【課題】光電変換層がセレンを含有する場合、基板裏面へのセレンの回り込み、更にはセレンの付着を抑制した成膜装置、およびこの成膜装置により成膜された光電変換層を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、成膜チャンバ内に基材を搬送する搬送手段と、成膜チャンバ内を所定の真空度にする真空排気手段と、搬送される基材に光電変換層を形成する真空成膜手段と、基板において光電変換層が形成される側の面における搬送方向と直交する幅方向の両端に、前記搬送方向に沿って設けられた、温度調節機能を備えたマスクとを有する。搬送手段により基材が搬送されて真空成膜手段により基材に前記光電変換層が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空中において特に２次元的に重量物を搬送させるのに適した重量物搬送アシスト機構及び重量物搬送アシスト方法を提供し、また、それらを適用した成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】重量物を一次元的又は２次元的に搬送させるメイン軸を有し、前記メイン軸の負荷を低減する重量物搬送アシストする際に、前記搬送は一端を前記真空チャンバの壁に回転可能に固定され、他端に回転可能に設けられた前記重量物を有するリンクを有するリンク部を介して行われ、前記重量物を駆動するメイン軸の負荷を低減するようにアシスト軸によって前記一端にトルクを付与することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体に対して極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成可能とした基体への膜形成法を用いた、マイクロ／ナノデバイスの作製のための基盤技術となるデバイス作製法を提供する。
【解決手段】予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。これによって、基体２及び膜６からなるマイクロトンネル構造を得る。 （もっと読む）

【課題】被処理材のプラズマダメージを低減できるプラズマ雰囲気下で、被処理材上に成膜原料を効率的に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。特にガスバリア膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気下でイオン化した成膜原料を被処理材１上に堆積させる成膜方法であって、磁力線２が被処理材１の成膜面３から離れる方向９に向く磁場環境を形成し、その磁場環境で被処理材１の成膜面３に成膜原料を堆積させる。このときの磁力線２の向きは、磁石のＮ極からＳ極に向かう磁力線の向きであって、プラズマを構成する荷電粒子４を成膜面３から離れる方向９にはね返す向きである。そうした磁力線２は、永久磁石又は電磁石のＮ極を成膜原料が供給される側に近い側に配置し、Ｓ極を遠い側に配置する等して実現できる。 （もっと読む）

【課題】発光色度を改善することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に前記画素電極を形成し、ドーパント材料及びホスト材料からなる混合材料を供給し、混合材料を、ドーパント材料及び前記ホスト材料の昇華温度のうちいずれか高い方の温度以上で加熱することで発光層を形成し、発光層上に対向電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドープ濃度バラツキを改善することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ドーパント材料及びホスト材料からなる第一の混合材料と、ドーパント材料及びホスト材料からなり第一の混合材料よりもドープ濃度が高い第二の混合材料とを供給し、第一及び第二の混合材料を加熱することで発光層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、大型基板の量産工程に容易に適用でき、製造収率及び蒸着効率が向上した薄膜蒸着装置、これを利用した有機発光表示装置の製造方法及びこれを利用して製造された有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着装置は複数の薄膜蒸着アセンブリーを備え、複数の薄膜蒸着アセンブリーそれぞれは、蒸着源と、複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、蒸着源ノズル部とパターニングスリットシートとの間の空間を複数の蒸着空間に区切る複数の遮断板を備える遮断板アセンブリーと、を備え、薄膜蒸着装置は、基板と所定距離ほど離隔して形成され、薄膜蒸着装置と基板とは、いずれか一方が他方に対して相対的に移動自在に形成され、各蒸着源には、赤色発光層材料、緑色発光層材料、青色発光層材料又は補助層材料が備えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜室の真空槽内で従来より効率的に成膜マスクから付着物を除去できる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内に配置され、薄膜材料４５の蒸気を放出する放出容器３１に、ガス供給装置５０から反応ガスを導入する。放出容器３１の放出孔３４から放出される反応ガスは成膜マスク２１の付着物と反応して反応生成物ガスを形成し、反応生成物ガスは真空排気される。放出容器３１と成膜マスク２１との間に電圧を印加して反応ガスをプラズマ化することもできる。成膜マスク２１に周期的に負電位を印加すると、プラズマ中のイオンが成膜マスク２１に引き寄せられて衝突するのでより効率的に付着物を除去できる。成膜マスク２１に負電位を印加する間に放出容器３１に負電位を印加すると、放出容器３１からも付着物を効率的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザを用いてハーフトーンマスクの欠陥を除去し、欠陥部領域に遮断膜を効率良く形成でき、遮断膜の膜厚を調節し、ペリクル膜が形成された後も欠陥の除去が可能な機能とともに、リアルタイムで透過率を調節してリペア工程を行うことができるようにし、リペア部位の透過率の均一性を保障できるリペア方法及びそのシステムに関する。
【解決手段】本発明のハーフトーンマスクリペア方法は、原料物質にレーザを照射して半透過層の欠陥部位に蒸着することにより、ハーフトーンマスクの半透過領域の欠陥部位をリペアする。 （もっと読む）

【課題】 成膜効率の高いパターン成膜を行う。
【解決手段】 本発明のある態様のスパッタリング成膜装置においては、帯状の可撓性基板７を継続的に送り、円筒状のターゲット部４と基板７との間にマスク２５を配置して成膜処理を行う。マスク２５の開口は、基板７の給送方向に延びるように形成されている。加えて、本発明においては、基板７の給送動作に同期化させて回転ベルト式マスク２６を移動させる態様の成膜装置や、基板７の給送動作に同期化させて円筒状回転マスク３６を回転させる態様のスパッタリング成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が大幅に改善した酸化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドライ洗浄方法において、スループット向上し処理枚数を増やすことができるマスクドライ洗浄装置または洗浄方法を提供すること、あるいは上記マスクドライ洗浄装置を蒸着装置に隣接して設けることで短時間に洗浄できる稼働率の高い製造装置を提供することである。
【解決手段】本発明はレーザ光源から出射されるレーザ光をマスクに付着した付着蒸着材料に照射し該マスクを洗浄する際に、前記レーザ光を円形状から楕円形状に変更し、該楕円形状のレーザ光を前記マスクの前記付着蒸着材料に照射し洗浄することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ用マスクに対して復元不能なダメージを与えることなく、且つクリーニング速度の高速化を図ることを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ用マスク１の表面に付着した有機材料５０を剥離するためのレーザ光Ｌを発振するレーザ光源３１と、レーザ光Ｌの強度分布をガウス形状から平均的な分布（トップハット形状）に変換するビーム整形光学系３３と、強度分布が変換されたレーザ光Ｌを有機ＥＬ用マスク１の表面に走査させるＸガルバノミラー３５およびＹガルバノミラー３６を有する走査光学系と、を備えている。この構成により、レーザ光Ｌの強度分布が平均的になり、有機ＥＬ用マスク１に復元不能なダメージを与えなくなり、且つクリーニング速度が高速化する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法により、基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づける製膜装置を提供する。
【解決手段】製膜装置１は、基板２００上に形成される膜を構成する膜材料を供給する膜材料源１４と、膜材料源及び基板を設置するための空間１１ａを規定すると共に、空間を真空に維持することが可能な真空槽１１と、空間において、基板の少なくとも一部が膜材料源の少なくとも一部と対面するように基板を保持する保持手段１２１と、基板が一の方向に沿って移動するように保持手段を移動する移動手段１２３と、基板及び膜材料源間に配置され、一の方向と交わる方向である他の方向に沿って延在する開口部１２２ａを有するスリット板１２２とを備える。開口部の端部は、スリット板の面内においてずらし、他の方向から開口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡易な方法で洗浄することができ、付着していた蒸着物の回収を容易に行うことができるメタルマスクを提供する。また、該メタルマスクの洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の表面に親水性コーティングが施されたメタルマスクであって、前記親水性コーティングは、ケイ酸ナトリウムを５〜４０重量％、四ホウ酸ナトリウム十水和物を０．０１〜１．５重量％含有する水溶液Ａ、又は、ケイ酸ナトリウムを５〜４０重量％、リン酸ナトリウムを０．０１〜１．６重量％含有する水溶液Ｂをメタルマスクの少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させるものであるメタルマスク。 （もっと読む）

【課題】ウエハプロセスへの投入から大径の薄化ウエハを用いる場合でも、ウエハ反りおよびウエハ割れの少ない半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に複数の半導体素子を形成する工程の前に、半導体基板１の外周を減厚して外周端部３を形成し、外周端部３に、前記半導体基板より熱膨張係数が大きく、かつ、半導体素子１を形成する工程内の熱処理工程で印加されるもっとも高い温度より融点が高い金属４を、半導体基板１の半導体素子が形成される両主面より突出しない膜厚で被着する半導体素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】成膜マスクから付着物を高効率で除去するクリーニング装置と、成膜作業を中断させずに成膜マスクのクリーニングを行う成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】
クリーニング装置１０は、シャワーノズル２１と離間して対面する位置に処理対象物５０を配置したときに、処理対象物５０と接触部材２３とが接触し、処理対象物５０とシャワーノズル２１との間の放電空間が、洗浄容器２０の筒状の側壁２２で取り囲まれると共に、処理対象物５０と洗浄容器２０との間に隙間２９が形成されるように構成されている。真空排気装置１２によって真空槽１１内を真空排気しながら、シャワーノズル２１内に反応ガスを供給し、放電空間にプラズマを発生させ、処理対象物５０表面の付着物と反応ガスとの反応生成物ガスを、真空排気装置１２によって、隙間２９から真空排気する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを長期間に亘って均一に使用できると共に、成膜速度を向上させることができるマグネトロンスパッタ装置によって、ＬａＢ_６膜を下地である基体上に成膜した場合、ＬａＢ_６膜が剥離し易いことが判明した。
【解決手段】基体の表面を窒化した後、引き続き同一処理装置内にて、基体の窒化された前記表面にスパッタによりＬａＢ_６の膜を形成することによって、基体から剥離し難いＬａＢ_６膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を、冷却されるドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、成膜を行なう場合に、基板とドラムとの密着不良を抑制することにより、熱による基板の変形を防止し、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜手段による成膜領域を規定する開口部６８ａを有するマスク６８と、マスクの開口部における基板Ｚの搬送方向の上流側の位置で、基板とドラム３６との密着状態を検出する密着検出手段と、基板とドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有し、密着制御手段が密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、基板とドラムとの密着状態を制御する。 （もっと読む）