【課題】簡単な構成で蒸着物質の収率を向上できる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】
プラスチックレンズ上に蒸着物質を蒸着する蒸着装置であって、上面に開口した凹部９１２を備える筐体と、凹部９１２に設けられた蒸着源９２と、筐体の上面９１１Ａ，９１３Ａに接触するとともに、スライド可能に取り付けられ、かつ蒸着源９２を覆う補正板９３とを、備え、筐体は、蒸着源９２とともに補正板９３を加熱するハロゲンランプ９４を内部に設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能な成膜装置、及び成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱または冷却しながら基板を往復動させる。これにより、基板と搬送ローラーとの接点の位置を変化させ、特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制する。また、基板を往復動させることで、加熱／冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱／冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱／冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、基板と搬送ローラーとの接点をずらし、基板の伸縮を許容する。 （もっと読む）

【課題】下地膜を酸素や水分と反応させずに、下地膜の表面に光が透過できる金属酸化物膜を形成する光透過性金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
気体分子を前記気体分子の凝縮温度以下の凝縮面に凝縮させて捕捉する第一の真空ポンプ１２₁を用いて第一の真空雰囲気を形成し、第一の真空雰囲気中に配置された成膜対象物３０の下地膜の表面に金属酸化物の粒子を付着させて第一の金属酸化物膜を形成し、気体分子を大気中に移動させる第二の真空ポンプ１２₂を用いて第二の真空雰囲気を形成し、化学構造中に酸素を有する反応性ガスの第二の真空雰囲気中の分圧を第一の真空雰囲気中の分圧より大きくし、第二の真空雰囲気中に配置された成膜対象物の第一の金属酸化物膜の表面に金属又は金属酸化物の粒子を付着させて第二の金属酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入する。
【解決手段】被処理基板Ｇを収容する処理室１１と、成膜材料の蒸気を該被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部１３とを備える成膜装置１に、成膜材料噴出部１３から噴出され、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料を捕捉する捕捉部１６，１６…を処理室１１の内部に備える。 （もっと読む）

【課題】小形の蒸着マスク２でも大型の基板４を離間状態で相対移動させることで広範囲に蒸着マスクによる成膜パターンの蒸着膜を蒸着でき、蒸着マスクの温度上昇を十分に抑えて蒸着マスク２を一定の温度に保持ができるため、蒸着マスクの熱による歪みを防止でき、高精度の蒸着が行える画期的な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板４と蒸着マスク２とを離間状態に配設し、この基板４と蒸発源１との間に、制限用開口部５を設けた飛散制限部を構成するマスクホルダー６を配設し、このマスクホルダー６に前記蒸着マスク２を接合させて付設し、このマスクホルダー６に蒸着マスク２の温度を保持する温度制御機構９を設け、基板４をこの蒸着マスク２に対して相対移動することにより蒸着マスク２より広い範囲に、精度の高い成膜パターンの蒸着膜を形成できる蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】断熱性能が向上され、耐熱温度の向上が図られた温度測定器、それを備えた成膜装置、それを用いた成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】温度検出部１からの信号を記録する記録部２を内側容器３に収容し、その内側容器３を外側容器４〜６に収容することで断熱する構成とする。外側容器４〜６を、板厚方向に所定間隔の隙間部を有する複数の壁体により構成し、板厚方向に隣接する壁体間の熱伝導を減らす。同様に、外側容器４と内側容器３との間に隙間部を形成すると共に、内側容器３と記録部２との間に隙間部を形成する構成とする。さらに、外側容器の壁体を、内側容器の材質と比較して、熱伝導率が高く、かつ、熱容量が小さい材質によって形成する。これにより、外側容器で受けた熱を、同一壁体内に伝熱し均一化することで、局所的な高温部の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】
ターゲット材料の使用効率を良くできると共に形成される膜の均一性に優れたスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるスパッタ成膜装置では、基板ホルダを回転させかつターゲットに対する距離を変えるため垂直方向に移動させる基板駆動装置と、カソード電極を基板の表面に平行に移動させるカソード電極水平方向駆動装置と、基板駆動装置及びカソード電極水平方向駆動装置に接続され、基板駆動装置による基板の回転及び垂直方向移動、並びにカソード電極水平方向駆動装置によるターゲットの水平移動を制御して、基板の表面形状に応じて基板とターゲットとの距離及び基板に対するターゲットの位置を調整する制御装置とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】スループットの優れた成膜装置、および製造装置を提供する。
【解決手段】一対をなすスパッタリングターゲット１１，１２の間に複数の基板１３を配置して一括に成膜する。ＥＬ層は蒸着装置で形成し、その後の電極層や保護層をスパッタ装置で一括に成膜する。少なくとも一方のスパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行う。なお、少なくとも基板の周縁にはスパッタ成膜を行わないようにマスクを用いて電極層や保護層を選択的に形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を蒸着させる場合であっても精度良く成膜を行う。
【解決手段】搬送される基板１００に対して薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着材料を放出する第１蒸着源２０３と、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着源２０３に対して搬送方向Ａにずれて配置され、第１蒸着材料に重なり合うように第２蒸着材料を放出する第２蒸着源２０４と、搬送方向Ａに沿って配列された複数の羽板部材２０７ａと、を備え、複数の羽板部材２０７ａは、放出された第２蒸着材料の進行方向に対して傾斜し、且つ、放出された第１蒸着材料の進行方向に対して平行となるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を蒸着させる場合であっても精度良く成膜を行う。
【解決手段】搬送される基板１００に対して薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着材料を放出する第１蒸着源２０３と、搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着源２０３に対して搬送方向Ａにずれて配置され、放出された第１蒸着材料に重なり合うように第２蒸着材料を放出する第２蒸着源２０４と、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向に延在し、放出された第２蒸着材料に重なる位置であって、放出された第１蒸着材料に重ならない位置に設けられた遮蔽部材２３０と、を備え、遮蔽部材２３０は、放出された第２蒸着材料の一部を通過する開口部２３１を有する。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内に、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、基板Ｋの搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して成膜材料を蒸気として噴出する線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイの生産性を高めるため、高い成膜速度で長時間安定に成膜作業を実施し、かつ均一な膜厚分布を達成する。
【解決手段】成膜室内で、昇華又は蒸発した成膜材料を基板Ｗに成膜する成膜装置において、加熱機構１１を備えた複数の材料収容部１０と、成膜材料を基板Ｗに向けて放出させる放出口１３との間に、連結空間１４を配置する。複数の材料収容部１０を用いることで高い成膜速度を得るとともに、各材料収容部１０から昇華又は蒸発した成膜材料を連結空間１４において混合し、均一な膜厚分布を実現する蒸気として複数の放出口１３から基板Ｗに向かって放出する。 （もっと読む）

【課題】蒸着源及び有機膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】大型基板の量産工程に容易に適用でき、蒸着工程中にノズルの閉塞現象を防止して、歩留まり及び蒸着効率を高める蒸着源及びこれを利用した有機膜蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】互いに真空度の異なる複数の成膜室間での基板の連続搬送・連続成膜処理を可能にしながら有機ＥＬ素子などの半導体素子の生産性を大幅に向上させることを低コストで実現可能とする真空一貫成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに真空度の異なる複数の成膜室１，２と、前記各成膜室の間を圧力差を維持しながら連通させる圧力調整室３とを備えた真空一貫成膜装置であって、前記圧力調整室には、前記圧力調整室が連通させている各成膜室の間を基板が挿通可能なスリットの部分を除いて遮蔽する遮蔽部材が備えられている。また、前記遮蔽部材を冷却する冷却部が備えられている。また、前記遮蔽部材の表面には活性炭またはゼオライトなどの吸着剤が付着されている。さらに、前記遮蔽部材は、その一部に基板が挿通可能なスリットが形成された遮蔽板である。 （もっと読む）

【課題】厚み方向にGaのダブルグレーデッド構造を有し、かつ面内均一性を有するCIGS膜を効率的に製造する。
【解決手段】膜用基板を一方向に搬送する基板搬送機構16を備え、成膜用基板Sの搬送方向Aに沿って最上流に、In蒸着源21とGa蒸着源22とが交互に配置されてなる行列状のIn-Ga第１蒸着源群31を配置し、制御部15により、搬送方向Aの最上流と最下流との間にGa/(In+Ga)比が最小、かつその最小のGa/(In+Ga)比が最上流または最下流でのGa/(In+Ga)比の半分以下となる領域が存在するように、各蒸着源21〜23、25からの蒸発量を制御する。 （もっと読む）

【課題】第４世代以上の大型基板にも対応可能な極めて実用性に秀れた成膜装置の提供。
【解決手段】直立状態に保持された基板２にマスク３を介して成膜材料を付着せしめて成膜を行う成膜室１を備えた成膜装置であって、成膜室１に、マスク３が基板２に対して適正位置となるようにマスク３と基板２との位置合わせを行うアライメント駆動機構と、基板２若しくはマスク３の搬送方向に沿って移動可能な蒸発源100と、蒸発源100と対向する複数の成膜位置に基板２及びマスク３を夫々直立状態で搬送するマスク搬送機構及び基板搬送機構とを設け、一の成膜位置において蒸発源100により成膜を行いながら他の成膜位置においてアライメント駆動機構によりマスク３と基板２との位置合わせを行えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。
【解決手段】低抵抗の透明配線材料や透明電極材料として活用されるＩＴＯ膜およびその製造方法において、ＩＴＯ膜を低温度でスパッタリングして形成し、まず、非結晶体のアモルファス状態にする。次に、酸素雰囲気で熱処理（アニール処理）を行うことにより、ＩＴＯ膜を結晶化すると共に、ＩＴＯ膜の面指数（２２２）の結晶強度が面指数（４００）の結晶強度よりも強くなるように結晶配向性がコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を安定して保持することが可能なロードロック装置と、このロードロック装置が付設された真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空槽の内外に真空槽内の減圧状態を維持したまま基板を搬入出可能なロードロック装置であって、基板を載置する凹部を有するトレイを支持することが可能な支持台と、基板を保持する蓋部と、を備え、真空槽には、基板を搬入出する開口が設けられ、真空槽の開口は、真空槽外部から蓋部によって閉塞され、真空槽内部より支持台によって閉塞することで、真空槽の壁、蓋部、および支持台によって真空槽の外部および内部から遮蔽された閉塞空間が形成され、閉塞空間を大気圧とする通気手段と、閉塞空間を減圧する排気手段と、を、さらに備え、蓋部は、閉塞空間を形成しているときに基板を載置するトレイの凹部より外側に位置する複数の保護部材を有するロードロック装置が提供される。 （もっと読む）