【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上記Ａｌ_２Ｏ_３層は、下部領域、中間領域および上部領域の３領域から構成され、各領域について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、０〜９０度の範囲内における（０００１）面の法線の傾斜角度数分布を求めた場合、下部領域は、８０〜９０度の範囲内の度数合計が６０％以上、また、中間領域は、７０〜８０度の範囲内の度数合計が６０％以上、さらに、上部領域は、０〜１０度の範囲内の度数合計が６０％以上の割合を占める。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層が柱状結晶組織のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着した表面被覆切削工具であって、下部層の最表面層が、５００ｎｍ以上の層厚を有するＴｉＣＮ層からなり、該ＴｉＣＮ層の層厚方向５００ｎｍまでの深さ領域にのみ平均含有量０．５〜３原子％の酸素が含有され、また、下部層直上におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．１〜０．３μｍであり、上部層の上方におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．５〜１．０μｍであって、しかも、上部層全体のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒について、工具基体表面の法線に対する（０００１）面の法線がなす傾斜角が０〜１０度であるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が、全体で４５面積％以上、界面から上部層の膜厚１μｍ未満では（０００１）配向が１０%未満、（０２−２１）配向が３０%以上である。 （もっと読む）

【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上部層のＡｌ_２Ｏ_３粒について、（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、隣接する測定点からの測定傾斜角の角度差が５度以上である場合に異なる結晶粒であるとして結晶粒を特定し、個々の結晶粒のアスペクト比を求めた場合、アスペクト比が５未満である結晶粒が面積比で１０〜５０％、アスペクト比が５以上である結晶粒が面積比で５０〜９０％を占め、また、結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、アスペクト比が５未満の結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度未満、一方、上記アスペクト比が５以上である結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度以上を示す。 （もっと読む）

【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Ｓに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ３３Ｈによって加熱された基板Ｓを収容する反応室３１Ｓに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたＺｒ（ＢＨ_４）_４を供給する。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を上記基板Ｓ上で熱酸化することによって、基板Ｓの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるＺｒＢＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体のアルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｚｎ−Ｘ前記式中、Ｒはアルキル基（Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）を表し、Ｘはハロゲン基を表す。好ましくは、前記アルキル基のｎは１〜４であり、より好ましくは、前記アルキル基は、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、またはｔ−ブチル基を含む。好ましくは、前記ハロゲン基は、Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＩを含む。また、本蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記アルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給して、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】軸方向において基本的に均一の厚さ並びに基本的に均一の屈折率およびアルファ値の蒸着ガラス層を有するガラス基材チューブを提供する。
【解決手段】本発明は、一つまたは複数のドープまたはアンドープガラス層がガラス基材チューブの内部にコーティングされるＰＣＶＤ堆積プロセスを実施する装置に関する。この装置は、内壁および外壁を有するアプリケータと、アプリケータに開口するマイクロ波ガイドとを備える。アプリケータは、円柱軸の周りに延びており、内壁の近傍に通路を備え、該通路を通ってマイクロ波ガイドを介して供給されたマイクロ波は出ることができ、基材チューブは、円柱軸にわたって位置づけ可能である。一方で、アプリケータは、円柱軸にわたって延びる加熱炉により完全に覆われる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体であって、下記の化学式で示されるジルコノセン（ｚｉｎｃｏｃｅｎｅ）、またはその誘導体であることを特徴とする酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】


前記式中、Ｒ１およびＲ２は水素またはＣ_ｎＨ_２ｎ＋１を表す。好ましくは、前記ｎは１〜３であり、より好ましくは、前記Ｒ１およびＲ２は水素、メチル基、エチル基、またはｉ−プロピル基を含む。また、蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】Ｃａｔ−ＣＶＤ法を用いて薄膜の形成を行う際に、ＮＨ₃ガスを使用することなく、効率よく堆積膜へ窒素を導入し、ガスバリア性を向上させること、かつ高い膜形成速度を有する薄膜を被堆積物上に形成させたガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒化学気相成長法を用いた窒素原子を含む薄膜を被堆積物上に形成させたガスバリアフィルムの製造方法であって、成膜室外部に設けたプラズマ源から発生するプラズマを用いてＮ₂ガスを分解して成膜室へ導入するとともに、Ｎ₂ガス以外の材料ガスを成膜室へ導入し、加熱触媒体を用いて該材料ガスを接触熱分解させることにより、被堆積物上に薄膜を形成させるガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材１２の表面に積層されたアンダーコート層１４上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部１８と、無機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０との複層構造を有するトップコート層１６を更に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ５２上の基板Ｗを加熱しつつ、ステージ５２と対向するガスヘッド５３から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第１の成膜用ガスが基板Ｗの中央に供給され、複数の金属元素を第１の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第２の成膜用ガスが基板Ｗの周縁に供給されることで、基板Ｗ上に薄膜が製造される。チャンバ５１内では基板Ｗ上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第１の成膜用ガスと第２の成膜用ガスとによって、基板Ｗ上のガスの分布を最適化することができる。 （もっと読む）