【課題】異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、インラインで積層し、短時間の加熱処理で結晶性を有することができ、低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜はＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が１重量％以上４重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜３ａと、同じくＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が４重量％超え、１０重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜３ｂで形成され、前記第一及び第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、真空中で加熱温度が１２０℃以上２００℃以下であり、加熱時間が１分以上、３０分以下の条件で加熱処理することで前記第一及び第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第１のプロセスチャンバと、第２のプロセスチャンバと、第３のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第１のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第１のバリアメタルを成膜する。また、前記第２のプロセスチャンバは、前記第１のバリアメタルが成膜された前記基板上に第１のガスを導入することにより、前記第１のバリアメタルの上層部を前記第１のガスによって表面処理し、これにより前記第１のバリアメタル上に第２のバリアメタルを形成する。さらに、前記第３のプロセスチャンバは、前記第２のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第２のバリアメタル上に第３のバリアメタルを成膜する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気中で測定対象物を精度良く測定でき、光ファイバを着脱しても、測定精度に影響の無いエリプソメータを提供する。
【構成】投光部１３と受光部１４を筺体１１の内部に配置し、発光装置１２を筺体１１の外部に配置し、光配線装置１８によって、発光装置１２と投光部１３とを光接続する。投光部１３は入射光を偏光して測定光を生成し、測定対象物７に照射し、反射光を受光部１４によって受光して筺体１１の外部に配置された分析装置１５へ送光すると、分析装置１５で膜厚が求められる。測定対象物７を真空雰囲気中で測定でき、光配線装置１８と投光部１３とを着脱しても、相対的に同じ位置で仮固定され、着脱が測定精度に影響を与えない。 （もっと読む）

【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。
【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜２３の上面２３ｓ及びホール２３ｈ内に相変化膜２４を形成する。次いで、相変化膜２４を覆うキャップ膜２５を形成する。更に、相変化膜２４を加熱して、相変化膜２４によってホール２３ｈを埋め込むリフローを行う。キャップ膜２５は、絶縁膜２３よりも相変化膜２４に対する濡れ性が低い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に小さなマスクで蒸着すると時間がかかる。
【解決手段】 基板上に行列をなして配置された複数の区画の各々に形成されるＥＬ発光装置の製造方法であって、
列方向の全ての区画の蒸着パタンを開口として有するマスクを前記基板に対向して保持し、前記マスクを通して前記基板に蒸着物質を蒸着する工程を有し、
前記基板を前記区画の行方向に１列ずつ移動し、前記工程を繰り返すことを特徴とするＥＬ発光装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルムに比べて伸び難く且つ割れやすい長尺ガラスフィルムに対して熱負荷の掛かる表面処理を連続的に施す方法を提供する。
【解決手段】 巻出ロール２１０から連続的に引き出された長尺ガラスフィルムＧを搬送経路に沿って搬送しながら順に加熱処理、表面処理および冷却処理を施す長尺ガラスフィルムＧの処理方法であって、前記表面処理では長尺ガラスフィルムＧの一方の面を熱媒で加熱されたキャンロール２３３の外周面上に接触させながら他方の面にスパッタリング等の熱負荷の掛かる処理を施し、前記搬送経路における前記表面処理と前記加熱処理との間および／または前記冷却処理の後において例えばアキュムレータロールを用いて長尺ガラスフィルムＧの伸縮を調整する。 （もっと読む）

【課題】クティブマトリクス型の発光装置を作製するにあたり、従来に比べ短時間内で製造でき、且つ、低コストで歩留まりよく製造できる構造及び方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部に配置されるＴＦＴの半導体層に接して形成される金属電極、或いは電気的に接続される金属電極を積層構造とし、部分的にエッチング加工する。そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第１の電極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクの強度を低下させずに、大面積の成膜対象物に成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】
マスク３１は、薄膜材料蒸気が通過する複数の通過孔３２が配置された有効領域３３₁〜３３₃と、薄膜材料蒸気を遮蔽する遮蔽領域３４₁〜３４₄とを有し、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃は、長さ方向と、長さ方向と直交する幅方向とを有する四角形状であり、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃とは、有効領域３３₁〜３３₃の幅方向６に沿って互いに隣接して配置され、成膜装置１０ａは、マスク３１と放出装置２１とに対し、成膜対象物４２を、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₄とが並ぶ方向に相対的に移動させる第一の移動装置５１を有している。 （もっと読む）

【課題】インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合、形成される膜の膜質の劣化の防止が困難である。
【解決手段】蒸着チャンバ１０、隔壁４０で隔てられた副チャンバ２０、隔壁を貫通して蒸着チャンバから副チャンバへ移動可能に設けられた蒸着材料供給ベルト３０、蒸着材料溶液を副チャンバ中において蒸着材料供給ベルト上に供給する蒸着材料溶液供給部（３４）、蒸着チャンバ内の蒸着材料供給ベルト上の蒸着材料が気化するように加熱する加熱部３３、成膜対象物１の保持搬送部を有し、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離し、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】比較的優れた品質の有機ＥＬ素子を製造し得る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を搬送部に供給し、該搬送部表面に前記基材の一面側を当接させて前記基材を搬送しつつ、前記搬送部と対向し且つ前記基材に対して近接する位置に配された蒸着源のノズルから、気化された有機ＥＬ膜の構成層形成材料を吐出させて、前記基材における前記搬送部と反対の面側に有機ＥＬ膜の構成層を形成する蒸着工程を含んでなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記蒸着工程では、更に、回転軸を中心として回転駆動する板状の回転体を有し且つ該回転体に開口部が形成されたシャドーマスクを、前記搬送部に当接した前記基材と前記ノズルとの間にて基材の近傍に介入させ、前記基材の移動に追従するように前記シャドーマスクを回転させつつ、前記開口部を通して気化された前記構成材料を基材側に供給し、前記基材に前記開口部に応じた有機ＥＬ膜の構成層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、クラスタを自由に構成できる有機ＥＬデバイス製造装置及び同製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着材料を基板に蒸着する処理部を具備する真空処理チャンバと、前記基板を搬入または搬出する受渡室と、前記基板を前記受渡室と前記複数の処理部との間を放射状に搬送する搬送手段とを具備する真空搬送チャンバとを備えるクラスタを、前記受渡室を介して複数有する有機ＥＬデバイス製造装置において、前記受渡室は、載置基台に支持され前記基板を載置する載置部と、前記基板を前後反転させる前後反転補正機構、前記基板を搬送方向に移動させる搬送方向移動機構のうち少なくとも一方を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材１４が巻回されるリール本体１８と、リール本体１８を収納するケース３２と、ケース３２に設けられ、ケース３２内に基材１４との非反応性ガスを導入可能なガス導入口３６と、ケース３２に設けられ、基材１４がケース３２の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口３８と、リール本体１８に一体回転可能に設けられ、基材１４上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器１２３と、真空容器１２３内の真空度を測定する真空計１と、真空計１への付着を抑制する付着抑制手段１０とを備える構成とする。このように、真空計１への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段１０を備える構成とすることで、真空計１への成膜材料の付着を抑制し、真空計１の機能の低下を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気を維持したまま、多数の基板の薄膜の膜厚を成膜中に測定する。
【解決手段】真空槽１２内に複数のサンプル板１６を配置し、基板の成膜面に薄膜を成長させる際に、サンプル板１６の検出面６１にも薄膜を成長させ、サンプル板１６表面に測定光を照射して薄膜の膜厚測定を行うことができる。サンプル板１６には金属電極が不要であり、高温に加熱することができるので、検出面６１に形成された薄膜を加熱して除去し、サンプル板１６を再使用することができる。その結果、真空雰囲気を維持したまま、多数枚数の基板に対する薄膜の膜厚測定を行うことができる。真空雰囲気内に複数のサンプル板１６を用意し、薄膜が形成されたサンプル板１６を加熱する間に別のサンプル板１６によって膜厚測定を行うと、薄膜除去の待ち時間は生じない。 （もっと読む）

【課題】有機層蒸着装置及びこれを用いる有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着用基板を固定させる静電チャックと、真空に維持されるチャンバ及びチャンバの内部に配されて静電チャックに固定された基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリーを備える蒸着部と、基板が固定された静電チャックを蒸着部内に移動させる第１循環部と、を備え、第１循環部は、蒸着部を通過する時にチャンバ内部に貫通し、第１循環部は、静電チャックが一方向に移動可能に静電チャックを収容する収容部を備えるガイド部を備える有機層蒸着装置及びこれを用いる有機発光表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の位置をターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置とした斜め入射スパッタ法を用いた従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、製造時間を短縮し、膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】ターゲット１０に正対する位置から基板表面２０に平行な方向にずらした位置に基板２０を配置した斜め入射スパッタ法により、基板表面２０ａ上に結晶軸傾斜膜のシード層２１を形成するシード層形成工程と、形成したシード層２１の表面を平坦化する平坦化工程と、ターゲット１０に正対する位置に基板２０を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化されたシード層２１の表面上に、シード層２１と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層２３を形成する成長層形成工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池の生産において、処理時間の違いによって生じる処理装置の待ち時間を減少させる技術を提供する。
【解決手段】第二の処理部４で基板７０を真空処理した後、大気に搬出し、移動室２の一端に接続された搬入室３１から大気に曝さずに基板７０を移動室２内に搬入し、基板７０を移動室２に接続された第一の処理部３に移動させて真空処理し、大気に曝さずに第三の処理部５で真空処理し、リチウムイオン二次電池を生産する。 （もっと読む）

【課題】有機層蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着工程中に基板と有機層蒸着装置との精密な整列の可能な有機層蒸着装置である。有機層蒸着装置は、第１マーク及び第１整列パターンを撮影する第１カメラアセンブリーと、第２整列マーク及び第２整列パターンを撮影する第２カメラアセンブリーと、を備え、前記第１カメラアセンブリーにより撮影された前記第１整列パターンの映像が同一であり、前記第２カメラアセンブリーにより撮影された前記第２整列パターンの映像が同一であるように、前記基板の移動速度と前記第１カメラアセンブリー及び前記第２カメラアセンブリーの撮影速度とを同期化する。 （もっと読む）

【課題】薄膜リチウム二次電池を小型の装置で簡易に真空一貫で製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置１は、真空槽２内に、回転駆動軸３を中心として旋回させて基板１０を搬送する基板搬送機構３０を有し、回転駆動軸３の周囲に、仕込取出室４と、第１〜第３のスパッタリング室５〜７と、負極層形成室８と、保護層形成室９とが設けられている。第１のスパッタリング室５においては、集電体層と保護層を形成する。第２のスパッタリング室６においては、ＬｉＣｏＯ₂からなる正極層を形成する。第３のスパッタリング室７においては、ＬｉＰＯＮからなる固体電解質層を形成する。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板搬送機構３０の保持部３２が通過する領域と対向する位置に配置される。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板１０を装着した状態で蓋機構によって塞がれる。 （もっと読む）