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Fターム[4K030AA16]の内容

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【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Sに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ33Hによって加熱された基板Sを収容する反応室31Sに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたZr(BHを供給する。そして、Zr(BHを上記基板S上で熱酸化することによって、基板Sの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるZrBO膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】抵抗加熱ヒータとしてSiCヒータを用いてGaN薄膜を気相成長させる気相成長装置において、SiCヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置1における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板25の加熱手段としてSiCヒータ11を用い、SiCヒータ11によって基板25の温度を1000℃以上に加熱して基板25に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるSiCヒータ11のパージ方法であって、SiCヒータ11をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ52上の基板Wを加熱しつつ、ステージ52と対向するガスヘッド53から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第1の成膜用ガスが基板Wの中央に供給され、複数の金属元素を第1の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第2の成膜用ガスが基板Wの周縁に供給されることで、基板W上に薄膜が製造される。チャンバ51内では基板W上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第1の成膜用ガスと第2の成膜用ガスとによって、基板W上のガスの分布を最適化することができる。 (もっと読む)


【課題】金属薄膜を成膜する際に、金属薄膜材料の蒸気圧を向上させて、単位時間当たりの有機金属の供給量を増大させるとともに、配管へ吸着した原料を効率よくパージする金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】コバルトに金属原子が環状炭化水素を含み、炭素、窒素、水素ならびに金属元素のみからなり、酸素を含まない構造であることを特徴とする金属薄膜材料を提供する。また、そのような金属薄膜材料の蒸気を基板表面に搬送し、窒素を含有する反応性ガスを、前記金属薄膜材料の蒸気と同時または順次に基板表面に供給することを特徴とする金属薄膜の成膜方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料9と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス23と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板6表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。 (もっと読む)


【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】処理ガス供給ライン1aから処理室内への処理ガスの供給と、不活性ガス供給ライン2aから処理室内への不活性ガスの供給と、を含むサイクルを繰り返すことで基板に対して処理を行い、その際、処理ガス供給ラインおよび不活性ガス供給ラインに、処理ガスおよび不活性ガスをそれぞれ供給した状態を維持し、処理ガス供給ラインから処理室内へ処理ガスを供給する際には、不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく不活性ガスベントライン2bより排気し、不活性ガス供給ラインから処理室内へ不活性ガスを供給する際には、処理ガス供給ラインに供給された処理ガスを処理室内に供給することなく処理ガスベントライン1bより排気し、サイクルを繰り返す際、処理室内におけるトータルガス流量が一定となるようにする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】300℃以上かつガラスの歪点より低い第1加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して1層目の膜を形成する第1成膜工程と、第1加熱温度より高い第2加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して2層目の膜を形成する第2成膜工程とを備える。また、第2成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 急激な加熱に起因するサセプタの割れ、大型化による機械的強度の低下に起因するサセプタの割れを防止することが可能なサセプタ及びそれを用いた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中央部の孔、及び周辺部に基板ホルダーを収納するための孔を有するサセプタであって、中央部の孔と基板ホルダーを収納するための孔の間にスリットが設けられてなるサセプタとする。また、基板ホルダーを収納するためのサセプタ、該サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置であって、前記のサセプタを用いた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材1表面上に中間層2を介して形成されている硬質炭素膜3であって、前記中間層2は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか1層または2層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜3は1層または2層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径0.1μm〜0.5μmの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ2nm〜5nmの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ放電部を複数並べて任意の大きさの試料に対応できるように放電面積を拡大する場合であっても、単位あたりの電力コストを増加することなく、均一なプラズマ生成が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 高周波信号回路13及び高周波電力回路11を有する高周波電源と筐体21と放電電極2とを備えたプラズマ処理装置において、筐体21内に設置された放電電極2と高周波電力回路11とでプラズマモジュールを構成し、複数個並列接続されたプラズマモジュールに高周波信号回路13からの周波数信号を入力する。 (もっと読む)


【課題】耐食性に優れ、かつ接触抵抗が低くい多孔質給電体及び陰陽両電極板を用いた水素酸素発生用電解セル及び該電解セルを組み込んだ水素酸素発生装置を安価に提供する。
【解決手段】固体電解質膜4の両面に配設された多孔質給電体5と、該多孔質給電体5に給電する陰極板2及び陽極板3からなる電解セルおいて、前記多孔質給電体5及び陰陽両電極板2,3の接触する表面に導電性炭素被膜、金属カーバイド被膜及び金属オキシカーバド被膜からなる被膜群から選ばれる少なくとも1つの被膜2a,3a,5aを被着する。 (もっと読む)


【課題】充填筒に充填したガス処理剤を有効に使用し、充填筒の交換の際にも排ガスを系外に放出することなく充填筒を安全に交換することができる排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】ガス処理剤をそれぞれ充填した複数の充填筒10,20に排ガスを導入し、該排ガス中の有害成分を除去処理する排ガス処理方法において、前記複数の充填筒の内の一つの充填筒10に前記排ガスを導入して前記有害成分の除去処理を行い、該充填筒10から導出した処理ガスを検出手段30に導入して前記有害成分の有無を検出し、該検出手段から導出される処理ガスを他の充填筒20を経由して排出するとともに、該検出手段で有害成分を検出したときに、排ガスの導入を他の充填筒20に切り換えた後、該一つの充填筒10内の有害成分をパージし、パージガスを検出手段30を通じて他の充填筒20に導入し、検出手段30で有害成分が検出されなくなったら新たな充填筒に交換する。 (もっと読む)


【課題】選択的エピタキシープロセス及びAGSプロセスの両者に対して、効率的に実施するための装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を形成する方法において、エピタキシャル膜を形成する前に、第1のガスを使用して第1の処理チャンバー108内で基板を前クリーニングするステップと、上記第1の処理チャンバーから真空下で移送チャンバー102を通して第2の処理チャンバー110へ基板を移送するステップと、上記第1のガスを使用せずに上記第2の処理チャンバー110内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、上記第1のガスは上記第2の処理チャンバー内で使用するには不適当である、を備えた方法。 (もっと読む)


【課題】高いガスバリア性を備え、基材、ポリマー層及びガスバリア層間の密着性が向上し、屈曲耐性及び環境耐性に優れたガスバリア積層体とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材F上に、少なくともガスバリア層G−1、G−2とポリマー層P−1、P−2、P−3とを有し、該ポリマー層P−1、P−2、P−3の少なくとも1層が該ガスバリア層G−1、G−2の少なくとも1層に隣接し、該ポリマー層P−1、P−2、P−3の該ガスバリア層G−1、G−2との接触界面における平均炭素含有量が該ポリマー層P−1、P−2、P−3の平均炭素含有量より小さいガスバリア積層体1。 (もっと読む)


【課題】堆積チャンバ及び上記チャンバに結合されている蒸発器を備え、化学蒸着を遂行するための堆積システムを提供する。
【解決手段】1つの面において、蒸発器は、キャリヤーガスと液体前駆体とを混合するための比較的短い混合用通路を有している。混合用通路は、液体前駆体の細かいエアロゾル状の分散体を発生し、この分散体はホットプレートに280よって気化される。 (もっと読む)


【課題】CVDにより不純物の少ないニッケル膜を高スループットで成膜することができるニッケル膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして、アンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも1種を用いたCVDにより初期ニッケル膜を成膜する第1工程と、初期ニッケル膜の上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして水素ガスを用いたCVDにより主ニッケル膜を成膜する第2工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 (もっと読む)


【課題】膜厚の面内均一性を高くすることが可能なシャワーヘッド装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Wを収容する処理容器4内へガスを導入するシャワーヘッド装置46において、内部にガスを拡散させるガス拡散室48が形成されたシャワーヘッド本体50と、シャワーヘッド本体のガス噴射板52に設けられた複数のガス噴射孔54とを有し、複数のガス噴射孔は、ガス噴射板の中心部を中心として仮想的に形成される複数の螺旋状の曲線84に沿うように配置されている。これにより、ガスを平面方向へ均一に分散させて、膜厚の面内均一性を高くする。 (もっと読む)


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