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Fターム[4K029KA01]の内容

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【解決手段】 本発明は、基体が蒸着装置の加熱された蒸着チャンネル中を動く際に、固体および/または液体被覆材料の蒸発およびその蒸気状被覆材料の基体上への蒸着によって、連続的に運搬される基体を熱的に真空被覆する方法において、蒸着チャンネル(3)を、最少の運搬速度に達しない場合でもまたは基体が静止した場合でも、少なくとも1つの位置変更可能な中空要素(7)の差し込みよって、基体が内部空間に存在する様に外部空間(3)と内部空間に分離することを特徴とする、上記真空被覆法に関する。この方法を実施するための装置にも関する。
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非平面状物品は、実質的に均一な厚さ及び実質的に均一な耐摩耗性を有し、ほぼ平均値の±0.25の間の範囲にある△曇り(%)を有する、プラズマ蒸着した耐摩耗性被覆を含む。
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同時蒸発蒸着プロセスによって製造される銅インジウムガリウムジセレン化物(CIGS)太陽電池の組成制御のためのインライン製造装置および方法について述べる。蒸着条件は、蒸着されたCu過剰全体組成が、最終CIGS膜であるCu不足全体組成に変換されるようになっている。モリブデン層を備えた基材(21)は、CIGSプロセスチャンバ(7)内を一定の速度で移動する。基材上での銅豊富組成から銅不足組成への転移は、転移に関する物理パラメータ、たとえば放射を検知するセンサを使用することによって検知される。本発明の代わりの好ましい実施形態において、蒸着層中の元素の組成を検知するセンサ(20)が提供される。センサに接続されたコントローラ(17)は、基材の幅に渡って均一な組成および均一な厚さのCIGS層を提供するために、蒸発物源(11、12、13)からの流量を調整する。2列の蒸発物源の使用は、基材の幅に渡るCIGS層の元素組成および厚さの調整を可能にする。 (もっと読む)


材料を基板に堆積させるための、熱による物理的蒸着源であって、その材料を収容する細長い容器と、その容器内の材料を加熱してその材料を気化させ、部分圧Pmにするためのヒーターとを備えており、その容器は、長手方向にコンダクタンスCBを持っている。この容器は、少なくとも1つの部材と、その容器のそれぞれの側を加熱してその容器の表面に凝縮する材料を減らす端部ヒーターとを備えていて、前記部材の長さ方向には複数の開口部が規定されていて、その開口部の全コンダクタンスがCAであって、式(I)を満たす。
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【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー5を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板12を固定保持した基板固定治具13をアームでドラム型基板ホルダー5の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー5の外周面の角部5aに設けた固定装置14で基板固定治具13の端部13bを固定することができる。 (もっと読む)


【課題】光学コーティングの腐食・傷耐性バリアを提供すること。
【解決手段】酸化可能な金属珪素化合物又は金属アルミニウム化合物を、光学コーティングの外層の1つとして使用する。この層は、未酸化又は一部酸化状態で付着され、この化学状態で、下の層を腐食から保護する。該金属化合物又は合金の層は、大多数の金属を超える硬さを有し、それにより傷からの保護を提供する。
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対象物の表面上に薄膜を堆積させるプラズマ薄膜堆積方法であって、1つまたは複数の不活性プラズマ発生ガスおよび前駆ガス中でプラズマを発生させ、このプラズマを処理表面上に噴射させる方法。1つまたは複数の前駆ガスは、少なくとも2つの成分、すなわち、飽和有機物質を含む第1の成分と、不飽和有機物質を含む第2の成分とを含み、第1の成分は、プラズマ・ゾーン内で実行されるプラズマ化学プロセスの後に単フリー結合を有する軽ラジカル源であり、第2の成分は、2つ以上のフリー結合を有する重ラジカル源である。

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この発明は、真空成膜設備を通して搬送方向に移動可能な基板に成膜するための真空成膜設備用ゲートシステム(1)であって、入力側と出力側に、それぞれ一次真空ゲートチェンバー(2)と成膜チェンバー(4)に隣接した搬送チェンバー(3)とを備えており、その場合に、搬送方向に対して入力側の搬送チェンバーの前と、搬送方向に対して出力側の搬送チェンバーの後で精密真空に設定可能であるゲートシステムに関する。一次真空ゲートチェンバー(2)が、搬送チェンバー(3)に直接隣接しており、一次真空ゲートチェンバー(2)内で精密真空に設定可能である。
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【課題】
【解決手段】
反応性スパッタ堆積によってルチル相の二酸化チタンの薄膜を形成する装置(100)及びプロセス。一態様においては、スパッタリングターゲット(102、104)と補助プラズマ発生器(110、112)とが、スパッタリングチャンバ(101)内の被覆ステーション内に配置され、被覆チャンバ内を通る基板上に堆積されたチタンが、プラズマ発生器(110、112)によって生成されスパッタプラズマと混合された補助プラズマに曝露することによって酸化される。プラズマは、ルチル型二酸化チタンの形成を支援する単原子酸素を含むことができる。また、ターゲット又は1対のターゲット(102、104)をパルス直流電源又は交流電源によって動作させることができる。 (もっと読む)


本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート120、110と、プラズマ区域130に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート120、110の間のプラズマ区域130に磁場を樹立するようにターゲットプレート120、110の付近に各々配置される一対の磁石102、104、106、108と、プラズマ区域130の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板222を維持するに適合するように形成される基板ホルダー224と、基板ホルダー224にカップリングされた逆バイアス電源236と、を含む。
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少なくとも1つの基板(5)を真空プロセスにて処理するための少なくとも1つの処理チャンバ(1)を備えた、基板を処理するためのシステムであって、前記処理チャンバ(1)は、閉鎖ボディ(15)にて閉鎖することができる基板アクセス(13)を備え、このシステムは、少なくとも前記閉鎖ボディ(15)を移動させるように構成された運搬デバイス(8)を備え、この運搬デバイス(8)は、前記基板(5)を前記真空プロセスの際に少なくとも部分的にカバーするためのマスク(4)を、少なくとも前記処理チャンバ(1)の外側のある位置と前記処理チャンバ(1)の内側のある位置との間で運搬するように構成される。少なくとも前記基板ホルダ(2)に、基板ホルダ(2)とマスク(4)とを互いに位置決めするための手段が提供された場合は、有利である。本発明は、更に、このようなシステムの使用に係る。
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窒化タンタル/タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはPVDで堆積される。窒化タンタル/タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 (もっと読む)


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