【課題】連続的に多数の基板を成膜するのに適した基板搬送機構を真空槽内部に備えた下方蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、真空槽、真空槽内で基板を格納位置と成膜位置の間で移動させる搬送機構、及び真空槽内に配置され成膜位置の上方から蒸着材料を蒸発させる蒸発源を備え、搬送機構は、開口部を有し水平方向に延在する中空体からなる水平経路、水平経路内で、格納位置と開口部の直下である方向転換位置との間で基板を移動させる水平搬送手段、及び基板を方向転換位置と成膜位置の間で移動させる昇降可能な基板ステージを備える。 （もっと読む）

【課題】重合性モノマー液の供給装置において、一時停止期間中の洗浄後、供給再開前の真空引きの際に、気化室の温度が過度に上昇するのを防止する。
【解決手段】モノマー供給装置１の供給モード（供給工程）では、重合性モノマー液を供給部２から供給ライン１０に送出し、気化室４１にて気化させてモノマー利用部３に供給する。供給モードを一時停止したときは、洗浄液を供給部４から供給ライン１０に流して気化室４１にて気化させる洗浄モード（洗浄工程）を実行する。かつ、洗浄モードの後期における洗浄液の流量を洗浄モードの初期における前記洗浄液の流量より小さくする。供給モードを再開するときは、供給ライン１０内の流体を吸引する真空引きモード（真空引き工程）を経て、供給工程に切り替える。 （もっと読む）

【課題】品質の低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機ＥＬ素子の構成層を形成する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた上向き蒸着部及び横向き蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、上向き蒸着工程と、横向き蒸着工程と、方向変換工程と、を備えている有機ＥＬデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 一つの低圧チャンバー内で、基材の表面の改質と該表面への成膜とを連続して行うことができるプラズマ改質成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ改質成膜装置１は、チャンバー１０と、基材Ｆを搬送する搬送手段２０、２００、２０１と、基材Ｆの表面を改質するＥＣＲプラズマ生成装置３と、基材Ｆの該表面に薄膜を形成する成膜装置６と、を備える。ＥＣＲプラズマ生成装置３は、マイクロ波を伝送する矩形導波管３１と、該マイクロ波が通過するスロット３２０を有するスロットアンテナ３２と、スロット３２０を覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面３３０はスロット３２０から入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部３３と、誘電体部３３の裏面に配置される支持板３４と、支持板３４の裏面に配置される永久磁石３５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って正常な動作を行える水晶振動式膜厚センサ装置を提供する。
【解決手段】加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料７を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板フィルム２の表面に付着させて薄膜を形成する際に薄膜の膜厚を求める水晶振動式膜厚センサ装置１０である。膜厚センサ１１と材料７間に、スリットを有する回転体１２を配置する。スリットの長手方向に対して交差する方向に磁場を発生させる磁石を設ける。
【効果】水晶振動子の振動に悪影響を与える電子の膜厚センサへの入射を効果的に遮蔽することができるので、長期間に亘って正常な動作が行えるようになる。 （もっと読む）

【課題】高速蒸着と、坩堝内の材料に照射された後の反射電子や軌道をそれた電子による成膜部へのダメージを抑制する。
【解決手段】加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料５を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板フィルム２の表面に付着させて薄膜を形成する電子ビーム蒸着装置である。前記磁場を、複数の磁石１０によって基板フィルム面に沿って形成させると共に、基板フィルム２を複数に配置した磁石１０の一方側から他方側に向けた移動が可能なように構成する。
【効果】成膜範囲を広くした場合にも各々の磁石の磁場強度を低減でき、磁石と電子ビーム源間の距離を短くできるので、高速蒸着と、坩堝内の材料に照射された後の反射電子や、軌道をそれた電子による成膜部へのダメージ抑制を共に達成することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜時における防着板の変形を抑制する。
【解決手段】本発明に係る除電シールド６は、基板にターゲットの微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられ、対向状態にある基板とターゲットとの間に配置されると共に、ターゲットの微粒子を基板に向けて通過させるための開口部６ａが形成された除電シールド６であって、開口部６ａの全周に沿って補強リブ６１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】品質の低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機ＥＬ素子の構成層を形成する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた第１及び第２蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、複数の上向き蒸着工程と、方向変換工程とを備えている有機ＥＬデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】重合性モノマーを用いて被処理フィルムを表面処理する際に、ロール電極に付着した重合性モノマーの凝縮物又は重合物等からなる付着物を除去し、上記付着物に起因する歩留まりの低下を防止する。
【解決手段】被処理フィルム９を、フィルム表面処理装置１のロール電極１１の外周面の軸方向の端部分１１ｅより内側かつ周方向の一部分１１ａに巻き付ける。ロール電極１１を軸線回りに回転させながら、重合性モノマーを含有する反応流体を被処理フィルム９に接触させ、かつロール電極１１と対向電極１１との間の放電空間１５において被処理フィルム９にプラズマを照射する。第１洗浄ロール３０を、ロール電極１１の端部分１１ｅと内側の部分１１ｂとに跨るようにして上記フィルム巻付部分１１ａから周方向にずれた部分に接触させる。第１洗浄ロール３０の少なくとも外周部３２を絶縁性にし、かつ外周部３２の最外周部分３４を粘着性材料にて構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドロップレットが少なく、表面凹凸の少ない膜を基材上に形成する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ターゲットから構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させるパルス状レーザー光を出射するアブレーション用第１のレーザー光源と、第１のレーザー光源がターゲットの表面にレーザー光を集光照射した領域とその領域周辺をスポット加熱する連続波レーザー光を出射する第２のレーザー光源とを処理容器の外部に備えた成膜装置を用い、第２のレーザー光源からターゲットの表面に処理容器に設けた照射窓を介し連続波レーザー光を集光照射してアブーション領域とその周辺領域のターゲット表面の温度を上昇させ、第１のレーザー光源からアブレーション領域に処理容器に設けた照射窓を介しパルス状のレーザー光を集光照射して基材上に成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基材およびドライコーティング層との密着がよく、生産能率の高く、高ガスバリア性を有したガスバリア性フィルムと生産方法を提供すること。
【解決手段】高周波印加電極である金属ロール電極と接地電極を配置した装置構成において、電極間に不活性ガスを圧力０．５Ｐａ以上５０Ｐａ未満で導入して、電極間に高密度なプラズマを発生させて、プラスチックフィルム基材表面にプラズマ処理を施し、基材とガスバリア層間に十分な密着性能を与える。また、真空蒸着法により酸化珪素（ＳｉＯ_ｘ）からなるガスバリア層を形成する際、蒸着法と高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることで、生産性が高く、高いバリア性を有するガスバリア性フィルムを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シール槽の入口部と出口部との封液の液面高さの差を抑制するとともに、封液内をロールレス化する。
【解決手段】この真空シール装置２は、例えば処理室の挿入口１に連接して配置されている場合、シール槽４内に垂下されてシール槽２の入口部５と出口部６とを仕切るシール槽仕切８と、帯状材Ｓを挟持しつつ通板可能に入口部５側と出口部６側にそれぞれ配置された上下一対のロール７ａ，７ｂと、この一対のロール７ａ，７ｂによって帯状材Ｓの張力を制御する制御部３とを備え、シール槽４は、その入口部５の面積よりも出口部６の面積を大きくすることで、入口部５と出口部６相互の差圧で生じる封液Ｌの液面高さの差異を抑え、制御部３は、シール槽４の入口部５側と出口部６側に配置された一対のロール７ａ，７ｂによる張力制御によってシール槽４内の帯状材Ｓにカテナリーを与えつつ帯状材Ｓを通板させる。 （もっと読む）

【課題】良好な薄膜処理方法およびその製品の提供。
【解決手段】本発明の主題の一つは、基材の第１の側上に堆積された少なくとも１層の薄い連続的な膜の処理のための方法であって、薄膜を連続に保ちながら、そしてこの薄膜を溶融するステップ無しで該薄膜の結晶化度を高めるように、この少なくとも１つの薄膜が少なくとも３００℃に昇温され、該第１の側とは反対側上の温度が１５０℃以下ように保ちたれることを特徴とする、方法。
発明の別の主題は、この方法によって得ることができる材料である。 （もっと読む）

【課題】高い成膜速度を確保した上で、透明性及び高バリア性を付与し、蒸着材料から発生する突沸やスプラッシュなどによりフィルムがダメージを受けることを最小限に抑えることを可能とする真空成膜装置およびガスバリア性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置３０は、基材の一方の面に蒸着法によって薄膜を形成する真空成膜装置であって、蒸着材料を蒸発させる蒸発手段である電子ビーム銃２０と、蒸発した蒸着材料を活性化させるためのプラズマを発生させるプラズマ発生手段であるホローカソード放電を用いたホローカソードガン１８と、蒸着材料と基材との間に設置された異物捕捉手段である異物ガード２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】透明樹脂基材に吸着しているガスの放出を抑え、ロール巻取りの際の巻きシワを抑制することができる透明薄膜積層体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】基材巻出し室１の基材ロール２より透明樹脂基材３を巻出し、搬送ロール４を通過後、スパッタ室５のアノードドラム６を通過させる。その際にカソード７ａ、７ｂ、７ｃとの間に電力を印加しスパッタリングで透明導電性膜の成膜を行ない、搬送ロール４を通してフィルム巻き取り室８で再びロール９に巻き上げることにより、長尺、具体的には数１００ｍ以上、場合により数１０００ｍの透明薄膜積層体を連続的に製造する。基材ロール２に巻かれている透明樹脂基材３は、基材巻出し室１の調温装置１ａによって温度０℃に冷却する。また、搬送ロール４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとアノードドラム６及びスパッタ室５内雰囲気の温度を、調温装置１２により、透明樹脂基材３と同じ０℃に冷却する。 （もっと読む）

【課題】インジウム系複合酸化物を有する非晶質層を結晶化するための加熱時間を短くすることができる透明導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、厚みが１０〜５０μｍのフィルム基材の第１の面に、インジウム系複合酸化物で形成された非晶質層を積層する第１工程と、上記非晶質層が積層されたフィルム基材を、繰り出しローラーにより搬送し巻き取りローラーに巻き取る途中で、このフィルム基材を１６０℃以上に加熱し、上記非晶質層を結晶化して透明導電体層を形成する第２工程と、上記フィルム基材の第２の面に、粘着剤層を形成する第３工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板２と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層４であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層６であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性が良好なＣｅＯ_２のキャップ層を備えた酸化物超電導導体用基材を低コストで製造できる製造方法、及びこれを用いて製造された酸化物超電導導体用基材並びに酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、ＹＡＧレーザ光の第３高調波（波長３５５ｎｍ）、第４高調波（波長２６６ｎｍ）、第５高調波（波長２１３ｎｍ）のいずれかを、ターゲット上でのエネルギー密度が６Ｊ／ｃｍ^２以上となるように該ターゲット上に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、前記構成粒子を基材の上方に形成された中間層の表面上に堆積させて、該中間層上にＣｅＯ_２のキャップ層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルムに比べて伸び難く且つ割れやすい長尺ガラスフィルムに対して熱負荷の掛かる表面処理を連続的に施す方法を提供する。
【解決手段】 巻出ロール２１０から連続的に引き出された長尺ガラスフィルムＧを搬送経路に沿って搬送しながら順に加熱処理、表面処理および冷却処理を施す長尺ガラスフィルムＧの処理方法であって、前記表面処理では長尺ガラスフィルムＧの一方の面を熱媒で加熱されたキャンロール２３３の外周面上に接触させながら他方の面にスパッタリング等の熱負荷の掛かる処理を施し、前記搬送経路における前記表面処理と前記加熱処理との間および／または前記冷却処理の後において例えばアキュムレータロールを用いて長尺ガラスフィルムＧの伸縮を調整する。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供する。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体１０を脱ガスし、第１の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料が成膜された基体を、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向で第２成膜室４２へ案内し、第２の方向に案内中の基体の第１の面とは反対側の第２の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第１の面に第１の膜材料が成膜され且つ第２の面に第２の膜材料が成膜された基体を第１ロール室と第２ロール室の間に設けた第３ロール室Ｗ３でロール状に巻取り、第３ロール室で巻き取った基体を第１の方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）