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Fターム[4K030AA11]の内容

CVD (106,390) | 原料ガス (20,169) | 主反応ガス (14,743) | 金属有機化合物系 (2,290)

Fターム[4K030AA11]に分類される特許

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【課題】窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛材1は、膨張黒鉛シート2と、膨張黒鉛シート2の上に配された、結晶性窒化ガリウム層3とを備える。黒鉛材1の製造方法は、膨張黒鉛シート2を準備する工程と、膨張黒鉛シート2の上に、結晶性窒化ガリウム層3を形成する工程と、を備える。結晶性窒化ガリウム層3は、有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シート2の上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させてなる。 (もっと読む)


【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置10は、基板15の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管12と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器20と、を含む。副噴射器20の内部に設けられた遮熱器25は、押さえガスが流入する流入側開口部26aと押さえガスを噴出する流出側開口部26bとを有する枠体26と、枠体26の内部に収容された複数の粒状の充填材27と、を含む。
充填材27は、流出側開口部26bから流入側開口部26aへの見通し経路を形成しないように枠体26の内部に収容されている。 (もっと読む)


【課題】装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板200を積載配置して収容する処理容器203と、処理容器203に基板200を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段232a、232b、249a、249bと、処理容器203を排気する排気手段300と、を有し、排気手段300は、真空ポンプ246と、処理容器203と真空ポンプ246を接続する排気配管とを備え、排気配管の少なくとも一部がリブ構造370を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形の配管331〜333で構成される。 (もっと読む)


【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 (もっと読む)


【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び/または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜8bを形成する工程と、タングステン膜8b上に窒化チタン膜からなる下部電極13を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極13上に容量絶縁膜14を形成する工程と、容量絶縁膜14上に上部電極15を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体であって、下記の化学式で示されるジルコノセン(zincocene)、またはその誘導体であることを特徴とする酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】


前記式中、R1およびR2は水素またはC2n+1を表す。好ましくは、前記nは1〜3であり、より好ましくは、前記R1およびR2は水素、メチル基、エチル基、またはi−プロピル基を含む。また、蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 (もっと読む)


【課題】抵抗加熱ヒータとしてSiCヒータを用いてGaN薄膜を気相成長させる気相成長装置において、SiCヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置1における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板25の加熱手段としてSiCヒータ11を用い、SiCヒータ11によって基板25の温度を1000℃以上に加熱して基板25に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるSiCヒータ11のパージ方法であって、SiCヒータ11をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層12と、複数の量子ドット層12間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層12に含まれる量子ドット12aの組成が、InxGa1-xAsySb1-y(0<x≦1、0<y≦1)で表わされる。中間層には、組成がInaGa1-aAsb1-b(0<a<1、0<b<1)で表わされ、厚さが10nm以上40nm以下のInGaAsP層13、15と、InGaAsP層13、15の底面から10nm以上40nm未満の高さに位置し、厚さが0.3nm以上2nm以下のInP層14と、が含まれている。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体のアルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】R−Zn−X前記式中、Rはアルキル基(C2n+1)を表し、Xはハロゲン基を表す。好ましくは、前記アルキル基のnは1〜4であり、より好ましくは、前記アルキル基は、メチル基、エチル基、i−プロピル基、またはt−ブチル基を含む。好ましくは、前記ハロゲン基は、F、Br、Cl、またはIを含む。また、本蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記アルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給して、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 (もっと読む)


【課題】金属薄膜を成膜する際に、金属薄膜材料の蒸気圧を向上させて、単位時間当たりの有機金属の供給量を増大させるとともに、配管へ吸着した原料を効率よくパージする金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】コバルトに金属原子が環状炭化水素を含み、炭素、窒素、水素ならびに金属元素のみからなり、酸素を含まない構造であることを特徴とする金属薄膜材料を提供する。また、そのような金属薄膜材料の蒸気を基板表面に搬送し、窒素を含有する反応性ガスを、前記金属薄膜材料の蒸気と同時または順次に基板表面に供給することを特徴とする金属薄膜の成膜方法を提供する。 (もっと読む)


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