説明

Fターム[4K030AA03]の内容

CVD (106,390) | 原料ガス (20,169) | 主反応ガス (14,743) | ハロゲン化物系主反応ガス (1,941) | 塩化物系 (1,481)

Fターム[4K030AA03]に分類される特許

1 - 20 / 1,481






【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ti化合物層からなる下部層とAl層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上記Al層は、下部領域、中間領域および上部領域の3領域から構成され、各領域について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、0〜90度の範囲内における(0001)面の法線の傾斜角度数分布を求めた場合、下部領域は、80〜90度の範囲内の度数合計が60%以上、また、中間領域は、70〜80度の範囲内の度数合計が60%以上、さらに、上部領域は、0〜10度の範囲内の度数合計が60%以上の割合を占める。 (もっと読む)


【課題】硬質被覆層が高速断続切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がTi化合物層、上部層が柱状結晶組織のZr含有α型Al層を蒸着した表面被覆切削工具であって、下部層の最表面層が、500nm以上の層厚を有するTiCN層からなり、該TiCN層の層厚方向500nmまでの深さ領域にのみ平均含有量0.5〜3原子%の酸素が含有され、また、下部層直上におけるZr含有α型Al結晶粒の横方向平均粒径は0.1〜0.3μmであり、上部層の上方におけるZr含有α型Al結晶粒の横方向平均粒径は0.5〜1.0μmであって、しかも、上部層全体のZr含有α型Al結晶粒について、工具基体表面の法線に対する(0001)面の法線がなす傾斜角が0〜10度であるZr含有α型Al結晶粒が、全体で45面積%以上、界面から上部層の膜厚1μm未満では(0001)配向が10%未満、(02−21)配向が30%以上である。 (もっと読む)


【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ti化合物層からなる下部層とAl層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上部層のAl粒について、(0001)面の法線がなす傾斜角を測定し、隣接する測定点からの測定傾斜角の角度差が5度以上である場合に異なる結晶粒であるとして結晶粒を特定し、個々の結晶粒のアスペクト比を求めた場合、アスペクト比が5未満である結晶粒が面積比で10〜50%、アスペクト比が5以上である結晶粒が面積比で50〜90%を占め、また、結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、アスペクト比が5未満の結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は5度未満、一方、上記アスペクト比が5以上である結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は5度以上を示す。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長において、ヒータからの熱線を調節して、シリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであるエピタキシャル成長装置。 (もっと読む)


【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜8bを形成する工程と、タングステン膜8b上に窒化チタン膜からなる下部電極13を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極13上に容量絶縁膜14を形成する工程と、容量絶縁膜14上に上部電極15を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚600nm以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をT1とし、成膜終了時の基体温度をT2とするとき、下記(1)〜(3)の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、CVD法を用いて、200Pa以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度300〜650℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
(1)T2=360〜380℃
(2)ΔT(T1−T2)=45〜65℃
(3)少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚200nmが達するまでに基体温度の下降を開始する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】300℃以上かつガラスの歪点より低い第1加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して1層目の膜を形成する第1成膜工程と、第1加熱温度より高い第2加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して2層目の膜を形成する第2成膜工程とを備える。また、第2成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが0.5μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm
以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、気相成長前の昇温時間を短縮でき、ウォールデポの付着を少なくできるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャンバー内にウェーハを載置するサセプタを具備するコールドウォールタイプの気相成長装置を用いて、前記サセプタ上に載置されたウェーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、
前記気相成長前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記気相成長を行い、エピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1上に形成された下部電極14と、下部電極14上に形成された容量絶縁膜15と、容量絶縁膜15上に形成された上部電極16と、上部電極16の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜18を有する半導体装置100。 (もっと読む)


【課題】クリーニングガスによる腐食反応を低減する。
【解決手段】CVD装置の処理炉10におけるマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31とに第一加熱源61と第二加熱源62と第三加熱源63と第四加熱源64とを敷設し、加熱源61〜64は温度制御部60に接続する。温度制御部60はマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31との温度をクリーニングガスが多層吸着しない程度の温度となるように制御する。クリーニングガスによる腐食反応を低減できるので、マニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31の定期的交換の頻度を減少でき、CVD装置のメンテナンス性能を向上できる。 (もっと読む)


【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばSbCl、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばSb(OEt)を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 (もっと読む)


【課題】より急峻且つより安定したSRプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】不純物を含有するシリコン単結晶の基板Sの直上に、基板Sよりも不純物濃度が低い第1層を気相成長させる第1成長工程(1st Growth工程)と、第1層よりも上に第2層を気相成長させる第2成長工程(2nd Growth工程)とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、第1成長工程において、強制的に排気を行って常圧AP以下の第1圧力RPの下で気相成長させ、第2成長工程において、第1圧力RPより高い第2圧力APの下で気相成長させるようにする。 (もっと読む)


【課題】高速重切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層が化学蒸着された下部層と上部層とからなり、(a)前記下部層は、少なくとも1層のTiの炭窒化物層を含み、かつ、3〜20μmの合計平均層厚を有する1層または2層以上からなるTi化合物層、(b)前記上部層は、1〜25μmの平均層厚を有する酸化アルミニウム層、であり、前記下部層を構成する少なくとも1層のTiの炭窒化物層は、柱状縦長成長TiCN結晶組織を有しており、その組織内に微粒TiCNが分散分布している構成とすることにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層が化学蒸着された下部層と上部層とからなり、(a)前記下部層は、少なくとも1層のTiの炭窒化物層を含み、かつ、3〜20μmの合計平均層厚を有する1層または2層以上からなるTi化合物層、(b)前記上部層は、1〜25μmの平均層厚を有する酸化アルミニウム層、であり、前記下部層を構成する少なくとも1層のTiの炭窒化物層は、柱状縦長成長TiCN結晶組織を有しており、その組織内に微粒TiCNが分散分布している構成とすることにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


1 - 20 / 1,481