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Fターム[4K029KA01]の内容

物理蒸着 (93,067) | 連続処理 (1,970) | 基体の搬送 (1,384)

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【課題】 積層圧電素子の三面に、特別な構造の装置を用いることなく、膜質と膜厚が一定な外部電極を効率良く形成でき、外部電極の除去工程も必要ない製造方法を提供すること。
【解決手段】 第1の面(第1の側面)94に第1の外部電極(第1の側面電極)を形成した複数の積層圧電体9を、第2の面(第2の側面)95がターゲット13の金属粒子が放出される面と平行な面と角度をなすように並置させて、コーティングを行い第2の外部電極(第2の側面電極)951と配線電極921を同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】大型化しても、耐力が低下せず、溶接作業のコストが従来より低い真空容器を提供する。
【解決手段】
中空の箱形容器11と、箱形容器11の第一の壁面121より大きく、第一の壁面121に密着して固定された第一のフランジ板13aと、第一のフランジ板13aと第一の壁面121とを貫通して設けられ、箱形容器11の中空の部分14と外部空間とを連通させる第一の貫通孔15aと、箱形容器11の第一の壁面121に接続された第二の壁面122に設けられた第一の開口16aと、第一の開口16aより大きく、第一の開口16aを覆う位置に取り外し可能に配置された第一の扉板17aとを有する真空容器10であって、第一のフランジ板13aと第一の壁面121とは一体成形されている。そのため、繰り返し使用しても、第一のフランジ板13aと第一の壁面121との間に割れが起こらず、気密不良が生じない。 (もっと読む)


【課題】排気手段への成膜材料の混入を抑制し、排気手段の性能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気手段に通じる排気口123bに成膜材料を捕捉する捕捉手段10を備える構成とする。捕捉手段によって成膜材料を捕捉して、成膜材料の排気手段への進入を抑制する。これにより、排気手段の性能の低下を防止する。また、排気手段の交換、清掃などのメンテナンス周期を延長することが可能であるため、運転停止期間を削減して、成膜装置の生産能力を向上させることもできる。 (もっと読む)


【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ(10)を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極(60)が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料(61)が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】短い円筒型のサブターゲットを円筒軸方向に並べて構成される長い円筒型ターゲットを用いて、膜質の変化を抑制して成膜を行うスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板17を第1の円筒ターゲット19の近傍を所定の方向Dsに搬送させながら、中心軸Ax19に沿って延在する第1の円筒ターゲット19からスパッタリングして、当該基板17に薄膜を形成するスパッタリング装置Asであって、前記第1の円筒ターゲット19は、当該第1の円筒ターゲット19より筒長の短い第2の円筒ターゲット18が第1の所定数kだけ前記中心軸Ax19に沿って連結されて構成されると共に、当該中心軸Ax19が前記基板搬送方向Dsに対して第1の所定の角度θを成すように配置され、当該第1の所定の角度θは0°より大きく90°より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット21の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段51、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント51を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ53を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 (もっと読む)


【課題】迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1のプロセスコントローラ11は、イオンゲージ10に搬送ガスのみを通流させた場合の(Ii/Ie)0 と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の(Ii/Ie)との差と、成膜速度D/Rとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。プロセスコントローラ11は成膜時に(Ii/Ie)を算出し、前記成膜速度検量線を用いてD/Rを求め、求めたD/Rに基づいてマスフローコントローラ5を制御し、搬送ガスの流量を制御して、成膜処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板2に成膜された無機物からなる無機層3上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 (もっと読む)


【課題】可視光域の透過性がよく、水蒸気バリア性にも優れるガスバリアフィルムの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材フィルム1に対向配置させた1組又は2組以上のデュアルターゲット42を備えた反応性マグネトロンスパッタリング装置20を用い、その装置20内の成膜圧力を0.05Pa以上0.12Pa以下とし、デュアルターゲット42を構成する各ターゲット43,43の法線方向の磁束密度を基材フィルム1の幅方向(TD方向)で250G以上として、基材フィルム1を移動させながら基材フィルム1上に酸化珪素膜2を成膜する、ガスバリアフィルム10の製造方法によって、上記課題を解決した。デュアルターゲット42には交流波形又はパルス波形の電圧を印加することが望ましい。 (もっと読む)


【課題】蒸発した材料の堆積の均一性、特にインジェクターの軸に沿っての均一性を改善することにある。
【解決手段】 本発明は、真空蒸着システムのためのインジェクターに関し、該インジェクターは、真空蒸発源からの蒸発した材料を受けるのに適したインジェクション・ダクト、および蒸発した材料を真空蒸着室内に放射するための複数のノズルを備えたディフューザーを備えており、各ノズルは、前記インジェクション・ダクトを前記蒸着室に連結するのに適したチャンネルを備えている。本発明によれば、前記ディフューザーは、空間的に変化があるノズル配置を有している。本発明はまた、インジェクターを較正する方法、インジェクターのディフューザーを製造する方法に関する。 (もっと読む)


【課題】材料の損失の少なくできる又は内圧の上昇による再開放時の蒸発・昇華速度の変化や材料の変質を齎すことない或いは蒸発源の保守時間の短く、稼働率の高い有機ELデバイス製造装置及び有機ELデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着チャンバに設けられた一つ又は2つの処理部に基板6を搬入し、蒸着物噴射口部を長手方向に複数備える蒸発源7を走査して前記基板に蒸着する有機ELデバイス製造装置又はその方法において、前記2つの処理部の有するそれぞれ前記基板を保持する基板保持部9を垂直または略垂直にした状態で互いに正対させ、前記蒸着物噴射口部を回転させて、蒸着する基板を替えること、或いは前記蒸発源を前記真空蒸着チャンバに隣接して設けられた蒸発源保守交換室に移動し、前記真空蒸着チャンバの真空を蒸発源保守交換室から隔離し、前記蒸発源を保守又は新たな蒸発源と交換する。 (もっと読む)


【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段11bを介して接続されたロードロック室11Bには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置90が設けられ、ロードロック室11B内を排気可能な真空ポンプ15’が接続されている。ロードロック室11Bには、ロードロック室11Bの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置70を設ける。ガス凝結捕捉装置70は、ロードロック室11Bの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管72を含み、低温流体を配管72に導入し循環させることによって低温化した配管72の外側表面にロードロック室11Bの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 (もっと読む)


【課題】蒸着膜を均一な厚みで成膜しつつ、蒸着材料の使用効率および処理効率を向上させることができる電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記電子ビーム蒸着装置10は、チャンバ11と、搬送機構12と、容器17と、マスク19と、電子ビーム形成機構15とを具備する。搬送機構12は、チャンバの内部で基板Sを支持する支持部材13と、支持部材を第1の方向に搬送する駆動源14とを有する。容器17は、蒸着材料Mを収容する。マスク19は、支持部材13と容器17との間に配置され、支持部材13に支持された基板Sに対する蒸着材料Mの成膜領域を規制する。電子ビーム形成機構15は、電子銃16を含み、マスク19側から容器17側へ向かう第2の方向より、電子ビームeが容器17へ入射するビームラインを形成する。 (もっと読む)


【課題】主材料のみからなる薄膜と該主材料に1%以下(ppmオーダー)の副材料を添加した薄膜、およびそれらの多層や積層膜を制御性よく高品質かつ安全・安価に提供することを目的としたスパッタリング装置、スパッタリング方法および該薄膜を用いて作成された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】形成する薄膜の主材料ターゲット1iを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード3mの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット1p,1nを有するコンベンショナルスパッタリングカソード3cを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード3mおよびコンベンショナルスパッタリングカソード3cに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽51内の主ターゲット42を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物28表面に到達させて半導体層26を形成する際に、真空槽51内に分離容器62を配置し、分離容器62内にドーパントの副ターゲット64を配置する。分離容器62の外部と内部は、主排気装置47と副排気装置65とで別々に真空排気し、また、分離容器62内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット64を構成する材料の反応生成物は発生しない。 (もっと読む)


【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、(100)優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に(100)優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソース、ドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25が成膜対象物21又は半導体層30に密着している。NiとMoを100原子%としたときに、バリア膜25は、Moを7原子%以上70原子%以下含有し、ガラスからなる成膜対象物21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。 (もっと読む)


【課題】高いガスバリア性を有し、かつ、ガスバリア層と積層する薄膜層との密着性に優れた透明ガスバリアフィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子基材フィルム上に、少なくとも珪素酸化物からなる薄膜層が積層された透明ガスバリアフィルムであって、該珪素酸化物からなる薄膜層の表面がアルゴン(Ar)と窒素(N2)の混合ガスを原料とするイオン照射処理されてなるものであることを特徴とする透明ガスバリアフィルム。 (もっと読む)


【課題】大型基板上に膜厚が均一で有機EL上部電極用のアルミ金属薄膜を高速に成膜させ、長時間連続運転可能な真空蒸着装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】セラミック製の坩堝を用いてアルミの這い上がりを防止し、同一方向に所定の角度で傾いた蒸発源3−1を少なくとも2つ以上、縦方向に並べた蒸発源列3−2を横方向に操作して蒸着する機構を用いることにより、大型化した縦置き基板1−1に対して、有機EL上部電極用金属薄膜を高速成膜し、長時間の連続成膜をすることを可能にする。 (もっと読む)


【課題】複数の機能領域を有する有機化合物膜を作製する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に複数の蒸発源を備え、それぞれの有機化合物からなる機能領域を
連続的に形成し、さらに機能領域間の界面には混合領域を形成することができる。さらに
、成膜室の内壁の表面は電解研磨されている。成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手
段を有し、基板搬送手段は、成膜部の上方に設けられ、成膜部と同一空間を有しており、
成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有している。成膜部は、基板搬送手段に
よる基板の搬送空間を含んで設けられ、基板搬送手段に基板が保持された状態で蒸着が行
われる。 (もっと読む)


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