【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】内部気圧の変動によるチャンバの変形によってもロボットハンドの位置変動がなく、かつ、比較的安価に実現可能な構造の基板搬送装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、搬入された基板を保持して所望の位置に搬送するための搬送ロボットを備えた基板搬送装置であって、前記搬送ロボットは、当該基板搬送装置を設置する床面に固定されると共に、その一部を、Ｏリングを介して、前記真空チャンバを構成する壁の一部に、当該真空チャンバ内を気密に保持可能で、かつ、相互に移動可能して、取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】薄膜リチウム二次電池を小型の装置で簡易に真空一貫で製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置１は、真空槽２内に、回転駆動軸３を中心として旋回させて基板１０を搬送する基板搬送機構３０を有し、回転駆動軸３の周囲に、仕込取出室４と、第１〜第３のスパッタリング室５〜７と、負極層形成室８と、保護層形成室９とが設けられている。第１のスパッタリング室５においては、集電体層と保護層を形成する。第２のスパッタリング室６においては、ＬｉＣｏＯ₂からなる正極層を形成する。第３のスパッタリング室７においては、ＬｉＰＯＮからなる固体電解質層を形成する。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板搬送機構３０の保持部３２が通過する領域と対向する位置に配置される。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板１０を装着した状態で蓋機構によって塞がれる。 （もっと読む）

【課題】互いに真空度の異なる複数の成膜室間での基板の連続搬送・連続成膜処理を可能にしながら有機ＥＬ素子などの半導体素子の生産性を大幅に向上させることを低コストで実現可能とする真空一貫成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに真空度の異なる複数の成膜室１，２と、前記各成膜室の間を圧力差を維持しながら連通させる圧力調整室３とを備えた真空一貫成膜装置であって、前記圧力調整室には、前記圧力調整室が連通させている各成膜室の間を基板が挿通可能なスリットの部分を除いて遮蔽する遮蔽部材が備えられている。また、前記遮蔽部材を冷却する冷却部が備えられている。また、前記遮蔽部材の表面には活性炭またはゼオライトなどの吸着剤が付着されている。さらに、前記遮蔽部材は、その一部に基板が挿通可能なスリットが形成された遮蔽板である。 （もっと読む）

【課題】ステータ表面と永久磁石表面の間隔を縮小してリニアモータ効率を向上することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】永久磁石４２と駆動磁石４１の間に配置され、永久磁石４２が配置されている空間を真空雰囲気に、駆動磁石４１が配置されている空間を大気圧雰囲気に隔てる真空隔壁４５は、永久磁石４２と対向する部分が大気圧雰囲気側に凸に湾曲した断面形状を有し、永久磁石４２及び駆動磁石４１はいずれも、真空隔壁４５と所定の距離を保つように真空隔壁４５と対向する部分が湾曲している。このため、真空隔壁４５の最大たわみ量を小さくすることができ、永久磁石４２と駆動磁石４１の距離を縮めることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を安定して保持することが可能なロードロック装置と、このロードロック装置が付設された真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空槽の内外に真空槽内の減圧状態を維持したまま基板を搬入出可能なロードロック装置であって、基板を載置する凹部を有するトレイを支持することが可能な支持台と、基板を保持する蓋部と、を備え、真空槽には、基板を搬入出する開口が設けられ、真空槽の開口は、真空槽外部から蓋部によって閉塞され、真空槽内部より支持台によって閉塞することで、真空槽の壁、蓋部、および支持台によって真空槽の外部および内部から遮蔽された閉塞空間が形成され、閉塞空間を大気圧とする通気手段と、閉塞空間を減圧する排気手段と、を、さらに備え、蓋部は、閉塞空間を形成しているときに基板を載置するトレイの凹部より外側に位置する複数の保護部材を有するロードロック装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｏリングに大気中の水分が吸着し、真空チャンバ内を排気している段階で吸着された水分が徐々にＯリングからガスとして放出されるため、真空チャンバ内を高真空にするためには、長時間を要する。
【解決手段】真空チャンバと、大気開放のための開閉扉と、開閉扉をシールするシール部材とを有する真空処理装置において、シール部材はエラストマーＯリングであり、真空処理装置の内壁面であってシール部材の周辺に冷却手段を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上及び低コスト化を図ることができるロードチャンバを提供する。
【解決手段】サブチャンバ４２を有するロードチャンバＬＬ１は、サブチャンバ４２内を上下方向に移動し、基板カセット５Ｌが載置される基板カセットベース４７が上昇位置にあるときには基板カセットベース４７を隔壁としてサブチャンバ４２内の上部に気密な空間を形成でき、基板カセットベース４７が下降位置にあるときには基板カセット５Ｌから搬送装置に基板を移載できる。サブチャンバ４２内に補充された基板を搬送装置側に排出するためのＧＶを必要としないため部品点数を削減できるとともに、基板カセット５Ｌへの基板１３の補充のときに排気とベントが必要な空間が限定されるためスループットを向上できる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板を真空中で処理するための真空容器において、軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にすることができる真空容器、及び、そのような真空容器を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする板材と、一組の板材が形成する閉空間の内面に当接されて閉空間に配置される補強板と、一組の板材の結合部を結合する締結部材と、を備えることを特徴とする真空容器であり、それを備えた真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】ウェハやＦＰＤ用基板等の処理基板の処理装置を構成する真空容器に関するものであり、真空容器を構成する筐体に設けられた封止部材が接する部分を傷付けることなく、蓋板の開閉ができる真空容器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る真空容器は、開口部を有する筐体と、封止部材を備えた蓋体と、開閉可能な前記蓋体によって前記筐体の開口部を封止する真空容器において、前記蓋体の封止部材取付部より外側に傾斜部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ロール状のフィルムに金属を蒸着する製造工程において、良好な外観とガスバリア性能の金属膜を提供する。
【解決手段】蒸着装置６のフィルム室１４と蒸着室１３の間に隙間１１，１２を設け、そのコンダクタンスをフィルムが蒸着室に入る側にて、フィルムの出る側に対して３倍以上とすることで蒸着初期の処理面のみに反応ガスの酸素を接触させて酸化膜を形成してフィルム面への密着力を確保し、その上に金属蒸着膜を形成することで、金属膜全体の酸化の度合いを下げて良好な外観とガスバリア性能を得る。 （もっと読む）

【課題】異なる金属間、金属と酸化物、金属と窒化物、酸化物と窒化物等、複合化する材料の組合せが自由に調整できるナノコンポジット膜および／またはナノ多層膜を成膜できる装置及び方法の提供を目的とする。
【解決手段】成膜室を隔壁で仕切ることで複数のチャンバーを形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、各チャンバーはそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーに仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せ間に生じ得る隙間を、ガスが他のチャンバーに混入しないように、隣接チャンバー間に形成された隙間断面積Ｓを粘性流が生じない所定の大きさ以下にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、不要な領域にプラズマが生成されることを防止し、この不要なプラズマに起因する基板の損傷等の無い高品質な製品を安定して作製できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 第１ユニットと、基板の搬送系を有する第２ユニットとを組み合わせて構成され、かつ、成膜中に、前記第１ユニットと第２ユニットとの間に電位差を生じないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

−プロセス空間雰囲気圧のプロセス空間雰囲気を用意することと、−プロセス空間雰囲気圧とは異なる外部雰囲気圧の外部雰囲気を用意することと、−外部雰囲気がプロセス空間雰囲気に開口連通する通路であって、外部雰囲気とプロセス空間雰囲気との間での基板の交換が可能である通路を設けることと、−この通路の少なくとも一部を通って延在する交換用流体の流れを生じさせるように、少なくとも１つの交換用流体注入点において交換用流体を通路に注入することと、を含む方法であって、この流れの方向は、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より大きい場合は、外部に向かい、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より小さい場合は、プロセス空間に向かう、方法。 （もっと読む）

【課題】仕込み室と真空成膜室との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室と取り出し室と間のゲートバルブを開放しても真空成膜室内のスパッタリング条件を変動させることがないスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６がゲートバルブＧＶ７，ＧＶ８を介して一列に連結され、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６の間で基板２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを連続して搬送可能な搬送装置を備えている。仕込み室５と真空成膜室４との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室４と取り出し室６と間のゲートバルブを開放して基板を搬送する際、真空成膜室４の圧力を変動させないように、仕込み室５若しくは取り出し室６の圧力が調整される。 （もっと読む）

【課題】外部リークをより少なくして真空状態を維持することができ、ロール交換時に巻き出し室や巻取り室を素早く大気圧状態に戻し、ロール交換後も素早く真空状態に戻すことができるフィルム製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム製造装置１は、巻き出し手段６、巻き取り手段７、３つの反応室４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、フィルム搬送路５より構成され、フィルムが通過する少なくとも一の開口部を有する反応室内に配置され、かつ、開口部には、該フィルムを挟みながら封止することにより真空室を密封可能とする弁体を有するバルブ機構１１〜１６が具備されている。 （もっと読む）

【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２に配置したドラム３を介して搬送し、この真空処理室２に配置した複数の成膜ユニット４_１，４_２，４_３によりシート状基板に複数の薄膜を積層して成膜する成膜装置であって、積層膜を高品質で能率良く成膜でき、且つ、装置の大型化も回避できるようにしたものを提供する。
【解決手段】複数の成膜ユニット４_１，４_２，４_３をドラム３に対向する所定の成膜位置に選択的に移動させるインデックス機構５と、真空処理室２の入口部と出口部に夫々配置した仕切り弁８と、真空処理室２内の入口部側と出口部側とに夫々配置した基板引き込み機構９_２，９_３とを備える。両基板引き込み機構９_２，９_３間でシート状基板Ｓを往復搬送し、搬送方向を切換える度に異なる成膜ユニットを成膜位置に移動して、シート状基板Ｓに複数の薄膜を積層して成膜する。 （もっと読む）

【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２を通して搬送し、シート状基板Ｓに所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、真空処理室２の上流側と下流側に夫々連設した上流側補助真空室３_１や下流側補助真空室３_２に繰出しローラや巻取りローラを収納せずに、且つ、真空処理室２を大気解放せずにシート状基板Ｓを搬送できるようにしたものを提供する。
【解決手段】上流側補助真空室３_１の入口部と、下流側補助真空室３_２の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに，夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４を配置する。また、上流側補助真空室３_１と下流側補助真空室３_２とに、夫々所定長さ分のシート状基板Ｓを引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構５_１，５_２を配置する。 （もっと読む）