【課題】アンダーバンプメタルのＣｕの膜質のバラツキを抑制してサイドエッチ量のバラツキを低減する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハに形成された半導体チップにアンダーバンプメタルを蒸着するスパッタ装置内の温度を判定する判定ステップと、前記スパッタ装置内の温度がアンダーバンプメタルの蒸着に適した所定温度以上でないと判定したときに、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入するダミーウエハ投入ステップと、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入して前記スパッタ装置内の温度が前記所定温度以上となったと判定したときに、前記半導体ウエハを前記スパッタ装置に投入する半導体ウエハ投入ステップと、を有する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】 薄膜エッチング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 紫外光でフォトマスクを介して基板上の光学樹脂層について露光を行い、そして焙焼プロセスを通じてすでに露光された光学樹脂層を気化させ、また露光していない部分を残して薄膜として形成することで前記光学樹脂層の気化された箇所に補填し、再度紫外光で光学樹脂層に対して全面露光を行い、また再度高温焙焼を通じて基板上の光学樹脂層の全部を気化させ、必要な薄膜パターンを残すことで、設備と製造の低コストの状況において、薄膜エッチングの精度を向上させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。
【解決手段】被装着体である細線（細管を含む）の表面に装着することで細線を屈曲可能な能動細線に構成させる形状記憶合金製マイクロアクチュエータ１の製造方法であって、被装着体の代わりとなるダミー細線１０を用い、ダミー細線の外側周面に対して拡散防止用金属薄膜２０を積層する工程、拡散防止用金属薄膜の上から形状記憶合金組成薄膜３０を積層する工程、形状記憶合金組成薄膜に対して形状記憶熱処理を施す工程、形状記憶合金組成薄膜に対して所定のレジストパターンＰを形成する工程、形状記憶合金組成薄膜と拡散防止用金属薄膜をエッチングする工程、ダミー細線を溶解除去する工程とを有する。 （もっと読む）

エネルギー粒子ビーム（４２）で基板（４４）を処理するための方法及び装置である。基板（４４）上の特徴（６６）は、エネルギー粒子ビーム（４２）に対して配向され、基板（４４）はエネルギー粒子ビーム（４２）を通して走査される。ビーム（４２）の長寸法（４９）に対して特徴（６６）を再配向するために、基板（４４）は、エネルギー粒子ビーム（４２）への露光から遮蔽される間に、対称な方位軸（４５）の周りで周期的に割り出される。
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【課題】層間絶縁膜の材質としてフッ素添加カーボン（ＣＦ膜）を用いた半導体装置において、低誘電率であるフッ素添加カーボン膜の利点を生かすこと。
【解決手段】直鎖構造のＣ_５Ｆ_８ガスを用いてＣＦ膜を成膜し、その表面にハードマスクになる金属を直接形成する。このＣＦ膜は、耐熱性が大きいので金属膜の膜剥れがなく、また機械的強度が大きいのでＣＭＰ加工にも耐えられ、またＣＭＰ加工の後処理を有機酸などで行うことによりＣＦ膜の損傷もなくなる。その結果下層側のＣＦ膜と上層側のＣＦ膜との間にＳｉＣＮなどからなる比誘電率の高いキャップ膜が存在しなくなる。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイス及びその製造方法に関し、カーボンナノチューブの特性を生かすとともに、よりに良好な電気伝導特性をもつ配線構造を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ束３の間隙を重合フラーレン６で埋め込んだカーボンベース配線を設ける。 （もっと読む）

【課題】特別な工程を追加することなしに、対向電極と同じ仕事関数を有するＩＴＯ膜を電極上に形成する反射型液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射型の画素電極１１３を有する画素電極基板と透明電極１１７を有する対向基板との間に液晶層１１６が設けられ、透明電極１１７に対する仕事関数の差が、画素電極１１３と透明電極１１７の仕事関数差よりも小さい導電性薄膜が、画素電極の表面に形成された反射型液晶表示パネルの製造方法において、画素電極となる層の表面にある、画素を分離する領域である画素分離領域上にレジストを形成する工程と、レジストが形成された後、導電性薄膜を形成する工程と、レジストリフトオフ法によって、画素分離領域上に形成された導電性薄膜を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】動圧軸受の内孔壁の微細な溝の加工の困難度を改善することができ、より良い耐磨耗性を有するフォトリソグラフィー技術を用いた動圧軸受とその製造方法する。
【解決手段】内孔を有する軸受本体１を提供するステップ、軸受本体１の内孔壁の表面にフォトレジストを塗布するステップ、フォトレジストが露光された、表面に動圧溝パターンのマスクを有するランプを軸受本体の内孔の中に設置し、露光を行うステップ、フォトレジストに現像を行い、一部のフォトレジストを取り除き、内孔壁を露出するステップ、フォトレジストの保護を受けていない内孔壁上に、堆積層５０を形成するステップ、および内孔壁上に残留しているフォトレジストを取り除き、内孔壁上に動圧溝１２を形成するステップを含む動圧軸受の製造方法。 （もっと読む）

【課題】内部の任意の位置に温度センサを組み込むことができる軸受装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態によれば、基板ＴＳａの裏面に金属薄膜により配線ＴＳｃ、ＴＳｄを形成したので、大きなスペースを必要としないため、軸受装置の内部に任意に配置することができ、精度良く軸受内部の温度測定を行うことができる。又、配線の半田付けなどが不要であるため、本実施の形態の温度センサＴＳは量産性に優れている。配線ＴＳｃ、ＴＳｄへの結線は、相手部品の各端子への圧着などにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】リフト・オフ法によって薄膜パターンを形成する際に製造される製品に障害を生じさせない薄膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上に形成されたレジスト膜Ｒを、形成する薄膜パターンに対応する薄膜パターン用開口部Ｍ１ａと一辺の長さＬ１，Ｌ２がレジスト膜Ｒの膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂを有する露光マスクＭ１を介して露光させ、現像工程の後、基板Ｐおよびレジスト膜Ｒ上に、蒸着法またはスパッタリング法によって薄膜パターンの形成材料ｆによる薄膜Ｆ１，Ｆ２を形成し、この後に、レジスト膜Ｒをレジスト剥離液ｒによって溶解して基板Ｐ上から除去する。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極が形成されて成るボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜と、半導体活性層間で汚れ付着等による汚染のない清浄な界面を実現と、生産性が高く、安価かつ大量に生産できる上、特性の優れたフレキシブル薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極を形成した可撓性プラスチックの基材２上に、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層を形成するボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法であって、ロール状の基材２を連続巻取方式の成膜装置１２の真空成膜室内で、ゲート絶縁膜と酸化物からなる半導体活性層とを大気開放することなく連続してスパッタ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 装飾感に優れた加飾製品を容易に製造することができる部分マルチコートによる加飾製品の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１上に有機溶剤剥離型又はアルカリ剥離型のレジストインクを印刷することによりレジスト層１２を形成した後、基板１１上に蒸着法によってマルチコート層１３を被覆形成する。次いで、レジスト層１２の位置に有機溶剤又はアルカリ水溶液を作用させマルチコート層１３を浸透させてレジスト層１２を溶解させた後、ブラッシングを行ってレジスト層１２が存在していた位置のマルチコート層１３を剥離し、その部分の基板１１を露出させる。次いで、マルチコート層１３上にマスキング層１５を形成し、剥離されたレジスト層１２の部分にメッキを施して装飾部１４としてのメッキ層を形成し、その後マスキング層１５を剥離する。このようにして、部分マルチコートによる加飾製品が製造される。 （もっと読む）

【課題】 埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入後の結晶回復のための熱処理を水素雰囲気中にて行うことで、注入前酸化処理を行わなくともイオン注入層７１，７２への面荒れ発生が極めて効果的に抑制される。その結果、埋込イオン注入層７１’，７２’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク６４として用いたイオン注入が実現される。注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。また、酸化膜の形成／除去が不要となる結果、エピタキシャルウェーハ製造の工程数を劇的に減ずることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来、事実上不可能であった、または極めて実現困難であった単体としての薄膜の形成を、簡便に実施することのできる薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜の形成方法では、基板１上に基準温度以上において粘着力を喪失する接着層２と薄膜３とを順に積層したのち、自らの基準温度以上となるように接着層２を加熱することにより、この接着層２から薄膜３を分離するようにする。このため、各種溶剤を用いて接着層２を溶解除去する場合のように接着層２の厚みや表面積に依存することもなく、容易かつ短時間で単体としての薄膜３を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 保持可能な基板の種類が限定されず、かつ当該基板の温度を効果的に制御することができる新規な基板保持装置を提供する。
【解決手段】 この発明に係る基板保持機構１８は、例えば真空蒸着装置に適用されるものであり、図示しない液体冷却装置から冷却水が供給される水冷ジャケット３４を有している。そして、この水冷ジャケット３４の下面には、複数の押圧ユニット４０，４０，…が設けられており、それぞれの押圧ユニット４０は、水冷ジャケット３４を介して冷却水が注入される溶接ベローズ５２を有している。この溶接ベローズ５２の移動端（先端）には、中継冷却板５６が結合されており、冷却水の圧力に応じて当該ベローズ５２が伸縮すると、中継冷却板５６によってヒートシンク７０と共にウェハ１６が下方に押し付けられ、固定される。 （もっと読む）

【課題】特定の位相シフトと減衰の特性を有する材料を局所的に堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】本発明はハーフトーン型位相シフト・フォトマスクの修復に特に応用可能である。修復される領域の透過率および位相の制御が可能である。好ましい実施形態では、修復領域を透過する光の位相は堆積材料の厚さを制御することによって制御され、修復領域の透過率は修復領域への不純物の導入を制御することによって制御される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、少なくとも一つの一定の方向へ曲がる炭素ナノチューブのマトリックス構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭素ナノチューブのマトリックス構造は基板、該基板の表面に形成された少なくとも一つの触媒塊、及び該触媒塊に成長された炭素ナノチューブのマトリックスを含み、該触媒塊の厚さは第一端部から第二端部へ漸進的に減らし、該第一端部から該第二端部への範囲中で、ある位置の厚さが好ましい厚さに寄って、該炭素ナノチューブのマトリックスは該好ましい厚さの位置から離れた方向へ曲がる。本発明は前記炭素ナノチューブのマトリックス構造の製造方法も提供する。 （もっと読む）

本発明の目的は金属表面およびガラス質被覆を有する基板を提供することにある。この目的のため、本発明は被覆された基板、あるいは被覆された基板を備えた製品を製造する方法に関し、前記基板はガラスで被覆された少なくとも１つの金属表面を有する。この基板は少なくともその金属表面上が蒸着ガラスで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、湾曲表面上にパターン化光学コーティングを有する基材を作成する方法であって、
上記湾曲表面のサブエリアを覆うマスキングが上記湾曲表面に塗布され、
真空堆積法を用いて、光学コーティングが塗布され、
上記マスキングが除去される
湾曲表面上にパターン化光学コーティングを有する基材を作成する方法に関する。
【解決手段】 特に本方法によって作成されることができる被覆基材は、少なくとも１つのパターン化された光学コーティングが設けられた湾曲表面を有し、それによって、光学コーティングは、この表面の少なくとも１つのサブエリア上に設けられ、少なくとも１つの隣接サブエリア上にはない。 （もっと読む）