【課題】酸素欠損を低減したβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽１０内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第１のセル１３ａからＧａ蒸気を供給し、基板ホルダ１１に保持されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上にβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長レートが高まる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚を形成する。
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを１軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極触媒の製造方法に関し、直流式のスパッタリング装置を用いる際に、微細化した触媒金属をカーボン粉末の表面に担持可能な電極触媒の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持された回転バレルと、該回転バレル内に配置したターゲットユニットと、該プラズマを発生可能な直流式のスパッタリング電源と、を備えたスパッタリング装置を用い、上記回転バレル内にカーボン粉末を収納すると共に、上記ターゲットユニット内に白金プレートを設置して、上記回転バレルを回転させつつ上記スパッタリング電源からのスパッタ出力を１．０ｋＷよりも小さい値に設定して、上記白金プレートの白金を前記カーボン粉末にスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】種々の形状と材質とを有する被処理物の全表面に種々の材料による薄膜を好ましく形成する安価で作業性に優れたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内には被処理物３を収納するバレル５と、ターゲット表面を有するスパッタリングカソード７とを配設し、該バレルに回転と進退と揺動とを組み合わせた動きを与えることにより、該バレル内の被処理物を転動、混合させ、以て該被処理物の全表面にターゲット材の成膜を行うようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン（１μｍ以下）のサイズのパターンを持つシームレスモールドを高い生産性・量産性で得ること。
【解決手段】本発明のモールドのエッチング装置は、真空槽中に配置されたスリーブ形状のモールド（１５）と、前記真空槽中の前記モールド（１５）の表面に対向する位置に配置された円筒形状の対向電極（２２）と、を具備し、前記モールド（１５）に高周波を印加させ、前記対向電極（２２）を接地して前記モールドをエッチング処理するエッチング装置であって、前記エッチング処理の際、前記モールド（１５）を回転させないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質磁性膜上に形成される薄膜の結晶配向性を高めることが可能なスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】非晶質磁性膜を有した基板Ｓが収容されて希ガスが供給される真空槽１１と、前記真空槽１１に設けられた接地電極であるシャッタ２２と、前記真空槽１１内に配置されたＭｇＯターゲットＴに接続されたターゲット電極を内蔵するカソード１８と、高周波電力を前記ターゲット電極に出力する高周波電源ＧＥと、前記ＭｇＯターゲットＴと前記高周波電源ＧＥとの間に直列に接続されたインピーダンス整合器２０とを備えるスパッタ成膜装置１０であって、前記シャッタ２２に流れる電流値を変更する可変キャパシタ２６が、前記インピーダンス整合器２０に対する前記ＭｇＯターゲットＴ側に、前記ＭｇＯターゲットＴと前記シャッタ２２とから構成される負荷２５に対して並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー１０３と、基板ホルダー１３０に対して斜めに配置されたターゲットホルダー１０７ａ〜１０７ｄと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Ｘに対して２回対称に配置された２個の孔を有する第１シャッター１１５および第２シャッター１１６とを備える。ターゲットホルダー１０７ａ、１０７ｃは、回転軸Ｘに対して２回対称な位置に配置される第１群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー１０７ｂ、１０７ｄは、第１群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Ｘに対して２回対称に配置される第２群のターゲットホルダーである。 （もっと読む）

【課題】大型基板に偏りなく均一に多品種の積層膜を成膜可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。また、複数の材料で形成される薄膜の組成を精密に制御することが可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半径方向に並べて配置された複数の蒸着源を有する蒸着源群を、回転軸に対して放射状に複数配置する。成膜は回転軸に対して基板が公転、または蒸着源群を配置したテーブルが自転、若しくはその両方をさせながら行う。その際、回転半径の小さい箇所と大きい箇所とでは線速度が異なるため、成膜速度を均一にするために、テーブルに半径方向に並べた蒸着源は、外側に向かうほど気化速度が速くなるよう制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】従来知られている低温液相メタノール合成用触媒と比較して、メタノールの合成原料ガス中に二酸化炭素、水等が混在しても触媒の活性低下の度合いがより低く、かつ、より活性の高い触媒とすることができるメタノール合成用触媒の製造方法、並びにこの製造方法で製造された触媒を用いた液相でのメタノールの合成方法を提供する。
【解決手段】メタノール合成用触媒の製造方法において、アルコール溶媒の存在下で、一酸化炭素と水素を含む原料ガスから、ギ酸エステルを経由してメタノールを合成する際に用いられる銅を含む触媒のスパッタリング法による製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で被処理体３上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる２種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体６を、独立に出力調整可能な複数の電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置し、２種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの各出力電力をそれぞれ０％〜１００％の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性に優れた硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１上に硬質皮膜４を備えた硬質皮膜形成部材１０であって、硬質皮膜４は、組成がＴｉ_ａＣｒ_ｂＡｌ_ｃＳｉ_ｄＹ_ｅ（Ｂ_ｕＣ_ｖＮ_ｗ）（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｕ、ｖ、ｗは所定量の原子比）を満足するＡ層２と、組成がＴｉ_ｆＣｒ_ｇＡｌ_ｈ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）（ただし、ｆ、ｇ、ｈ、ｘ、ｙ、ｚは所定量の原子比）を満足するＢ層３とを備え、Ａ層２とＢ層３が交互に積層され、前記Ａ層と前記Ｂ層の１組の積層構造を１単位としたときに、この１単位の厚さが、１０〜５０ｎｍであり、かつ硬質皮膜４の膜厚が１〜５μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軟鋼や低硬度鋼などを切削する場合において、硬質被覆層がすぐれた潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、立方晶構造のＮｂＮと六方晶構造のＮｂＮの交互積層構造からなり、かつ、該交互積層構造について電子線回折分析により、各層を判別したとき、全膜中の六方晶構造のＮｂＮの割合が１５％以上６０％未満であることを特徴とする表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】フェライト相が多く析出した被削材の高速連続切削加工及び断続切削加工で、すぐれた耐摩耗性、耐欠損性、耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、下部層、中間層および上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成し、下部層はＴｉＢ_２層、中間層は、組成式：Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｂ_ＸＮ_Ｙで表した場合、０．１５≦Ｘ≦０．６０、０．０５≦Ｙ≦０．３５、０．５０≦Ｘ＋Ｙ≦０．６５（Ｘ、Ｙは原子比）を満足する平均組成を有し、さらに、下部層側から上部層側へ向うにしたがって、Ｘの値は次第に減少、Ｙの値は次第に増加する傾斜組織を有するＴｉＢ_２−ＴｉＮ混合層、上部層は、組成式：（Ｔｉ_１−ＺＡｌ_Ｚ）Ｎ層で表した場合、Ｚは０．３〜０．６５（原子比）であるＴｉとＡｌの複合窒化物層で構成し、すくい面とホーニング面の上部層を除去する。 （もっと読む）

【課題】硬質難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＺｒ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、上記Ｚｒ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、５〜３０ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径５０〜１００ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径２００〜１０００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム合金基材表面に、良好な導電性を有するＤＬＣ皮膜が設置された導電性部材を提供する。
【解決手段】マグネシウム金属またはマグネシウム合金の基材の表面に、ＤＬＣ皮膜が設置されて構成された導電性部材であって、前記ＤＬＣ皮膜は、１０．３ａｔ％未満のアルミニウムを含み、前記基材と前記ＤＬＣ皮膜の間には、両者の密着性を向上する中間層が設置されていることを特徴とする導電性部材。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された１００〜５００ｎｍの層厚の複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、［Ａｌ_１−ｘＴｉ_ｘ］Ｎ（ｘは原子比で０．３０〜０．８０）層、薄層Ｂは、［Ｔｉ_１−ｙＳｉ_ｙ］Ｎ（ｙは原子比で０．０１〜０．３０）層であって、単一層は、前記薄層Ａと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Ｂと同一組成・成分で０．３〜１μｍの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、ステンレス鋼等の難削材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記硬質被覆層が、（ａ）組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎあるいは組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層からなるＴｉＡｌ（Ｍ）Ｎ薄層、（ｂ）組成式：（Ｎｂ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＮｂとＹの複合窒化物層からなるＮｂＹＮ薄層、前記（ａ）、（ｂ）の交互積層からなることを特徴とする表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ａｌ，Ｔｉ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ａｌ，Ｔｉ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ａｌ，Ｔｉ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、上記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、上記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】合金鋼の高速強断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｃｒ，Ａｌ，Ｍ）Ｎ（但し、Ｍは、ＮｂまたはＴａ）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】結晶球の周回経路の結晶方位に対応した膜厚の膜を正確に真空成膜する。
【解決手段】真空容器２１内で蒸着材料２２を加熱気化させる蒸着材料放射ステップ（２２，３１）と、弾性表面波４を周回させる圧電性結晶球２の周回経路５が前記気化された蒸着材料２２の放射ビームの照射方向と対面するように、圧電性結晶球２を回転可能に支持する支持ステップ（３２，３５）と、周回経路の結晶方位に従って前記回転支持ステップによる圧電性結晶球２の回転速度を変更し、周回経路上に結晶方位に依存した膜厚分布で真空成膜する成膜制御ステップ（１，５，３２，３４，３５）とを有する球状弾性表面波素子の製造方法である。 （もっと読む）