【課題】 斜め蒸着により基板４上に柱状体１４を形成する方法において、蒸発源３と成膜面との距離が大きければ、蒸発粒子とチャンバー１内残留ガス分子との衝突頻度が増大して入射粒子の入射方位に分布を生じるために、柱状体１４が太るために柱状体間の隙間が減少する。
【解決手段】 蒸発源３と成膜面との間の、蒸発源３から放射状に引き出した線上に整流板１１を配置する。整流板１１を配置することで、柱状体１４が太るために柱状体間の隙間が減少することを抑制できる。また、整流板１１へ付着する堆積物の量を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】金属材料を用いてマスクの厚さを薄くする場合、精密なパターンに対して蒸着を行う場合には、マスクの撓みを抑制すべくマスクに張力を与える必要がある。この張力により、マスクを使う毎にマスク形状が変形し、精密な形状を有するマスク形状を維持していくことが困難となるという課題がある。また、単結晶シリコンを用いる場合、単結晶シリコンは脆い材質である。そのため単結晶シリコンを薄く形成すると、機械的に弱くなり、破損を防ぐことが困難となるという課題がある。
【解決手段】第１テーパー部１０３の上に支持部１０４、第２テーパー部１０５、頂部平坦部１０６を配置する。支持部１０４、第２テーパー部１０５、頂部平坦部１０６により、第１テーパー部１０３が補強されるため、パターン分離部１０２の強度を保った状態で第１テーパー部１０３を薄くできるため、材料効率が高くなり、かつ蒸着膜厚の面内均一性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料を高い利用効率で成膜することができる蒸着マスクを提供する。
【解決手段】蒸着マスク２０は、第１面３４ａおよび第１面とは反対側の第２面３４ｂを有し、第１面と第２面との間を延びる貫通孔２５が形成された金属製シート３４を備える。金属製シートの第１面側に、線状に延びる溝２６が形成されている。金属製シートの第２面側に、穴２７が形成されている。溝と穴とは通じており、これにより、溝と穴とによって金属製シートを貫通する貫通孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】極めて高精細なパターニングを行うことを可能とする蒸着マスクを含み、取り扱い中に蒸着マスクを破損してしまうことを抑制することができる蒸着マスク付シートを提供する。
【解決手段】蒸着マスク付シート６０は、樹脂製シート３２と、前記樹脂製シートと積層された金属製シート３４とを備えている。金属製シート３４には、複数の孔２５が形成されている。前記金属製シート３４は、前記樹脂製シート３２と分離された後に、蒸着マスク２０として用いられるようになる。 （もっと読む）

【課題】マスクと被成膜基板との位置合わせ精度を低下しにくいマスクを提供すること。
【解決手段】板状のマスク基板２に、被成膜基板に形成される薄膜パターンに対応する開口部３と、前記被成膜基板との位置合わせに用いるマスクアライメント部４とが形成され、マスクアライメント部４は、開口端面が前記被成膜基板の成膜面を向き、底面の粗さがマスク基板２の上面粗さと異なる凹部である。 （もっと読む）

【課題】極めて高精細なパターニングを行うことを可能とする蒸着マスクを製造する蒸着マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着マスクの製造方法において、エッチングにより金属製シート３４に孔２５が形成される。エッチングされる金属製シートは、樹脂製シート３２上に支持された積層体３０として供給される。エッチング後に、積層体の樹脂製シートが除去される。 （もっと読む）

【課題】透過孔パターンを精度良く形成しつつ、多面取りを実現することが可能な蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスクならびに表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着用マスク１の製造方法は、複数の金属薄膜１０を、張力Ｔを付加しつつ枠体１１に固着させたのちに、各金属薄膜１０に複数の透過孔パターン１０Ａを形成する。透過孔パターン１０Ａは、金属薄膜１０の表面側および裏面側に、フォトレジスト膜の形成、レーザダイレクト露光法によるパターンの描画、フォトレジスト膜の現像、エッチング、フォトレジスト膜の剥離、水洗乾燥の工程をこの順に経て形成する。金属薄膜単体における透過孔１０Ａ−１の寸法精度や位置精度に加え、複数の金属薄膜１０間での透過孔１０Ａ−１の相対的な位置精度が良好に確保される。 （もっと読む）

【課題】連続的に生産しても蒸着ずれが小さく、画素内の膜厚分布が良好かつ材料の無駄の少ない真空蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内に蒸着源ユニット１００を固定し、蒸着源の蒸気３を横切るように基板４を移動させる間に、該基板４の所定個所に蒸着源の蒸気３を蒸着する。基板４の蒸着源ユニット１００側に蒸着マスク５を設置し、真空チャンバ１内には複数のローラ１３によるマスクフレーム７の移動手段を有し、マスクフレーム７の蒸着源ユニット１００側の面に対して非接触かつ近接して設けた冷却手段を持つ冷却板１１を該マスクフレーム７が移動する軌道上に設ける。冷却板１１には蒸着源ユニット１００の近傍に部分的に開口部６０を設け、蒸着源ユニット１００の冷却プレート１４の開口部７０を通して蒸着源２で発生した蒸気３を蒸着マスク５及び基板４に吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水晶素子、セラミック素子、半導体素子等の電子部品に対して、たとえば、蒸着またはスパッタ等の処理を行う際にこれらを搬送する搬送装置および搬送装置の作製方法に関するものである。
【解決手段】本発明に使用する３層部材は、エッチング不可能な部材の両側からエッチング可能な部材によって挟まれている。また、前記３層部材には、一方の側に多数の被搬送部材を収納する収納部が形成されている。前記３層部材の上に載置される上部板は、前記収納部の開口とほぼ同じ大きさのテーパー状開口部を備えている。前記被搬送部材を収納する収納部は、垂直な側壁からなり、搬送中に被搬送部材がガタツクことがない。また、テーパー状開口部を備えた上部板は、前記被搬送部材を前記収納部に収納する際にガイドとなり、収納が容易になる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子のパターン薄膜を画素内に均一かつ高精細に形成することのできる成膜用マスクを実現する。
【解決手段】蒸着基板にマスク成膜するための開口部１を備えた蒸着用マスクにおいて、蒸着基板側と反対側のマスク部材３の表面及び開口部１の側面１ａに金属膜２を形成する。これにより、開口部１の開口径を金属膜２の厚みＨ２分だけ縮小し、パターン薄膜の高精細化を可能にする。また、マスク部材３の蒸着基板側と反対側の表面のみに金属膜２を形成することで、マスク厚みの増加を抑えながらマスク強度を向上させ、耐久性を高める。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着やスパッタリングなどの過程においてシャドーマスクの表面に累積した薄膜の剥離によって生じる粉塵による欠陥を防止して、長期間安定して用いることができるシャドーマスクを提供する。
【解決手段】シャドーマスク２００は、基板２１０と、マスク２２０と、剥離防止用の高分子層２４０とを備える。マスク２２０は、基板２１０の上に所望の形状に薄膜を転写するための開口部を有して形成される。剥離防止用の高分子層２４０は、マスクの上に形成される。マスク２２０は、金属からなることが好ましい。また、高分子層２４０は、４０℃〜２５０℃の範囲のガラス転移温度を有することが好ましい。さらに、高分子層２４０は、非結晶性ＰＥＴ、可塑化ＰＶＣ、高密度ＰＥ、ＰＰ及びＰＥＩのいずれか１つの材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】透明な基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、膜厚さが漸減するグラデーション層を安定してバラツキなく同時に複数の基板に成膜することの可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜層は、誘電性物質からなる蒸着ターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子の被膜を形成した後、この被膜に反応性ガスを照射して生成された化合物で膜形成し、上記金属膜は、金属物質からなる蒸着ターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成する。そして上記誘電体膜層と金属膜の膜形成は、（１）上記基板を上記成膜チャンバ内に配置された円筒形状の回転ドラムに装着し、（２）上記蒸着ターゲットを板状材料で上記基板表面と略々平行に配置し、（３）上記回転ドラムにはマスク開口を有するマスク板を上記基板との間に所定の成膜ギャップを形成するように配置する。 （もっと読む）

【課題】透明な基板上に光学特性に応じた複数の膜層を形成する際に、膜厚さが漸減するグラデーション領域の濃度勾配を膜層毎に設定することの可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】減光膜は、光学特性の異なる少なくとも第１第２の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして第１物質、第２物質の順に積層状に成膜し、この減光膜は膜厚さが略々等しい等濃度領域と、膜厚さが直線的に漸減するグラデーション領域とを有する。上記グラデーション領域は、上記基板とマスク開口を有するマスク板との間に形成された所定の成膜ギャップ内に生ずるスパッタ粒子の拡散で膜厚さが漸減するように生成し、上記グラデーション領域は上記ターゲットをスパッタリングする際に動作ガスの成膜圧力の差、又は上記基板に印加するバイアス電圧の差、又は動作ガスの質量によって上記第１物質の濃度勾配と上記第２物質の濃度勾配が異なるように生成する。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板内に複数個の有機ＥＬ素子を配した場合、基板の所定の領域に配された有機ＥＬ素子に所定の膜厚を成膜することが可能な、蒸着装置およびそれを用いて作製された有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】蒸着源により蒸着材料を気化させて、基板にマスクを用いて所望の形状に膜形成を行う蒸着装置において、前記基板およびマスクの蒸着源側に、膜形成を行いたい領域部分に開口を設けたシャッターマスクを配することを特徴とする蒸着装置、およびそれを用いて製造した有機ＥＬ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面が滑らか若しくは平面的な状態に保たれた密な一次元構造配列又はクロスバー構造を容易に作製できる方法を提供する。
【解決手段】一次元構造配列又はナノクロスバー構造を基板上で、以下のようにして作製する。(i) 基板をセット；(ii) 前記基板上に近接して、スリットを有するシャドーマスク５をセット；(iii) 前記基板上に、第一層を堆積させるための原料を供給； (iv)前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動； (v) 前記基板上に、第二層を堆積させるための別の原料を供給；(vi) 前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動；(vii) シャドーマスク又は基板の総移動距離がスリットピッチに達するまで、上記工程(iii)-(vi)を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】熱線膨張係数の異なるプラスチック、あるいはガラス基板等の素材を用いた被蒸着基板に対して所定のパターン等を蒸着する際、温度上昇に耐え、高精度のマスキングをすることができる蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】各種の回路パターン等が形成されたマスク１に対して種々の材料よりなる保持基板２を、接着あるいはその他の方法で貼り合わせて一体化し、熱線膨張に対して安定化した高精度な蒸着用マスクを構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。
【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの開口を有し、かつ、絶縁性材料からなるマスク基材の一方の面に接着性層を有し、他方の面に一層以上の絶縁性層または金属層を、該基材と剥離可能に有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、半導体ウェーハ上の蒸着用マスク最表面にマスク基材表面を露出させた後、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】常温時の被蒸着基板に対する蒸着マスクの整合精度を蒸着窯内における昇温時にも良好に担保でき、従って発光層を高精度に再現性良く形成できる蒸着マスク及びその製造方法を得るにある。
【解決手段】蒸着通孔５からなる蒸着パターンを備えるマスク層２に低熱線膨張係数の材質から成る支持層３を蒸着通孔５と重ならないように積層しているため、マスク自体の強度アップはもちろんのこと、熱の影響による形状変化の抑制、つまり、蒸着作業時における高温環境下での蒸着マスク１と被蒸着基板２０との位置ずれを顕著に低減できる。 （もっと読む）

【課題】保護膜層を蒸着させる装置及び該装置を利用した蒸着方法を提供する。
【解決手段】基板投入口から基板が装入され基板がキャリアに装着される空間を提供するアンチ・ハイドレーション・モジュールと、アンチ・ハイドレーション・モジュールと連結され真空を維持するロードロック・チャンバと、ロードロック・チャンバと連結されキャリアに装着された基板が移送される複数の真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられた蒸着室と、蒸着室内に設けられ基板上に保護膜層の元素材を蒸着させるターゲット部と、アンチ・ハイドレーション・モジュールとロードロック・チャンバと真空チャンバと蒸着室とに連続的に設けられキャリア上に装着された基板を移送させる移送部と、アンチ・ハイドレーション・モジュールとロードロック・チャンバと真空チャンバと蒸着室との境界部に設けられ各空間を選択的に開閉させるゲート弁と、を備えることで保護膜層を蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板とのアライメントマークと、支持基板とチップとを接合する際のアライメントマークとを高い位置精度で形成することのできる成膜用マスク部材、およびこの成膜用マスク部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】マスク開口部２２が形成されたチップ２０を支持基板３０に対して固定することにより形成される成膜用マスク部材１０において、チップ２０の上面２０ｘには、支持基板との位置合わせ用の第１アライメントマーク２４と、被処理基板との位置合わせ用の第２アライメントマーク２５とが形成されている。第１アライメントマーク２４は貫通穴である。 （もっと読む）