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Fターム[4K029GA05]の内容

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Fターム[4K029GA05]に分類される特許

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【課題】大面積で薄く膜厚のばらつきが小さく高純度の金属膜を低い製造コストで効率よく製造する金属膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本金属膜の製造方法は、基体10の主表面上に真空蒸着法により金属膜20を形成する工程と、基体10から金属膜20を剥離する工程と、を含む。ここで、基体10を硫酸紙とすることができる。また、金属膜20は、その純度を99.99質量%以上、その厚さを1000nm未満、その面積を225cm2以上とすることができる。 (もっと読む)


【課題】可撓性透明基材上に結晶性の透明導電体層を有する透明導電性フィルムにおいて、透明導電体層がパターン化された場合であっても、タッチパネル等に組み込んだ際に、パターン開口部とパターン形成部との境界が視認されることによる見栄えの低下を抑制する。
【解決手段】可撓性透明基材の一方の面に結晶性導電性金属酸化物からなる透明導電体層が形成された透明導電性フィルムであって、可撓性透明基材の厚みは80μm以下である。本発明の透明導電性フィルムは、140℃で30分加熱した際の寸法変化率Hと、透明導電性フィルムから透明導電体層をエッチングにより除去したものを140℃で30分加熱した際の寸法変化率Hとの差H−Hが−0.02%〜0.043%である。そのため、タッチパネル等に組み込んだ際のパターン境界での段差が低減され、見栄えの低下が抑制される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、優れた透明性及び導電性を兼ね備える透明導電性部材を生産性良く製造することができる透明導電性部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材の製造方法は、金属箔を準備するステップ、
前記金属箔上にグラフェン層を形成するステップ、前記グラフェン層上に、直接又は一若しくは複数の層を介して、未硬化状態又は半硬化状態の反応性硬化型樹脂組成物からなる樹脂層を形成することで、中間部材を得るステップ、前記中間部材の前記樹脂層に透明な基材を重ね、続いて前記樹脂層を硬化させることで、積層物を得るステップ、及び前記積層物から金属箔を除去するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】金属化フィルムの破損することなく製造する。
【解決手段】帯状のプラスチックのフィルム12と、帯状の支持板16を貼り合わせ、貼り合わせた状態で、差圧シール機構30を介し、蒸着室36に導入する。蒸着室36内でフィルム12に金属膜を蒸着し、金属膜が蒸着された金属化フィルム44と支持板16が貼り付けられた状態で、差圧シール機構30を介し、蒸着室36から排出する。その後、支持板16を金属化フィルムから剥離する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、CPU、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、CPUを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 (もっと読む)


【課題】作製時の技術閾値が低く、アンテナの電波特性を良好に保ちつつ、耐環境性能にも優れる平面アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平面アンテナは、誘電体で構成される基板1と、基板1上に形成された所定のパターンと、上記所定のパターン以外の基板1の表面を被覆する導体膜2と、保護膜6とを備える平面アンテナ100であって、上記所定のパターンは、放射用スロットパターン3を含み、放射用スロットパターン3は、基板1の一方の主面に形成され、保護膜6は、放射用スロットパターン3、放射用スロットパターン3が形成された基板1の一方の主面を被覆する導体膜2、及び基板1の側面を被覆する導体膜2のそれぞれの上に形成されており、保護膜6は、膜厚が1〜200nmである。また、本発明の平面アンテナの製造方法は、スパッタリング法で導体膜2を形成する工程と、スパッタリング法で保護膜6を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつGaAs基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】GaAs基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ10において、GaAs基板1とデバイス層3の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層2を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】安価かつ短時間でバルブ金属と異相成分との混合膜を形成することにより、多孔質バルブ金属膜を工業的に提供可能とする。
【解決手段】1)メカニカルアロイングにより、バルブ金属と該バルブ金属と相溶性を持たない異相成分からなる合金粉を作製し、2)衝撃固化法により、バルブ金属箔集電体の少なくとも一方の面に、該合金粉を吹き付けて、前記バルブ金属と前記異相成分からなる混合膜を形成し、3)得られた混合膜を熱処理し、4)該混合膜中の異相成分を除去することにより、前記バルブ金属箔集電体の上にバルブ金属多孔質層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 透明導電層を、簡便な転写法で、低温で、十分な導電性を有し、安価に形成することを可能にする転写フィルム、透明導電膜付き接着フィルムを提供する。
【解決手段】 仮支持体14と、仮支持体14上に形成された金属層13と、金属層13上に形成された透明導電層12と、透明導電層12上の接着層11と、を備え、接着層11と透明導電層12とが剥離しないように、かつ、透明導電層12と金属層13とが剥離しないように、仮支持体14を金属層13から剥離することが可能である、転写フィルム10。 (もっと読む)


【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板12は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材10と、基材10の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜11とからなり、基材10の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径(r)≧50μmで面取りされている。 (もっと読む)


【課題】高品質な窒化物単結晶を高効率に生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC、ZnOまたはサファイアからなり、負イオン極性面からのオフ角が5°以下である主表面を有する下地基板9を準備し、前記下地基板9の主表面上に、窒化物単結晶膜1を形成すると、窒化物単結晶膜1の単結晶主表面1c上には欠陥として複数の凸部1pが形成される。窒化物単結晶膜1から、単結晶主表面1cに平行に単結晶基板を切り出す場合、欠陥部を含め、単結晶主表面1cから極僅かの厚み(深さ)分の領域については切り出して除去することが好ましいので、下地基板9の正イオン極性面を用いた場合に形成される凹部を有する窒化物単結晶膜に比較して、除去する量が少なく、歩留まりがよい。 (もっと読む)


【課題】プロセス設備が簡単になるだけでなく、相対的に、低温且つ低コストになり、また、大量生産に適合し、環境保護的な塩素(Cl)無しのものを適用でき、また、環境に親しく、電子材料業界に適合する新規金属窒素酸化物プロセスを提供する。
【解決手段】アンモニア液(NHOH)と過酸化水素(H)と水(HO)を混合した溶液を利用して、その体積比例が、1:1:1〜100の範囲にあって、エッチングしてからなる構造である新規金属窒素酸化物プロセスであって、溶液エッチングにより、基板表面の保護薄膜を除去すた後、下方にあるチタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と、反応させて、アニール(Anneal)することにより、基板表面にチタンオキシナイやタンタルオキシナイ或いはジルコニウムオキシナイ(TiON、TaON、ZrON)の薄膜が沈積される構造体である。その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】形成された付着膜を容易に除去することができる成膜装置用部品を提供する。また、成膜装置用部品に形成された付着膜を効率よく除去することができる付着膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置用部品は、基材と、前記基材に形成されたプレコート層とを有する成膜装置用部品であって、前記プレコート層が、水性無機コーティング剤から形成されたものであり、前記基材の線熱膨張率(α1)と前記プレコート層の線熱膨張率(α2)との差(│α1−α2│)が18×10-6/℃以下であることを特徴とする。
また、本発明の付着膜の除去方法は、付着膜形成後に、水および/または水蒸気によりプレコート層を処理した後、付着膜を除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地基板10上に、第一の膜11である炭素膜を形成する工程と、第一の膜11上に炭化チタン層12を形成する工程と、炭化チタン層12を窒化する工程と、窒化された炭化チタン層の上部にGaN半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、GaN半導体層から、下地基板10を除去して、GaN半導体基板を得る工程とを実施する。 (もっと読む)


本発明は、第一の外側面および第二の外側面を有する微小板形状のPVDメタリック効果顔料に関し、その微小板形状のPVDメタリック効果顔料は少なくとも1層のPVD層を有しており、その少なくとも1層のPVD層は、元素金属のクラスターを伴う元素金属および金属酸化物を含み、そのPVDメタリック効果顔料の第一の外側面の中および第二の外側面の中の元素金属の量が相互に異なっていて、その差が少なくとも10原子%である。本発明はさらに、この微小板形状のPVDメタリック効果顔料を製造するための方法、およびさらにはその使用にも関する。 (もっと読む)


【課題】孔密度や孔径、孔径分布の制御が容易で、簡易な、ナノポーラス表面を有する製品の製造方法を提供すること。
【解決手段】母材中に複数のナノ粒子が分散した材料を形成し、該母材中に複数のナノ粒子が分散した材料からナノ粒子を選択的に除去することを含む、ナノポーラス表面を有する製品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体発光素子及び化合物半導体発行素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】、Si−Al合金基板101と、このSi−Al合金基板101の上面及び下面に設けられた保護層120と、このSi−Al合金基板101の上面に設けられた保護層120上に順に積層されているp型半導体層104、活性層105及びn型半導体層106とを含む化合物半導体発光素子100を提供する。また、化合物半導体発行素子100の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】安価な薄膜顔料を提供する。
【解決手段】
本発明の成膜装置Aは、円筒形の成膜対象物2の下方にルツボ3が配置され、上方にアーク蒸発源4とスパッタリングターゲット5が配置されている。スパッタリングターゲット5によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源4による成膜とルツボ3からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。金属材料の粒子を発生させる場合、アーク蒸発源の粒子放出量が多いので、成膜速度が速く、安価な薄膜顔料を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】結晶性を向上するAlN結晶の製造方法、AlN基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】AlN結晶10の製造方法は、AlN下地基板11を準備する工程と、AlN下地基板11上にAlN結晶10を成長する工程と、AlN結晶10からAlN下地基板11を分離する工程とを備えている。AlN下地基板11およびAlN結晶10の一方は、280nm以下の波長の光に対して吸収係数が100cm-1以上である。AlN下地基板11およびAlN結晶10の他方は、220nm以上280nm以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が100cm-1未満である。上記分離する工程では、AlN下地基板11およびAlN結晶10のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 (もっと読む)


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