説明

Fターム[4K030AA02]の内容

CVD (106,390) | 原料ガス (20,169) | 主反応ガス (14,743) | ハロゲン化物系主反応ガス (1,941)

Fターム[4K030AA02]の下位に属するFターム

塩化物系 (1,481)
弗化物系 (289)

Fターム[4K030AA02]に分類される特許

1 - 20 / 171



【課題】強度及び熱伝導率に優れた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】 一態様の耐プラズマ性部材は、少なくとも2相以上のセラミックスであり、イットリウム、ジルコニウムと第3の元素の中から選ばれる1種以上の酸化物を含み、前記イットリウム、前記ジルコニウムと前記第3の元素は、それぞれ酸化物換算で40mol%以上60mol%以下、5mol%以上20mol%以下、35mol%以上50mol%以下であることを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】結晶内のキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板8を準備する工程、およびIII族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて前記下地基板8上にC面とC面以外のファセット面を混在させながらIII族窒化物半導体結晶9を成長させる成長工程、を含むIII族窒化物半導体結晶9の製造方法であって、前記成長工程は、ケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入し、かつC面以外のファセット面で成長した領域に酸素を含有させながらIII族窒化物半導体結晶9を成長させる。 (もっと読む)


【課題】反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって,アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても,より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し,コンタクトホールの抵抗を低減する。
【解決手段】 基板Wを載置するサセプタ112と,処理ガスを処理室111内に供給するシャワーヘッド120と,プラズマを生成するための高周波を所定のパワーでシャワーヘッドに供給する高周波電源143と,処理室内を排気して所定の圧力に減圧する排気装置152と,チタン膜の成膜処理に適用しようとする成膜ガスの流量が,成膜処理の反応律速領域に入るように,還元ガスの流量,処理室内の圧力,高周波パワーのいずれかを変えることによって,前記反応律速領域を制御する制御部190とを設けた。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するMBE法又はMOCVD法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するMBE法又はMOCVD法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ga、B、Al、In、Tl、F、Cl、Br、及びIから成る群から選ばれる1種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 (もっと読む)


【課題】モノクロロシランを劣化のない安定した状態で、保存するための容器及び方法の提供。
【解決手段】内部表面が次の群より選択される容器:(a)機械的研磨の結果として生じる表面;(b)電解研磨の結果として生じる表面;(c)有機分子の疎水性防護層の形成の結果として生じる表面;(d)ステンレス鋼の内部表面を与えることの結果として生じる表面;(e)アルミニウムの内部表面を与えることの結果として生じる表面;(f)ニッケルの内部表面を与えることの結果として生じる表面;(g)ポリマーコーティングの結果として生じる表面;(h)酸化ケイ素コーティングを有する表面;(i)その金属に分子的に結合した結晶性炭素の層を有する表面;(j)金属フッ化物の保護層を有する表面;(k)シランへの曝露によって金属に結合させたシランの保護層を有する表面;及び(l)不活性化ヒドロキシル基を有する表面。 (もっと読む)


【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル2を回転させてウエハW上にSi含有ガスを吸着させ、次いでウエハWの表面にO3ガスを供給してウエハWの表面に吸着したSi含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Si含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 (もっと読む)


【課題】面内均一性の高い膜を形成する。
【解決手段】石英材で構成された複数のリング状プレートを、少なくとも表面が炭化珪素材で構成された複数本の支柱にて支持したボートにて、各リング状プレートの内周側に基板周縁が配置されるように複数の基板を保持しつつ処理室に搬入する工程と、前記処理室にシリコン含有ガスと酸素含有ガスを供給し、前記ボートに保持された前記複数の基板上及び前記複数のリング状プレートに酸化シリコン膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】製造効率良く成膜することができる気相成長装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】気相成長装置1は、内部に基板Sが配置され、この基板S上に膜を成膜するための成膜室4と、この成膜室4内にハロゲン元素を含むガスおよびこのガスと反応して基板S上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第一供給管21と、成膜室4内に有機金属を含むガスおよびこの有機金属を含むガスと反応して基板S上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第二供給管31とを備え、成膜室4に、第一供給管21および第二供給管31が接続されている。 (もっと読む)


Sb,Sb−Te,Ge−Sb及びGe−Sb−Te薄膜のようなVA族元素を含有する薄膜を形成する原子層堆積(ALD)方法は、関連する組成物及び構造と共に提供される。式Sb(SiRのSb前駆体が好ましくは用いられ、R、R及びRは、アルキル基である。As,Bi及びP前駆体もまた記載される。これらのSb前駆体を合成する方法もまた提供される。相変化メモリ装置においてSb薄膜を用いる方法もまた提供される。 (もっと読む)


本明細書では、基板を処理するための方法および装置が提供される。いくつかの実施形態において、基板を処理するための装置は、中に基板の処理面をプロセスチャンバ内の所望の位置に支持するための基板支持体を有するプロセスチャンバと、基板の処理面上に第1の方向に第1のプロセスガスを提供するための第1の吸入口と、基板の処理面上に第1の方向と異なる第2の方向に第2のプロセスガスを提供するための第2の吸入口であって、基板支持体の中心軸に関して第1の方向と第2の方向の間で測定される方位角が最大約145度である第2の吸入口と、第1のプロセスガスおよび第2のプロセスガスをプロセスチャンバから排気するために第1の吸入口の反対側に配置された排気口とを含む。
(もっと読む)


【課題】単結晶体の製造装置内の気密性の低下を抑制した単結晶体の製造方法および単結晶自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による単結晶の製造方法であって、IIIB族元素金属を融解させてIIIB族元素金属の融液11を形成する工程と、前記融液11中にハロゲンガスを供給するための供給管5を入れ、前記供給管5の内径よりも小さいバブル7を前記融液11内に供給してIIIB族元素のハロゲン化物ガスを抽出する工程と、窒素含有ガスと前記IIIB族元素のハロゲン化物ガスとを種基板3上に供給して、前記窒素含有ガスと前記IIIB族元素のハロゲン化物とを種基板3上で反応させて単結晶体を成長させる工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】原子層堆積のための改良されたガス配送装置を提供する。
【解決手段】基板受け入れ面を有する基板支持体212と、チャンバ蓋232とを備え、該チャンバ蓋は、その中央部分から延びるテーパー付けされた通路と、該通路から上記チャンバ蓋の周囲部分へ延びる底面260とを含み、該底面は、上記基板受け入れ面を実質的に覆う形状及びサイズにされている。又、この装置は、徐々に拡がるチャンネルに結合された1つ以上のバルブ250と、各バルブに結合された1つ以上のガス源も備えている。 (もっと読む)


【課題】シリコン多結晶系太陽電池等の光発電素子において、シリコン多結晶層を構成する微結晶の密度を高める。
【解決手段】基板50と基板50上に設けた金属電極層51を有する光発電素子の製造方法であって、ハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、形成されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、基板50上に設けた金属電極層51上にシリコン多結晶層を形成するシリコン多結晶層形成工程と、を有することを特徴とする光発電素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板1を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ11によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、V族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-V族化合物半導体層を成長させる。 (もっと読む)


【課題】 高熱発生を伴う高速断続重切削において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、硬質被覆層を蒸着形成してなる表面被覆切削工具において、下部層はTi化合物層で構成され、また、上部層は、一層平均層厚0.8〜1.5μmの酸化アルミニウム層と一層平均層厚0.4〜0.6μmのジルコニウム含有酸化アルミニウム層との交互積層構造として構成され、さらに、上記ジルコニウム含有酸化アルミニウム層におけるジルコニウム含有割合は、層厚方向に沿って組成が変化し、かつ、層厚方向の中間領域で、最大値13〜16原子%を示す。 (もっと読む)


III/V族化合物半導体を組み込んでいる電子デバイスを形成するための基板を準備するための方法および装置が提供される。元素状ハロゲンガス、ハロゲン化水素ガス、または他のハロゲンガスもしくはハロゲン化物ガスが、液体または固体のIII族金属と接触して、窒素ソースと反応して基板上に窒化物バッファ層を堆積させる前駆物質を形成する。移行層とすることができるバッファ層は、複数のIII族金属を取り込むことができ、非晶質形態または結晶質形態で堆積させることができる。非晶質層を、熱処理によって部分的にまたは完全に再結晶化させることができる。層の代わりに、複数の分離した核形成サイトを形成することができ、そのサイズ、密度、および分布を制御することができる。窒素ソースは、反応性窒素化合物ならびに遠隔プラズマソースからの活性窒素を含むことができる。バッファ層または移行層の組成は、所望のプロファイルに従う深さによっても変更可能である。
(もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶体を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、下地基板の上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口と前記金属層を露出しない非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、前記金属層において前記複数の開口により露出された複数の領域を窒化することにより、金属窒化物の複数の第1バッファー層を形成する窒化工程と、前記複数の第1バッファー層の上に、III族窒化物半導体の複数の第2バッファー層を形成する第2バッファー層形成工程と、前記複数の第2バッファー層の上に、III族窒化物半導体の結晶体を成長させる成長工程とを備え、前記複数の開口のそれぞれは、六角形に沿った形状を有しており、前記マスク形成工程では、前記複数の開口における各開口の最小幅が5μm以上25μm以下となり隣接する前記開口の間における前記非開口部の幅が1.5μm以上8μm以下になるように、前記マスクを形成する。 (もっと読む)


【課題】単一のSiC超硬合金層、または少なくとも1つのSiC超硬合金層を含むSiC多層構造体で被覆された物体、および物体を単一のSiC超硬合金層、または少なくとも1つのSiC超硬合金層を含むSiC多層構造体で被覆する方法を提供する。
【解決手段】単一のSiC層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶3C−SiCから、SiC多層構造体は、ハロゲン元素を含むナノ結晶3C−SiCおよび非晶質SiCの混合物、またはハロゲン元素を含むナノ結晶3C−SiCおよび非晶質炭素の混合物から形成する。被覆は、H2および/または1種もしくは複数種の不活性ガス、一般式Sin2n、Sin2n+2もしくはSinyz(ここで、Xはハロゲン元素、n≧2)で表される1種または複数種のハロゲン化ポリシラン、ならびに1種もしくは複数種の炭化水素を含む混合ガスを用いて、熱CVDプロセスを介して行う。 (もっと読む)


ガラス製造工程中に大気化学気相堆積法によって導電性酸化チタンコーティングをガラス基板上に堆積させる方法を提供する。該方法は、加熱されたガラスリボンをフロート槽において提供するステップと、ハロゲン化された無機チタン化合物、有機酸素含有化合物、当該前駆体ガス状混合物の10モル%以下を構成する還元ガス及び1以上の不活性キャリアガスを含む均一な前駆体ガス状混合物を準備するステップと、前記前駆体ガス状混合物を、前記前駆体ガス状混合の熱分解温度よりも低い温度で、前記加熱されたガラスリボンの近傍位置まで搬送するステップとを含む。被覆されたガラス物品は、1×10−2S/cmを超える導電率を示す。 (もっと読む)


1 - 20 / 171