸窒化物層を表面から観察した場合の基材上面積に対する前記微細孔開口部の面積比が０．０５〜０．３であることを特徴とする表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】前照射工程、第１の成膜工程、後照射工程及び第２の成膜工程を順次有する。前照射工程では、基板１０１の表面にエネルギーを持つ粒子を３００〜６００秒の照射時間で照射する。第１の成膜工程では、前照射工程後の基板１０１の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第１の膜１０３を３ｎｍ以上の厚みで成膜する。後照射工程では、基板１０１に成膜された第１の膜１０３にエネルギーを持つ粒子を照射する。これにより第１の膜１０３の厚みを０．１〜５００ｎｍとし、かつ第１の膜１０３の表面に特定の表面特性を満足する凹凸を形成させる。第２の成膜工程では、後照射工程後の第１の膜１０３の凹凸面に撥油性を有する第２の膜１０５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で蒸着物質の収率を向上できる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】
プラスチックレンズ上に蒸着物質を蒸着する蒸着装置であって、上面に開口した凹部９１２を備える筐体と、凹部９１２に設けられた蒸着源９２と、筐体の上面９１１Ａ，９１３Ａに接触するとともに、スライド可能に取り付けられ、かつ蒸着源９２を覆う補正板９３とを、備え、筐体は、蒸着源９２とともに補正板９３を加熱するハロゲンランプ９４を内部に設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、ＣＰＵ、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、ＣＰＵを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層ＢＭは、処理対象物Ｗを一方の導電層ＣＬ１を有するものとし、この処理対象物と、例えばＴｉ製のターゲット２とを真空処理室１ａ内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第１金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第１金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】耐水性等の諸性能が良好な反射防止層、および反射防止層を備えたレンズなどの光学物品を提供する。
【解決手段】レンズ１０は、ｎ＋１層の低屈折率層３１とｎ層（ｎは２以上の整数）の高屈折率層３２から構成される反射防止層３を含む。低屈折率層３１と高屈折率層３２とが交互に積層され、複数の高屈折率層３２のうちの少なくとも１層は酸化ジルコニウムを主成分とする第１の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第１タイプの層であり、その他の高屈折率層３２は酸化チタンを主成分とする第２の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第２タイプの層である。複数の低屈折率層３１はそれぞれ酸化シリコンを主成分とする第３の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第３タイプの層である。 （もっと読む）

【課題】凹面を有する光学素子に膜厚が均一な金属酸化膜を形成する。
【解決手段】金属ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、光学素子２の凹面２ａに蒸着させて金属膜１１を形成する（スパッタ処理工程）。次に、スパッタ処理工程にて形成された金属膜にイオンビームｉを照射して、金属膜１１から放出されたスパッタ粒子ｓａを再度、光学素子２の凹面２ａに蒸着させて金属膜１１Ａを形成する（再スパッタ処理工程）。このとき、主に凹面２ａの中央部の金属がスパッタされて、スパッタ粒子ｓａが凹面２ａの周縁部に蒸着される。次に、再スパッタ処理工程にて形成された金属膜１１Ａに、酸素ラジカルビームを照射して酸化処理を行い、金属酸化膜１５を形成する（酸化処理工程）。 （もっと読む）

【課題】 テスト成膜による成膜の無駄を省き、成膜効率を向上させることが可能な薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット（２９ａ，２９ｂ）をスパッタして回転ドラム（１３）に保持され回転する基板（Ｓ）及びモニタ基板（Ｓ０）に、第１薄膜であるＡ膜を目標膜厚Ｔ１で形成した後、Ａ膜の形成に使用したターゲット（２９ａ，２９ｂ）をさらにスパッタし、Ａ膜と同一組成の別薄膜である第２薄膜であるＣ膜を目標膜厚Ｔ３で形成するための方法であって、膜厚監視工程Ｓ４，Ｓ５と、停止工程Ｓ７と、実時間取得工程Ｓ８と、実速度算出工程Ｓ９と、必要時間算出工程Ｓ２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】波長400〜700nmで製造ばらつきを考慮しても最大反射率が0.1％以下の反射防止特性を有し、製造の際にも安定した分光反射特性が得られる反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長400〜700nmの光において1.45〜2.12の屈折率を有する基板上に、前記基板から順に第１層〜第４層を形成してなる４層構成の反射防止膜であって、前記第１層〜第４層が、それぞれ独立に100〜150nmの光学膜厚を有し、前記基板の屈折率N0、及び前記第１層〜第４層の屈折率N1〜N4が、(0.78×N0+0.40)≦N1≦(0.78×N0+0.62)、(0.30×N0+1.20)≦N2≦(0.30×N0+1.73)、1.48≦N3≦1.94、及び1.15≦N4≦1.27を満たすことを特徴とする反射防止膜。 （もっと読む）

【課題】空気接触面に付着した金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層から成る耐傷性を有する保護層を提供する。
【解決手段】この保護層の厚さは、通常、１〜３ｎｍであり、酸化後、光学吸収を持つ。この層は、始めに主に未酸化又は未窒化状態で付着される。該金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層は、空気に曝された後、数日以内に完全に酸化する。この層を酸素又は窒素等の反応性ガスを含むプラズマ、放電、又はイオンビームに曝す場合は、この保護層の厚さは、２〜５ｎｍであってもよい。 （もっと読む）