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【課題】多数の基板上の特定部分のみに薄膜を形成する作業を簡素化して効率化することにより、薄膜形成時の作業時間を短縮し、成膜作業における費用の低減が可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置100に備えられた基板保持機構3は、基板の非成膜部分の一部が他の基板と重なり合い、成膜部分が露出するように複数の基板を保持する基板保持部材10〜40と、基板保持部材10〜40を支持する支持部材50と、支持部材50を回転させる回転部材60と、を備え、基板保持部材10〜40は、複数の基板を保持し、成膜源4と複数の基板との間に配設される複数の保持面と、複数の保持面の間に形成され、複数の基板の端部とそれぞれ当接する複数の段差部と、複数の段差部に基板の端部が当接した状態にあるとき、成膜部分に相当する部分の保持面上に形成された複数の開口部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】フィルム状ガラスの両面上に膜が形成されており、反りが抑制された膜付フィルム状ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム状ガラス1をターゲット2の表面2aに対して垂直に保持した状態でターゲット2の上を通過させながらフィルム状ガラス1の両面1a、1bの上に成膜する。とくに、フィルム状ガラスを、スパッタリング法、CVD法または真空蒸着法により成膜を行うことが好ましく、さらにターゲット上を通過する軌道に沿って旋回させながらフィルム状ガラスの両面の上に成膜することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】真空成膜装置に発生するパーティクルをスパッタリングすることなく、低減するスパッタクリーニング方を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ101を形成する真空容器と、前記真空容器の内部を真空排気する排気機構102と、前記真空容器の内部に成膜材料ターゲットを取り付けたカソードと、前記真空容器にプロセスガス103を導入するプロセスガス導入機構と、前記真空容器にクリーニングガス104を導入するクリーニングガス導入機構と、前記真空容器の内部に基板を搬送する基板搬送機構110を備え、前記カソードの成膜材料ターゲットを放電でスパッタし、前記基板の成膜面側にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜装置において、クリーニング基板111を基板搬送機構により真空容器の内部に搬入し、前記クリーニング基板の捕捉面の逆側に磁石を配置し、前記磁石の磁力により前記真空容器内の異物をクリーニング基板の捕捉面に付着させる。 (もっと読む)


【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面23を、露出されたチャック面13に提供することと、チャック面13に静電吸着された基板Wに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面23を解除することと、を含む。保護表面23は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 (もっと読む)


【課題】簡便な工程でありながら、1バッチで粉体に対してクラスタを均一に堆積させることが可能な粉体に対するクラスタ堆積方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット材料からクラスタCを生成する工程と、
クラスタCの中から質量フィルタによりクラスタサイズを基準として堆積用のクラスタを選別する工程と、
担体粒子Pからなる粉体と液体との混合物を真空中に噴出させる工程と、
真空中に噴出された前記混合物中の担体粒子Pに、前記堆積用のクラスタを接触させることにより、担体粒子Pの表面上にクラスタCを堆積させる工程と、
を含むことを特徴とする粉体に対するクラスタ堆積方法。 (もっと読む)


【課題】薄膜素子の生産効率と材料の利用効率を向上させることが可能な蒸着装置を提供することである。
【解決手段】ガラス基板7を設置可能な真空室2と、薄膜材料を真空雰囲気中で蒸発させる蒸発装置5と、蒸発された薄膜材料を面状に蒸散させる複数の蒸散管4とを有し、真空室2内にガラス基板7を設置して所定成分の薄膜を蒸着する蒸着装置1において、揺動装置20を有し、ガラス基板7は揺動装置20に固定されるものであり、ガラス基板7に薄膜を蒸着する際には、ガラス基板7を蒸散管4に対向した状態で近接させ、ガラス基板7を平面内で揺動させる。 (もっと読む)


【課題】 光学素子成形用型の型母材にFCVA法によってtaC膜を成膜する工程において、開角の大きな凸形状の型の周辺の傾斜部の膜質が劣るのを防ぐ。
【解決手段】 光学素子成形用型の型母材10に、FCVA法によりtaC膜12を成膜する工程で、型母材10を浮遊電位に保ち、絶縁部材3a、3bを介して型母材10を保持する型母材保持部材2に電圧を印加する。また、型母材10に内設した磁石4によって、型母材10の転写面の法線方向に磁力を作用させる磁場を形成することで、膜質を均一化する。 (もっと読む)


【課題】薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有し、破損等することなく確実にウエハを処理できるウエハの処理方法を提供する。
【解決手段】接着剤成分と、刺激により気体を発生する気体発生剤とを含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程と、前記支持板に固定されたウエハの表面に薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程と、前記処理後のウエハに刺激を与えて前記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから剥離する支持板剥離工程とを有するウエハの処理方法。 (もっと読む)


【課題】キャリアからの基板の脱落を防止すると共に、キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】第1の支持部材41の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第1の支持部材41が支持台40の取付面S1に沿った方向に変位可能に支持され、第2の支持部材42の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第2の支持部材42が第1の支持部材42の取付面S2に沿って、第1の支持部材41の熱膨張による水平方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持され、ホルダ3の熱膨張による鉛直方向の伸びに応じて、このホルダ3が第3の支持部材43の取付面S3に沿って、第1及び第2の支持部材41,42の熱膨張による鉛直方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持されている。 (もっと読む)


【課題】被処理体のセルフバイアス測定方法、この測定方法を離脱条件に反映させて、被処理体を安定した状態で安全確実に離脱できる方法及びその装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室内の静電チャック2上に固定される被処理体10の外周縁近くに、導電体のセルフバイアス測定用部品7を設置し、被処理体10へのプラズマ処理中にセルフバイアス測定用部品7の電圧を測定する工程と、この測定電圧が被処理体10のセルフバイアスに等しい値であると仮定して、間接的に得られた被処理体10のセルフバイアス値が0Vになるように、静電チャック2に印加された電圧の逆電圧と、測定されたセルフバイアス値の分だけオフセットした電圧とを印加するフィードバック制御を行う。電圧の測定は、冷却ステージ6とアースとの間に接続された電圧計9を用い、被処理体10の離脱条件に、プラズマ処理の状態変化に応じた被処理体10のセルフバイアスをフィードバックさせる。 (もっと読む)


本発明の実施形態は、一般に半導体処理チャンバ用のプロセスキットおよびキットを有する半導体処理チャンバに関する。より詳しくは、本明細書において説明する実施形態は、物理堆積チャンバ内で使用されるカバーリング、シールド、およびアイソレータを含むプロセスキットに関する。プロセスキットの構成要素は、単独でまたは組み合わせて、粒子発生および迷走プラズマを著しく減少させるように働く。プロセスキャビティの外に迷走プラズマを生じさせるRF高調波の一因となる長くなったRFリターン経路を与える既存の複数部品シールドと比較して、本プロセスキットの構成要素は、RFリターン経路を短縮し、したがって、内部処理領域内のプラズマ汚染の改善を提供する。
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【課題】エアー溜まりの発生を良好に防止できるとともに、膜剥離の発生を抑制でき、耐久性に優れた金型の製造方法を提供する。
【解決手段】基材に、所定の形状を有する成形面を形成し、スパッタ法により成形面に被覆層を成膜した後、被覆層の表面をエッチングにより粗面化する。被覆層は、基材を基材保持部で保持し、所定の回転軸で基材保持部を回転させるとともに、スパッタターゲットの表面の法線と回転軸との間の角度が時間的に変化するようにスパッタターゲットと基材保持部の相対位置を変化させながら成膜する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置基板のスパッタリングプロセスで特に周辺部に付着するパーティクルを抑制できるスパッタリング装置および半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空処理室1内に、ステージ2と、ターゲット4と、デポリング8と、カバーリング7とを備える。またプラズマ発生手段と、ステージ2に静電チャック作用を発生させる直流電源3と、ターゲット4のコンディショニング時にステージ2全体をプラズマから遮蔽して保護するシャッターディスク9と、クリーニング時にステージ2の基板設置面のみを覆ってプラズマから保護する保護ディスク12とを備える。保護ディスク12が上記サイズであることにより、ステージ2の側壁とデポリング8との間の余剰な成膜物も除去が可能となる。 (もっと読む)


【課題】部材に形成される膜の膜厚分布を高い精度で制御するために好適な技術を提供する。
【解決手段】膜を形成する成膜装置1は、供給源20から供給される材料によって部材30に膜が形成されるように部材30を保持する保持機構40と、保持機構40によって保持された部材30と供給源20との間に部材30から離隔して配置されて、部材30に形成される膜の膜厚分布を制御する制御板100とを備える。制御板100は、少なくとも部材30に対する膜の形成時は、保持機構40によって保持された部材30との相対位置が固定される。 (もっと読む)


【課題】周期表IB族、IIIB族、VIB族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。
【解決手段】不活性ガスArの雰囲気下において、高周波電源IIに接続したターゲット電極21a,22a,23a上に載置した周期表IB族、IIIB族、VIB族から選ばれる複数の元素から構成される複合ターゲット21,22,23と被成膜体としての基板11とを対向配置し、ターゲット電極21a,22a,23aに高電圧を印加し複合ターゲット21,22,23の表面をスパッタリングすることにより基板11上に薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング方法。基板11を複数の複合ターゲット21,22,23の前を移動させることにより基板11上に薄膜の積層体が成膜される。 (もっと読む)


【課題】真空成膜用の基板等の運動を適切に制御できるパラレルリンク機構およびパラレルリンク機構を備えた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】リンク部120は、アクチュエータ45Aが配された伸縮装置45と、支柱46と、を含み、伸縮装置45が、一対の板部材49、48間において並列に配されて、伸縮装置45のそれぞれが、アクチュエータ45Aの駆動力により軸方向に伸縮可能に構成され、支柱46は、両板部材49、48間において伸縮装置45と並列に配されて、アクチュエータ45Aの駆動力を一対の板部材49、48を介して伝達することにより軸方向に伸縮可能に構成される。板部材49は、伸縮装置45の一方の軸端に継手41A、41B、41Cを介して連結され、支柱の一方の軸端に継手43を介して連結される。板部材48は、伸縮装置45の他方の軸端に継手40A、40B、40Cを介して連結され、支柱46の他方の軸端に固定される。 (もっと読む)


【課題】 電子部品となるような短冊状基板の両面に同時に成膜する方法であって、均一に成膜された短冊状基板の成膜方法の提供を目的とする。
【解決手段】 マグネトロン方式スパッタリング装置を使用し、短冊状基板を取り付けた基板固定冶具を基板ホルダーに設置し、同時に短冊状基板の両面に成膜する方法であって、短冊状基板をスパッタ源の法線方向に対して0度±10度の範囲となるように設置し、基板ホルダーを回転させ、基板に負のパルスバイアス電圧を印加し、負のパルスバイアス電圧を100V以上1000V以下の範囲とし、かつ電源offの継続時間t-offと電源onの継続時間t-onの比であるt-off/t-onを0.1≦ t-off/t-on ≦ 1の範囲として、短冊状基板の両面へ同時に成膜することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】有機電界発光表示装置の製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】上記有機電界発光表示装置の製造装置は、チャンバと、基板がその上面に載置するように上記チャンバ内部に配置され、所定パターンの開口が形成されているマスクと、上記マスクの下側に配置されて上記マスクの開口を通して上記基板に膜が形成されるように蒸着物質を上記マスク側に供給する蒸着物質供給源と、上記基板の底面に上記マスクが密着されるように上記基板の上面を上記マスク側に加圧し、上記基板の曲がった形状に沿って変形して上記基板の上面を加圧する基板−マスク密着ユニットとを含む。 (もっと読む)


【課題】配線パターンの更なる精細化に寄与できる積層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルムFに薄膜を成膜して積層基板を製造する際は、樹脂フィルムFのうち、巻出ロール14からニップロール31までの間の部分に25N以上80N以下の範囲内の張力を作用させると共に、ニップロール31から巻取ロール16までの間の部分に10N以上25N以下の範囲内の張力を作用させながら、スパッタリングカソード41,42を非稼動状態にしておき、スパッタリングカソード43,44,45を稼動させる。スパッタリングカソード43を稼動させることにより、樹脂フィルムFの接触部分の表面にはニッケル薄膜が成膜される。この薄膜は下地層となるものであり、この下地層の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード44で成膜し、続いて、この銅薄膜の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード45で成膜する。 (もっと読む)


【課題】構造及び組成を制御することが可能な、イオンビームスパッタ法によるリチウム複合酸化物薄膜の製造方法、及び、当該製造方法によりリチウム複合酸化物薄膜を製造する工程を有する、電極体の製造方法を提供する。
【解決手段】リチウム及び遷移金属を含有するリチウム複合酸化物を有するターゲット2にイオンビーム3を照射し、ターゲットから飛び出したスパッタ粒子を基板4に堆積させることにより、リチウム複合酸化物薄膜5を製造する方法において、イオンビームの正反射方向に基板4’を配置した場合の成膜速度を1とするとき、成膜速度が0.4以下となる位置に基板4が配置される、リチウム複合酸化物薄膜の製造方法とし、当該製造方法によってリチウム複合酸化物薄膜を製造する工程を有する、電極体の製造方法とする。 (もっと読む)


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