【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上部層のＡｌ_２Ｏ_３粒について、（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、隣接する測定点からの測定傾斜角の角度差が５度以上である場合に異なる結晶粒であるとして結晶粒を特定し、個々の結晶粒のアスペクト比を求めた場合、アスペクト比が５未満である結晶粒が面積比で１０〜５０％、アスペクト比が５以上である結晶粒が面積比で５０〜９０％を占め、また、結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、アスペクト比が５未満の結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度未満、一方、上記アスペクト比が５以上である結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度以上を示す。 （もっと読む）

【課題】電流密度の低下をより確実に抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極１０は炭素基材２０と、ダイヤモンド層３０とを含んでいる。ダイヤモンド層３０は、ダイヤモンド種結晶３１と、このダイヤモンド種結晶３１から成長するとともに炭素基材２０表面を被覆する成長層３２とを含んで構成される。成長層３２は、ダイヤモンド種結晶３１の下方に、ダイヤモンド種結晶３１から成長し、炭素基材２０と接する成長領域３２１を含む。 （もっと読む）

【課題】基材上に非晶質炭素膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、正極への炭素を含む物質の付着を抑制する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、反応室１０と、反応室１０内に配置された正極２０および負極３０と、炭素を含む第１のガスを、正極２０と負極３０との間に供給する第１のガス供給部（第１のガス供給配管４０）と、第１のガスの供給中に、炭素を含まない第２のガスを、正極２０と負極３０との間に供給する第２のガス供給部（第２のガス供給配管４２、ガス流路２２、金属多孔体２４）と、を備える。第２のガス供給部は、第２のガスを、正極２０から負極３０に向かう向きに供給するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Ｗの表面にシード膜８８と不純物含有のシリコン膜９０を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第１ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド電極の製作コストを低減するとともに、導電性ダイヤモンド電極の検出感度を向上させる。
【解決手段】導電性ダイヤモンドパウダーと絶縁性バインダとを含有するＢＤＤインク６をカーボンペースト５（集電体）上に堆積させて導電性ダイヤモンド電極１を作製する。導電性ダイヤモンドパウダーは、ダイヤモンド粒子の表面にホウ素をドープしたダイヤモンド層を形成することで構成される。ＢＤＤインク６に混合する導電性ダイヤモンドパウダーは、絶縁性バインダの体積に対する導電性ダイヤモンドパウダーの体積比が２０％以上９０％以下となるように混合する。 （もっと読む）

【課題】高い焼結作用を有する二酸化チタン粉末を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ表面積３０〜６５ｍ²／ｇ及びルチル含有率５０〜７０％を有する凝集一次粒子の形の結晶二酸化チタン粉末。それは、四塩化チタン蒸気、及びそれとは別に、水素、空気、又は酸素で富化された空気を混合チャンバー中に導入し、四塩化チタン蒸気、水素及び一次空気の混合物をバーナーで点火し、そして火炎を反応チャンバー中で燃焼し、続いてガス状物質から固体を分離することによって製造され、その際使用される量は、式Ａ＝Ａ＝１０⁵｛［（ＴｉＣｌ₄×Ｈ₂）／（空気の量×合計ガス）］／ＢＥＴ｝、［式中、Ａ＝６〜１２に従う］であるように選択される。該二酸化チタン粉末は、セラミクス産業において使用されうる。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体ウエハ１０にシリコンプリカーサと過酸化水素とを含む成膜用ガスを供給して、半導体ウエハ１０の溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を成膜する。制御部１００は、反応管２内に複数の半導体ウエハ１０を収容し、反応管２内を１１３Ｐａ〜６６５０Ｐａに設定する。また、制御部１００は、過酸化水素の流量をシリコンプリカーサの流量の３倍〜２０倍に設定する。 （もっと読む）

【解決手段】金属又は金属化合物からなる基体の表面を、表面粗さ５ｎｍＲ_max以下に研磨した後、この被研磨面をテンプレートとして、基体表面に単原子層又は２原子層からなる薄膜を形成する。
【効果】本発明によれば、従来に比較して飛躍的に広い面積範囲に亘って単一ドメインで、欠陥・粒界の少ない、グラフェン膜、ｈ−ＢＮ膜等の、厚さが１〜２原子層分の薄膜を、再現性よく安定的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度を向上させた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板２０上に設けられたメモリトランジスタ４０と選択トランジスタ５０を有する。メモリトランジスタ４０は、導電層４１ａ〜４１ｄ、メモリゲート絶縁層４３、柱状半導体層４４、及び酸化層４５を有する。導電層４１は、メモリトランジスタ４０のゲートとして機能する。メモリゲート絶縁層４３は、導電層の側面に接する。半導体層４４は、導電層と共にメモリゲート絶縁層４３を一方の側面で挟み、半導体基板２０に対して垂直方向に延び、メモリトランジスタ４０のボディとして機能する。酸化層４５は、半導体層４４の他方の側面に接する。半導体層４４は、シリコンゲルマニウムにて構成される。酸化層４５は、酸化シリコンにて構成される。 （もっと読む）

【課題】良質な膜を簡便に形成する膜形成方法および膜形成装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、少なくとも１つの有機官能基と、加水分解を起こす１つの官能基と、を含む有機ケイ素化合物を、大気雰囲気において基板の表面に供給する第１の工程と、前記有機ケイ素化合物を前記基板の前記表面に供給後、前記有機官能基を酸化し、前記基板の前記表面上にケイ素と酸素とを含む層を形成する第２の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼等の難削材の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）１〜１５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層からなる中間層、（ｃ）５〜１６μｍの平均層厚の縦長成長結晶組織をもつ改質Ｔｉ炭窒化物層からなる上部層、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の硬質被覆層が化学蒸着により形成された表面被覆切削工具において、（ｄ）上部層を構成する改質Ｔｉ炭窒化物層は、層厚方向に沿って０．５〜４．０μｍの間隔をおいて、酸素含有量のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％であり、しかも、該ピーク位置におけるＺｒ含有量は、０．８〜１．５原子％である酸素、Ｚｒ濃化領域を少なくとも１つ備える。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法の提供。
【解決手段】本シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法は、半導体産業において半導体装置製造に用いられる。本発明によると、ＵＨＶＣＶＤシステムを使用してGeフィルムをSi基板上に成長させ、その後、高電子移動度トランジスタを該Geフィルム上に成長させることで、バッファ層の厚さとコストを低減する。該Geフィルムの機能は、Si基板上にＭＯＣＶＤによりIII-Ｖ ＭＨＥＭＴ構造を成長させるときに、シリコン酸化物の形成を防止することである。本発明においてＭＨＥＭＴを使用する理由は、ＭＨＥＭＴ構造中の変成バッファ層がGeとSi基板間の非常に大きな格子不整合度のために形成される貫通転位をブロックし得ることにある。 （もっと読む）