【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚６００ｎｍ以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をＴ₁とし、成膜終了時の基体温度をＴ₂とするとき、下記（１）〜（３）の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度３００〜６５０℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
（１）Ｔ₂＝３６０〜３８０℃
（２）ΔＴ（Ｔ₁−Ｔ₂）＝４５〜６５℃
（３）少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚２００ｎｍが達するまでに基体温度の下降を開始する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Ｖｔｈの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）およびＯ（酸素）を含む酸化物半導体層と、Ｓｉ（珪素）、Ｆ（フッ素）およびＮ（窒素）を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】充填筒に充填したガス処理剤を有効に使用し、充填筒の交換の際にも排ガスを系外に放出することなく充填筒を安全に交換することができる排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】ガス処理剤をそれぞれ充填した複数の充填筒１０，２０に排ガスを導入し、該排ガス中の有害成分を除去処理する排ガス処理方法において、前記複数の充填筒の内の一つの充填筒１０に前記排ガスを導入して前記有害成分の除去処理を行い、該充填筒１０から導出した処理ガスを検出手段３０に導入して前記有害成分の有無を検出し、該検出手段から導出される処理ガスを他の充填筒２０を経由して排出するとともに、該検出手段で有害成分を検出したときに、排ガスの導入を他の充填筒２０に切り換えた後、該一つの充填筒１０内の有害成分をパージし、パージガスを検出手段３０を通じて他の充填筒２０に導入し、検出手段３０で有害成分が検出されなくなったら新たな充填筒に交換する。 （もっと読む）

【課題】液化ガスの再液化を防ぎながら液化ガスの流量を精密に制御可能なマスフローコントローラーを提供する。
【解決手段】実施形態のマスフローコントローラー１００は、流入口１１から流入した液化ガスを分流するセンサー用配管１３とバイパス配管１４と、前記センサー用配管を覆うように配置された熱式センサー７と、前記センサー用配管を覆って前記センサー用配管と共に二重配管を形成し、前記センサー用配管および前記バイパス配管に連通する断熱領域１５と、前記連通を遮断して前記断熱領域を閉鎖領域とする閉鎖バルブ１と、を備える。実施形態のマスフローコントローラーは、前記センサー用配管と前記バイパス配管とから合流した前記液化ガスの流出口１２と、前記熱式センサーの検出結果に基づいて前記流出口から流出する前記液化ガスの流量を制御する制御手段と、前記各部位の全体を下方から加熱するヒーター２と、をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化効率を向上させ、パーティクルの付着を防止する。
【解決手段】ウェハを収容して処理する処理室と、液体原料をキャリアガスによるバブリングにより気化させるバブラ２２０ａと、バブラ２２０ａにて液体原料を気化させることで生成された原料ガスを処理室内に供給する原料ガス供給管２１３ａとを有し、バブラ２２０ａは液体原料を収容する容器と、容器内に収容された液体原料内にその先端部分が浸され、液体原料内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３７ａとを有する基板処理装置において、キャリアガス供給管２３７ａから液体原料内に供給されたキャリアガスを水平方向に拡散させる拡散板２３８をバブラ２２０ａ内の底部に敷設し、拡散板２３８は多孔質材により構成される。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】反応室内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応室内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、完全に排気を停止もしくはクリーニングガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量で排気させ、反応室内の圧力が１０Ｔｏｒｒ以上となるまでクリーニングガスを供給する第１段階と、反応室内の圧力が下がるよう反応室内を排気する第２段階と、を有し、第１段階と第２段階とを１サイクル以上行う。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜を成膜する際に半導体ウェーハがエッチングされることを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】 実施形態に係る成膜装置は、半導体ウェーハを載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置されるエッジカット部を備え、前記半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する。前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハの周縁部と接触可能に設けられた第１のエッジカット部と、前記第１のエッジカット部に接続され、前記半導体ウェーハと実質的に垂直な方向に上下動可能な接続部と、前記接続部に接続され、前記接続部の上下動により前記半導体ウェーハの内側面に当接するように配置された第２のエッジカット部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガラス板とその上に形成された酸化錫膜とを備えた透明導電膜付きガラス板を改良し、可視域から近赤外域にかけての広い波長域において光を効果的に散乱させるに適した構造とする。
【解決手段】本発明による透明導電膜付きガラス板においては、ガラス板１の上に形成された透明導電膜３が、酸化錫を主成分とする層３１と、層３１の表面上に配置された酸化亜鉛または酸化インジウムを主成分とする島部３２とを有し、透明導電膜３の表面に、島部からなる第１凸部３２とともに、層の表面に存在する第２凸部３３が露出している。 （もっと読む）

【課題】反応管が石英で構成されたホットウォール型の基板処理装置においても、基板上にタングステン含有膜を生産性よく形成することのできる基板処理技術を提供する。
【解決手段】石英で構成された反応管内に基板が搬入されてない状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にチタン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して前記反応管の内壁に窒化チタン膜をプリコートする工程と、前記プリコート後の前記反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に基板が搬入された状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にタングステン含有ガスを供給して前記基板上にタングステン含有膜を形成する工程と、前記タングステン含有膜を形成した基板を、前記反応管内から搬出する工程と、を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜処理をした後に、ゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜処理する場合に、後の成膜処理におけるゲルマニウム汚染を抑える熱処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し、熱処理を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して、被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態クリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜された薄膜を除去する工程と、酸化ガスと、水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して、被処理体にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】走行するパネル端部近傍で均一な蒸着方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの支持体２上に配置された、少なくとも１つのパネル１の表面を処理する方法に関し、ガス、液体または微粉固体材料を吹き付けることにあり、この場合、上記支持体はパネル端部を超えて突き出し、吹付け材料の障壁として作用する。吹付け材料は、パネルに平行で、パネルの全端部の近傍で外側の方向に付勢される。このようにして、エッジ効果は打ち消され、この処理によって、パネル中心における効果と同一効果を端部に沿って生成する。この処理はさらに、例えば、ＳｎＯ_２：ＦなどのＣＶＤ蒸着の形態を取ることもできる。 （もっと読む）

【課題】高温強度、プロセスガスに対する耐食性および耐プラズマ反応性を備えた皮膜形成処理装置用部材を提供すること。
【解決手段】基材の表面にＮｉ−Ａｌ合金層を形成した皮膜形成処理装置用部材であって、前記基材の材質が純ニッケルまたはＮｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金であり、前記Ｎｉ−Ａｌ合金層が厚さ：１０〜２００μｍであり、組成：Ａｌ；１０〜６０重量％で、残部：Ｎｉと不可避不純物であることを特徴とする皮膜形成処理装置用部材により、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室を構成するシリコンを含む構成部材に起因するパーティクルが被処理基板に付着することを防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む構成部材を有し、処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室３０と、隔壁部材４０を介してプラズマ生成室に連通するプラズマ処理室２０と、プラズマ生成室の誘電体窓１３の外側に配設された平面状の高周波アンテナ１４０とを具備したプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズマ生成室内で水素ガスを含む処理ガスをプラズマ励起し発生した水素ラジカルを隔壁部材を介してプラズマ処理室に導入し被処理基板に作用させてプラズマ処理を施し、被処理基板を搬出した後、プラズマ生成室内に四フッ化炭素ガスを導入してプラズマ生成室内に堆積したシリコン系の堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング後に実施するプリコートにおいて、処理室内壁に形成される薄膜の膜厚を薄くさせ、これによりクリーニング周期を長くでき、生産性を向上させる。
【解決手段】 処理室内を所定の成膜温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜処理と、処理室内を所定のクリーニング温度に加熱させつつ、処理室内にクリーニングガスを供給させて処理室内壁に堆積した窒化シリコン膜を除去するクリーニング処理と、加熱部により処理室内を成膜温度よりも低い所定のプリコート温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて処理室内壁に所定の厚さの窒化シリコン膜を形成するプリコート処理と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性、耐剥離性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、少なくとも、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（α型Ａｌ_２Ｏ_３層）を蒸着形成した表面被覆切削工具において、例えば、下部層−上部層界面に（Ｔｉ，Ｗ）ＣＮＯ粒子を島状に分散分布させることによって、層厚Ｔの上部層の層厚方向に対する直交面に、極小引張残留応力値、極大引張残留応力値を示す複数の極小位置と極大位置が存在する直交面残留応力分布を形成し、極小引張残留応力値の平均値をσｍｉｎ、極大引張残留応力値の平均値をσｍａｘ、隣接する極小位置と極大位置における引張残留応力差（絶対値）の平均値をδとした時、深さＤ１の位置の直交面におけるσ１ｍｉｎ、σ１ｍａｘ、δ１と、深さＤ２の位置の直交面におけるσ２ｍｉｎ、σ２ｍａｘ、δ２は、Ｔ＞Ｄ２＞Ｄ１＞０で、かつ、σ１ｍｉｎ＞σ２ｍｉｎ、σ１ｍａｘ＞σ２ｍａｘ、δ２＞δ１を満たす。 （もっと読む）

【課題】装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応管２内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で活性化され、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置１の内部を洗浄する。 （もっと読む）